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晶体、振荡器、谐振器(3828)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR（串联串联） 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大） 频率容差
QT49S-11.2896MEEJ-T QST QT49S-11.2896MEEJ-T 0.3400
询价
 ECAD 5220 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃～70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 11.2896兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM216-98.304MCE-T QST QTM216-98.304MCE-T -
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 ECAD 7640 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-98.304MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-18.432MBE-T QST QTM750-18.432MBE-T 0.6000
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 ECAD 5248 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 18.432兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532G-50.000MAAK-T QST QT532G-50.000MAAK-T 0.2592
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 ECAD 5619 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 50兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 20pF ±30ppm ±30ppm
QTS750-12.800MBP-T QST QTS750-12.800MBP-T -
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 ECAD 7147 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 12.8兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM252E-20.000MDM-T QST QTM252E-20.000MDM-T 2.0000
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 ECAD 1 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-40.000MCE-T QST QTM750-40.000MCE-T 0.7290
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 ECAD 2331 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT252-40.000MDG-T QST QTT252-40.000MDG-T 1.1340
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 ECAD 4473 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 40兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-114.285MBE-T QST QTM750-114.285MBE-T -
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 ECAD 9418 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49-48.000MBBK-B QST QT49-48.000MBBK-B 0.1377
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 ECAD 9614 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃～70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 48兆赫 第三泛音 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QTM325-66.000MBE-T QST QTM325-66.000MBE-T 0.7128
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 ECAD 9278 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532G-24.000MAAJ-T QST QT532G-24.000MAAJ-T 0.2592
询价
 ECAD 4055 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-26.000MEHQ-T QST QT325S-26.000MEHQ-T 0.2916
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 ECAD 8252 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±10ppm
QT325S-16.000MEHE-T QST QT325S-16.000MEHE-T 0.2916
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 ECAD 3664 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±10ppm
QT325S-38.400METQ-T QST QT325S-38.400METQ-T 0.3078
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 ECAD 5201 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -30℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 38.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT216S-16.000MAHQ-T QST QT216S-16.000MAHQ-T 0.3564
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 ECAD 第3052章 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 120欧姆 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-25.000MEIE-T QST QT252S-25.000MEIE-T 0.3564
询价
 ECAD 第1671章 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM325-33.333MBE-T QST QTM325-33.333MBE-T 0.7128
询价
 ECAD 4554 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49-36.000MEEJ-B QST QT49-36.000MEEJ-B 0.1701
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 ECAD 3407 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃～70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 36兆赫 第三泛音 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QT532G-16.000MDAV-T QST QT532G-16.000MDAV-T 0.2592
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 ECAD 2351 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 8皮法 ±30ppm ±20ppm
QTM325-75.000MBE-T QST QTM325-75.000MBE-T 2.1400
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 ECAD 9736 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 75兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-75.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-48.000MBP-T QST QTS750C-48.000MBP-T 7.0000
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 ECAD 9128 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT532G-20.000MAAE-T QST QT532G-20.000MAAE-T 0.2133
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 ECAD 7594 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-32.000MBE-T QST QTM532-32.000MBE-T 0.7128
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 ECAD 7080 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT3CT-32.768KDZA-T QST QT3CT-32.768KDZA-T 0.4860
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 ECAD 2416 0.00000000 QST QT3CT 卷带式 (TR) 的积极 70欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.059英寸宽（3.20毫米x 1.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 3-SMD，无铅 kHz晶体（音叉） 32.768 kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 4皮法 - ±20ppm
QTM750-32.768MDE-T QST QTM750-32.768MDE-T 0.7290
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 ECAD 7408 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49-20.480MBBK-B QST QT49-20.480MBBK-B 0.1377
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 ECAD 5974 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃～70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 20.48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QTM532P-25.000MBE-T QST QTM532P-25.000MBE-T -
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 ECAD 9863 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532P-25.000MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-33.000MBE-T QST QTM532-33.000MBE-T 0.7128
询价
 ECAD 5901 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-30.720MBP-T QST QTS750C-30.720MBP-T 8.5050
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 ECAD 6794 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
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    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库

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