晶体、振荡器、谐振器(3828)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	ESR（串联串联）	工作温度	评级	尺寸/尺寸	坐姿高度（最大）	安装类型	包装/箱	类型	频率	运行模式	输出	电压 - 电源	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	功能	负载电容	电流 - 电源（最大）	基础桁架器	频率稳定性	绝对拉力范围 (APR)	扩频带宽	电流 - 电源（禁用）（最大）	频率容差
QT49S-24.000MAGE-T	0.4300	询价	42	QST	QT49S	卷带式 (TR)	的积极	30欧姆	-	-	0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米）	-	表面贴装	HC-49/美国	MHz晶体	24兆赫	基本的			-	符合RoHS标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	3001-QT49S-24.000MAGE-TTR			1		12皮法			±50ppm				±30ppm
QT325S-24.000MEIE-T	0.5700	询价	2	QST	QT325S	卷带式 (TR)	的积极	50欧姆	-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.031英寸（0.80毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	MHz晶体	24兆赫	基本的			下载	符合ROHS3标准			3001-QT325S-24.000MEIE-TTR		8541.60.0060	1		12皮法			±20ppm				±10ppm
QT325G-10.000MAAJ-T	0.1944	询价	1984年	QST	QT325G	卷带式 (TR)	的积极	150欧姆	-20℃～70℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	MHz晶体	10兆赫	基本的			下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	3,000		18皮法			±30ppm				±30ppm
QTM252-60.000MDE-T	0.5867	询价	7326	QST	QTM252	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	60兆赫		互补金属O化物半导体	1.8V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	3,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM252J-30.000MDJ-T	1.7200	询价	2	QST	QTM252J	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～105℃	AEC-Q100	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	30兆赫		互补金属O化物半导体	1.8V	下载				3001-QTM252J-30.000MDJ-TTR			1	启用/禁用		22毫安	水晶	±50ppm	-	-	18毫安
QT49-7.680MAAJ-B	0.3400	询价	2509	QST	QT49	卷带式 (TR)	的积极	80欧姆	-20℃～70℃	-	0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米）	0.145英寸（3.68毫米）	通孔	HC-49/美国	MHz晶体	7.68兆赫	基本的			下载	符合ROHS3标准					8541.60.0050	1		18皮法			±30ppm				±30ppm
QT49-48.000MEEJ-B	0.1701	询价	3371	QST	QT49	卷带式 (TR)	的积极	80欧姆	-20℃～70℃	-	0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米）	0.145英寸（3.68毫米）	通孔	HC-49/美国	MHz晶体	48兆赫	第三泛音			下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	1,000		18皮法			±10ppm				±10ppm
QT252S-20.000MEEJ-T	0.3564	询价	8437	QST	QT252S	卷带式 (TR)	的积极	100欧姆	-20℃～70℃	-	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.022英寸（0.55毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	MHz晶体	20兆赫	基本的			下载	符合ROHS3标准					8541.60.0050	3,000		18皮法			±10ppm				±10ppm
QT325S-50.000MAHJ-T	0.5700	询价	8	QST	QT325S	卷带式 (TR)	的积极	50欧姆	-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.031英寸（0.80毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	MHz晶体	50兆赫	基本的			下载	符合ROHS3标准			3001-QT325S-50.000MAHJ-TTR		8541.60.0060	1		18皮法			±30ppm				±30ppm
QTM325-156.250MBE-T	-	询价	9917	QST	QTM325	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.043英寸（1.10毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	156.25兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准			3001-QTM325-156.250MBE-TTR		8541.60.0060	3,000	启用/禁用		-	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM325-14.31818MBE-T	1.5700	询价	3	QST	QTM325	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.043英寸（1.10毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	14.31818兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	3001-QTM325-14.31818MBE-TTR	EAR99	8541.60.0050	1	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM252E-33.333MBM-T	1.0530	询价	2482	QST	QTM252E	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～125℃	-	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	33.333兆赫		CMOS（低EMI）	3.3V	下载					EAR99	8541.60.0060	3,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM252E-24.576MBJ-T	0.9720	询价	3764	QST	QTM252E	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～105℃	-	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	24.576兆赫		CMOS（低EMI）	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	3,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM325-48.000MBE-T	0.7128	询价	1330	QST	QTM325	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.043英寸（1.10毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	48兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载					EAR99	8541.60.0060	3,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTS532C-45.1584MBG-T	6.4800	询价	2638	QST	QTS532C	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米）	0.059英寸（1.50毫米）	表面贴装	10-SMD，无铅	温补晶振	45.1584兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载					EAR99	8541.60.0060	1,000	-		5毫安	水晶	±500ppb	-	-	-
