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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QTS750C-19.200MBP-T QST QTS750C-19.200MBP-T 8.5050
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ECAD 4605 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 19.2兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT532G-13.560MAAJ-T QST QT532G-13.560MAAJ-T 0.2592
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ECAD 8715 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 13.56兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT1M-32.768KAZC-T QST QT1M-32.768KAZC-T 0.1500
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ECAD 4526 0.00000000 QST QT1M期 卷带式 (TR) 的积极 65欧姆 -40℃~85℃ - 0.272英寸长x 0.055英寸宽(6.90毫米x 1.40毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 12.5pF - ±30ppm
QT252S-25.000MAAJ-T QST QT252S-25.000MAAJ-T 0.3240
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ECAD 第1361章 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-14.31818MBB-T QST QTM532-14.31818MBB-T 1.5700
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ECAD 4 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 14.31818兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM532-14.31818MBB-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-40.000MBE-T QST QTM216E-40.000MBE-T 0.8910
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ECAD 8475 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-25.000750MEIE-T QST QT325S-25.000750MEIE-T 0.3078
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ECAD 2561 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25.00075兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM252J-12.288MBJ-T QST QTM252J-12.288MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 12.288兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-12.288MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM750-166.000MCE-T QST QTM750-166.000MCE-T 1.8667
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ECAD 8742 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 166兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT26V-36.000KAZF-T QST QT26V-36.000KAZF-T 0.4050
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ECAD 1198 0.00000000 QST QT26V 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.075 英寸直径(1.90 毫米) 0.236英寸(6.00毫米) 通孔 氢气罐 kHz晶体(音叉) 36kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 1,000 12.5pF ±30ppm
QTV325-122.880MBG-T QST QTV325-122.880MBG-T 6.0000
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ECAD 2206 0.00000000 QST QTV325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.038英寸(0.96毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶振 122.88兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM325-120.000MCE-T QST QTM325-120.000MCE-T -
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ECAD 7883 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 120兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM325-120.000MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-33.333MDE-T QST QTM252-33.333MDE-T 0.7128
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ECAD 5550 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-60.000MCE-T QST QTM532-60.000MCE-T 0.5867
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ECAD 1128 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 60兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT325-40.000MBS-T QST QTT325-40.000MBS-T 0.9720
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ECAD 6792 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 40兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216-33.333MBE-T QST QTM216-33.333MBE-T 0.7128
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ECAD 9870 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-14.7456MBB-T QST QTM750-14.7456MBB-T 1.7200
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ECAD 1 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 14.7456兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM750-14.7456MBB-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT216S-26.000MAHC-T QST QT216S-26.000MAHC-T 0.3564
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ECAD 第1571章 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±30ppm ±30ppm
QT252S-38.400MEEV-T QST QT252S-38.400MEEV-T 0.3564
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ECAD 4457 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 38.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325G-31.250MAAQ-T QST QT325G-31.250MAAQ-T 0.1944
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ECAD 7675 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 31.25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT216S-32.000MEIQ-T QST QT216S-32.000MEIQ-T 0.4212
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ECAD 8031 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QT532S-12.000MAHJ-T QST QT532S-12.000MAHJ-T 0.3717
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ECAD 9822 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-18.432MAHE-T QST QT252S-18.432MAHE-T 0.6300
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ECAD 100 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 18.432兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT252S-18.432MAHE-TTR 8541.60.0050 1 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTV532-30.720MBB-T QST QTV532-30.720MBB-T 2.0000
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ECAD 8854 0.00000000 QST QTV532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶振 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM750-33.333MBE-T QST QTM750-33.333MBE-T 0.6000
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ECAD 8079 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-13.000MAAJ-T QST QT325S-13.000MAAJ-T 0.5700
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 13兆赫 基本的 下载 3001-QT325S-13.000MAAJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTT325-19.200MBS-T QST QTT325-19.200MBS-T 0.9720
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ECAD 6883 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM750-10.000MCE-T QST QTM750-10.000MCE-T 0.6000
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ECAD 2267 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-3.6864MBD-T QST QTM750-3.6864MBD-T 0.7776
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ECAD 9700 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 3.6864兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750-8.000MDE-T QST QTM750-8.000MDE-T 0.6000
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ECAD 3912 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 8兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库