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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联电阻) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QT325G-19.200MAGJ-T QST QT325G-19.200MAGJ-T 0.2106
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ECAD 3590 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QTM532D-25.000MBE-T QST QTM532D-25.000MBE-T -
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ECAD 6576 0.00000000 QST QTM532D 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM532D-25.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-35.328MBA-T QST QTM750-35.328MBA-T 1.7200
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ECAD 1 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 35.328兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM750-35.328MBA-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTT161-16.369MBG-T QST QTT161-16.369MBG-T 1.2000年
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ECAD 8786 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM216-30.000MBE-T QST QTM216-30.000MBE-T 0.5867
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ECAD 4169 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-2.048MCE-T QST QTM252-2.048MCE-T 0.5867
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ECAD 8382 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-1.000MDE-T QST QTM325-1.000MDE-T 0.5867
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ECAD 8985 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 1兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-62.500MCE-T QST QTM750-62.500MCE-T 0.7290
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ECAD 4179 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-75.000MBE-T QST QTM532-75.000MBE-T 2.1400
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-75.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49-15.000MABK-B QST QT49-15.000MABK-B 0.1377
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ECAD 5358 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 15兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 20皮法 ±50ppm ±30ppm
QTK325-32.768KBE-T QST QTK325-32.768KBE-T 0.7070
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ECAD 3151 0.00000000 QST QTK325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTO107-20.000MBT-T QST QTO107-20.000MBT-T -
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ECAD 2315 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.382英寸长x 0.295英寸宽(9.70毫米x 7.50毫米) 0.222英寸(5.65毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 空气晶振 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 10 - 170毫安 水晶 ±15ppb - - -
QTM252E-40.000MCM-T QST QTM252E-40.000MCM-T 1.0530
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ECAD 9666 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-25.000MDE-T QST QTM750-25.000MDE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM750-25.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-65.536MDE-T QST QTM750-65.536MDE-T 0.7290
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ECAD 第1482章 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 65.536兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT2C-32.768KAZF-T QST QT2C-32.768KAZF-T 0.2025
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ECAD 3775 0.00000000 QST QT2C期 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.047 英寸宽(2.00 毫米 x 1.20 毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 基本的 下载 EAR99 8541.60.0010 3,000 12.5pF - -
QT325G-24.576MDDE-T QST QT325G-24.576MDDE-T 0.2268
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ECAD 7033 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QT49-27.000MAAJ-B QST QT49-27.000MAAJ-B 0.2101
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ECAD 4400 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-14.31818MAHE-T QST QT325S-14.31818MAHE-T 0.6400
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 14.31818兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-12.000MDDV-T QST QT325G-12.000MDDV-T -
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ECAD 4261 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QT49S-24.576MEEJ-T QST QT49S-24.576MEEJ-T 0.1863
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ECAD 8074 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QT532G-24.576MAAJ-T QST QT532G-24.576MAAJ-T 0.7200
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ECAD 13 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-12.288MEEV-T QST QT325G-12.288MEEV-T 0.2430
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ECAD 6265 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12.288兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT216S-38.400MEEV-T QST QT216S-38.400MEEV-T 0.4050
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ECAD 8478 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 38.4兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM252E-38.400MCJ-T QST QTM252E-38.400MCJ-T 0.9720
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ECAD 7473 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 38.4兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-26.000MEEC-T QST QT325S-26.000MEEC-T 0.2916
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ECAD 8641 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±10ppm ±10ppm
QT252S-30.000MDHQ-T QST QT252S-30.000MDHQ-T -
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ECAD 4448 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±20ppm
QT325G-25.000MAAQ-T QST QT325G-25.000MAAQ-T 0.4300
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ECAD 72 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325G-25.000MAAQ-TTR 8541.60.0060 1 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT216S-48.000METE-T QST QT216S-48.000METE-T 0.7200
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ECAD 80 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT216S-48.000METE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 12皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM216-133.000MBE-T QST QTM216-133.000MBE-T -
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ECAD 6094 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 133兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-133.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库