QTK532-32.768KBD-T	0.8667	询价	1056	QST	QTK532	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米）	0.055英寸（1.40毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	32.768 kHz		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0010	1,000	启用/禁用		3毫安	水晶	±25ppm	-	-	-
QTM325-156.250MCE-T	-	询价	4057	QST	QTM325	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.043英寸（1.10毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	156.25兆赫		互补金属O化物半导体	2.5V	下载	符合ROHS3标准			3001-QTM325-156.250MCE-TTR		8541.60.0060	3,000	启用/禁用		-	水晶	±50ppm	-	-	-
QTS750-19.440MBF-T	7.2900	询价	1889年	QST	QTS750	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米）	0.079英寸（2.00毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	VCTCXO	19.44兆赫		削波正弦波	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0050	1,000	-		5毫安	水晶	±500ppb	-	-	-
QTK750-32.768KBD-T	1.8600	询价	4290	QST	QTK750	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米）	0.056英寸（1.42毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	32.768 kHz		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0010	1	启用/禁用		3毫安	水晶	±25ppm	-	-	-
QTM252J-50.000MBJ-T	1.7200	询价	2	QST	QTM252J	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～105℃	AEC-Q100	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	50兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	3001-QTM252J-50.000MBJ-TTR	EAR99	8541.60.0060	1	启用/禁用		22毫安	水晶	±50ppm	-	-	18毫安
QTM750P-106.250MBE-T	5.7200	询价	1	QST	QTM750P	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米）	0.063英寸（1.60毫米）	表面贴装	6-SMD，无铅	XO（标准）	106.25兆赫		左心室PECL	3.3V	下载	符合ROHS3标准			3001-QTM750P-106.250MBE-TTR		8541.60.0060	1	启用/禁用		70毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM750-25.000MAB-T	1.7200	询价	第864章	QST	QTM750	卷带式 (TR)	的积极		-10℃～70℃	-	4.000 英寸长 x 3.375 英寸宽（101.60 毫米 x 85.73 毫米）	2.120英寸（53.85毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	25兆赫		互补金属O化物半导体	5V	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	可根据要求提供REACH信息	3001-QTM750-25.000MAB-TTR	EAR99	8541.60.0060	1	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM252-20.480MBE-T	0.7128	询价	3261	QST	QTM252	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米）	0.035英寸（0.90毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	20.48兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	3,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM532-62.500MBE-T	1.4300	询价	50	QST	QTM532	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米）	0.055英寸（1.40毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	62.5兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准			3001-QTM532-62.500MBE-TTR		8541.60.0060	1	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM325-156.250MDE-T	-	询价	第1681章	QST	QTM325	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米）	0.043英寸（1.10毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	156.25兆赫		互补金属O化物半导体	1.8V	下载	符合ROHS3标准			3001-QTM325-156.250MDE-TTR		8541.60.0060	3,000	启用/禁用		-	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM216E-24.576MBJ-T	0.9720	询价	9020	QST	QTM216E	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～105℃	-	0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米）	0.032英寸（0.81毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	24.576兆赫		CMOS（低EMI）	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	3,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTV750-61.440MBB-T	4.3333	询价	8261	QST	QTV750	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米）	0.063英寸（1.60毫米）	表面贴装	6-SMD，无铅	压控晶体振荡器	61.44兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	1,000	启用/禁用		30毫安	水晶	±50ppm	±50ppm	-	-
QTM532S-322.000MBE-T	-	询价	6483	QST	QTM532S	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米）	0.055英寸（1.40毫米）	表面贴装	6-SMD，无铅	XO（标准）	322兆赫		左心室PECL	3.3V	下载	符合ROHS3标准			3001-QTM532S-322.000MBE-TTR		8541.60.0060	1,000	启用/禁用		50毫安	水晶	±50ppm	-	-	-
QTM750-1.544MCD-T	0.6400	询价	7265	QST	QTM750	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米）	0.056英寸（1.42毫米）	表面贴装	4-SMD，无铅	XO（标准）	1.544兆赫		互补金属O化物半导体	2.5V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0050	1,000	启用/禁用		10毫安	水晶	±25ppm	-	-	-
QTS532C-12.800MBF-T	6.4800	询价	6961	QST	QTS532C	卷带式 (TR)	的积极		-40℃～85℃	-	0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米）	0.059英寸（1.50毫米）	表面贴装	10-SMD，无铅	VCTCXO	12.8兆赫		互补金属O化物半导体	3.3V	下载	符合ROHS3标准					8541.60.0060	1,000	-		5毫安	水晶	±500ppb	-	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体、振荡器、谐振器(3828)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²