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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | ESR(串联电阻) | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 运行模式 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 负载电容 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) | 频率容差 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QT325G-19.200MAGJ-T | 0.2106 | ![]() | 3590 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 19.2兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 18皮法 | ±50ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTM532D-25.000MBE-T | - | ![]() | 6576 | 0.00000000 | QST | QTM532D | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | LVDS | 3.3V | 下载 | 3001-QTM532D-25.000MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 50毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | QTM750-35.328MBA-T | 1.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 35.328兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM750-35.328MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT161-16.369MBG-T | 1.2000年 | ![]() | 8786 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 16.369兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM216-30.000MBE-T | 0.5867 | ![]() | 4169 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 30兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM252-2.048MCE-T | 0.5867 | ![]() | 8382 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 2.048兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM325-1.000MDE-T | 0.5867 | ![]() | 8985 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 1兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM750-62.500MCE-T | 0.7290 | ![]() | 4179 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 62.5兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM532-75.000MBE-T | 2.1400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 75兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532-75.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | QT49-15.000MABK-B | 0.1377 | ![]() | 5358 | 0.00000000 | QST | QT49 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 30欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) | 0.145英寸(3.68毫米) | 通孔 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 15兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0050 | 1,000 | 20皮法 | ±50ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTK325-32.768KBE-T | 0.7070 | ![]() | 3151 | 0.00000000 | QST | QTK325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32.768 kHz | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0010 | 3,000 | 启用/禁用 | 3毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTO107-20.000MBT-T | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | QST | QTO107 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.382英寸长x 0.295英寸宽(9.70毫米x 7.50毫米) | 0.222英寸(5.65毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 空气晶振 | 20兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 10 | - | 170毫安 | 水晶 | ±15ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM252E-40.000MCM-T | 1.0530 | ![]() | 9666 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM750-25.000MDE-T | 1.4300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM750-25.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | QTM750-65.536MDE-T | 0.7290 | ![]() | 第1482章 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 65.536兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT2C-32.768KAZF-T | 0.2025 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | QST | QT2C期 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 90欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.047 英寸宽(2.00 毫米 x 1.20 毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | kHz晶体(音叉) | 32.768 kHz | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0010 | 3,000 | 12.5pF | - | - | |||||||||||||
![]() | QT325G-24.576MDDE-T | 0.2268 | ![]() | 7033 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 24.576兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 12皮法 | ±20ppm | ±20ppm | |||||||||||||
![]() | QT49-27.000MAAJ-B | 0.2101 | ![]() | 4400 | 0.00000000 | QST | QT49 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 30欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) | 0.145英寸(3.68毫米) | 通孔 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 27兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 18皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QT325S-14.31818MAHE-T | 0.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 80欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 14.31818兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 12皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QT325G-12.000MDDV-T | - | ![]() | 4261 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 100欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 12兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 8皮法 | ±20ppm | ±20ppm | |||||||||||||
![]() | QT49S-24.576MEEJ-T | 0.1863 | ![]() | 8074 | 0.00000000 | QST | QT49S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 30欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) | - | 表面贴装 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 24.576兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 18皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT532G-24.576MAAJ-T | 0.7200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | QST | QT532G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.053英寸(1.35毫米) | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | MHz晶体 | 24.576兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | 18皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QT325G-12.288MEEV-T | 0.2430 | ![]() | 6265 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 100欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 12.288兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0050 | 3,000 | 8皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT216S-38.400MEEV-T | 0.4050 | ![]() | 8478 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 38.4兆赫 | 基本的 | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 8皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTM252E-38.400MCJ-T | 0.9720 | ![]() | 7473 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT325S-26.000MEEC-T | 0.2916 | ![]() | 8641 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 26兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 9pF | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT252S-30.000MDHQ-T | - | ![]() | 4448 | 0.00000000 | QST | QT252S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.022英寸(0.55毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 30兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 10皮法 | ±30ppm | ±20ppm | |||||||||||||
![]() | QT325G-25.000MAAQ-T | 0.4300 | ![]() | 72 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 25兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QT325G-25.000MAAQ-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 10皮法 | ±30ppm | ±30ppm | ||||||||||||
![]() | QT216S-48.000METE-T | 0.7200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 48兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QT216S-48.000METE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 12皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||
![]() | QTM216-133.000MBE-T | - | ![]() | 6094 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 133兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-133.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - |

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