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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | ESR(串联串联) | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 运行模式 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 负载电容 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) | 频率容差 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QT216S-24.000MAAJ-T | 0.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 90欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 24兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QT216S-24.000MAAJ-TTR | 8541.60.0060 | 1 | - | ±30ppm | ±30ppm | ||||||||||||
![]() | QT49S-3.579545MBBK-T | 0.1539 | ![]() | 4934 | 0.00000000 | QST | QT49S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 200欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) | - | 表面贴装 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 3.579545兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 20pF | ±50ppm | ±50ppm | |||||||||||||
![]() | QT252S-16.000MAAJ-T | 0.3240 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | QST | QT252S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 100欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.022英寸(0.55毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 16兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 18皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTM216-30.000MCE-T | 0.5867 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 30兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT216S-37.400METI-T | 0.4212 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 37.4兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 16皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT325G-14.7456MAGJ-T | 0.2106 | ![]() | 9268 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 100欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 14.7456兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | ±30ppm | - | |||||||||||||
![]() | QT49S-14.7456MBBK-T | 0.1539 | ![]() | 7522 | 0.00000000 | QST | QT49S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 30欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) | - | 表面贴装 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 14.7456兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 20pF | ±50ppm | ±50ppm | |||||||||||||
![]() | QTM252E-24.576MCE-T | 0.8910 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT325S-36.000MAHI-T | 0.2592 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 36兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 16皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTT161-40.000MBS-T | 1.2960 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 40兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM216-16.384MCE-T | 0.7128 | ![]() | 5783 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.384兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM216-60.000MCE-T | - | ![]() | 6982 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 60兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 3001-QTM216-60.000MCE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | QT49S-27.000MEEJ-T | 0.4000 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | QST | QT49S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 30欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) | - | 表面贴装 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 27兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 18皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTM325-33.333MCE-T | 0.7128 | ![]() | 2237 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM216E-20.000MDE-T | 0.7333 | ![]() | 8507 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT216S-31.125MAAQ-T | 0.3240 | ![]() | 5666 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 31.125兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 10皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTM252J-14.7456MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 14.7456兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-14.7456MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |||||
![]() | QTS532C-26.000MBG-T | 5.3333 | ![]() | 4634 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 26兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QT325S-16.384MEIQ-T | 0.3078 | ![]() | 3070 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 16.384兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0050 | 3,000 | 10皮法 | ±20ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT325G-10.000MAGJ-T | 0.2106 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 10兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 18皮法 | ±50ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTM750P-166.000MBD-T | 3.2400 | ![]() | 5127 | 0.00000000 | QST | QTM750P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 166兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 70毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTS532C-26.000MBP-T | 13.5700 | ![]() | 2218 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 26兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTS532C-26.000MBP-TTR | 8541.60.0060 | 1 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | ||||||||
![]() | QT325S-26.000MAHJ-T | - | ![]() | 7738 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 26兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 18皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QT325S-30.000MEHQ-T | 0.2916 | ![]() | 8092 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 30兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 10皮法 | ±30ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT49S-13.824MEEK-T | 0.1863 | ![]() | 5610 | 0.00000000 | QST | QT49S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 40欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) | - | 表面贴装 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 13.824兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 20pF | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTM252J-10.000MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 4.252英寸长 x 2.677英寸宽(108.00毫米 x 68.00毫米) | 0.185英寸(4.70毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 10兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-10.000MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |||||
![]() | QTM252E-38.400MDJ-T | 0.9720 | ![]() | 1619 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT216G-32.000MEEV-T | 0.3078 | ![]() | 3798 | 0.00000000 | QST | QT216G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 120欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.081英寸长x 0.065英寸宽(2.05毫米x 1.65毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 32兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 8皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT216S-30.000MEEQ-T | 0.4050 | ![]() | 4122 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 30兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 10皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTM216-77.760MBE-T | - | ![]() | 8605 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 77.76兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-77.760MBE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - |

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