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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QT216S-24.000MAAJ-T QST QT216S-24.000MAAJ-T 0.7200
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ECAD 3 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT216S-24.000MAAJ-TTR 8541.60.0060 1 - ±30ppm ±30ppm
QT49S-3.579545MBBK-T QST QT49S-3.579545MBBK-T 0.1539
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ECAD 4934 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 200欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 3.579545兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT252S-16.000MAAJ-T QST QT252S-16.000MAAJ-T 0.3240
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ECAD 4558 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM216-30.000MCE-T QST QTM216-30.000MCE-T 0.5867
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ECAD 7321 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT216S-37.400METI-T QST QT216S-37.400METI-T 0.4212
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ECAD 2136 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325G-14.7456MAGJ-T QST QT325G-14.7456MAGJ-T 0.2106
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ECAD 9268 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 14.7456兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 - ±30ppm -
QT49S-14.7456MBBK-T QST QT49S-14.7456MBBK-T 0.1539
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ECAD 7522 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 14.7456兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QTM252E-24.576MCE-T QST QTM252E-24.576MCE-T 0.8910
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ECAD 5106 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24.576兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-36.000MAHI-T QST QT325S-36.000MAHI-T 0.2592
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ECAD 5021 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 36兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QTT161-40.000MBS-T QST QTT161-40.000MBS-T 1.2960
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ECAD 3540 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 40兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216-16.384MCE-T QST QTM216-16.384MCE-T 0.7128
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ECAD 5783 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-60.000MCE-T QST QTM216-60.000MCE-T -
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ECAD 6982 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 60兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM216-60.000MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49S-27.000MEEJ-T QST QT49S-27.000MEEJ-T 0.4000
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ECAD 7089 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM325-33.333MCE-T QST QTM325-33.333MCE-T 0.7128
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ECAD 2237 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-20.000MDE-T QST QTM216E-20.000MDE-T 0.7333
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ECAD 8507 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT216S-31.125MAAQ-T QST QT216S-31.125MAAQ-T 0.3240
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ECAD 5666 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 31.125兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252J-14.7456MBJ-T QST QTM252J-14.7456MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 14.7456兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-14.7456MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTS532C-26.000MBG-T QST QTS532C-26.000MBG-T 5.3333
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ECAD 4634 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 26兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT325S-16.384MEIQ-T QST QT325S-16.384MEIQ-T 0.3078
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ECAD 3070 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.384兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QT325G-10.000MAGJ-T QST QT325G-10.000MAGJ-T 0.2106
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ECAD 4772 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 10兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QTM750P-166.000MBD-T QST QTM750P-166.000MBD-T 3.2400
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ECAD 5127 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 166兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTS532C-26.000MBP-T QST QTS532C-26.000MBP-T 13.5700
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ECAD 2218 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 26兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTS532C-26.000MBP-TTR 8541.60.0060 1 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT325S-26.000MAHJ-T QST QT325S-26.000MAHJ-T -
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ECAD 7738 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-30.000MEHQ-T QST QT325S-30.000MEHQ-T 0.2916
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ECAD 8092 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±10ppm
QT49S-13.824MEEK-T QST QT49S-13.824MEEK-T 0.1863
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ECAD 5610 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 13.824兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±10ppm ±10ppm
QTM252J-10.000MBJ-T QST QTM252J-10.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 4.252英寸长 x 2.677英寸宽(108.00毫米 x 68.00毫米) 0.185英寸(4.70毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-10.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM252E-38.400MDJ-T QST QTM252E-38.400MDJ-T 0.9720
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ECAD 1619 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 38.4兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT216G-32.000MEEV-T QST QT216G-32.000MEEV-T 0.3078
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ECAD 3798 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 120欧姆 -20℃~70℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽(2.05毫米x 1.65毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT216S-30.000MEEQ-T QST QT216S-30.000MEEQ-T 0.4050
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ECAD 4122 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM216-77.760MBE-T QST QTM216-77.760MBE-T -
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ECAD 8605 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-77.760MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库