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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联电阻) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QTM216E-27.000MCJ-T QST QTM216E-27.000MCJ-T -
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ECAD 2479 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 27兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-16.000MEIJ-T QST QT325S-16.000MEIJ-T 0.5700
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT325S-16.000MEIJ-TTR 1 18皮法 ±20ppm ±10ppm
QT216S-39.000MEIQ-T QST QT216S-39.000MEIQ-T 0.7200
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ECAD 6 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 39兆赫 基本的 下载 3001-QT216S-39.000MEIQ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM252J-8.000MBJ-T QST QTM252J-8.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-8.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTT161-19.200MBN-T QST QTT161-19.200MBN-T 1.0667
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ECAD 3898 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252-20.000MBE-T QST QTM252-20.000MBE-T 0.5867
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ECAD 8759 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-60.000MCE-T QST QTM750-60.000MCE-T 0.7290
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ECAD 7432 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 60兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-20.000MDDI-T QST QT325S-20.000MDDI-T 0.2754
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ECAD 8909 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 16皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325G-8.000MDDQ-T QST QT325G-8.000MDDQ-T -
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ECAD 4126 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 8兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±20ppm
QT252S-54.000MAAE-T QST QT252S-54.000MAAE-T -
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ECAD 3134 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 54兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-60.000MDE-T QST QTM532-60.000MDE-T 0.5867
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ECAD 4153 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 60兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT5C-32.768KDZY-T QST QT5C-32.768KDZY-T -
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ECAD 6133 0.00000000 QST QT5C 卷带式 (TR) 的积极 70欧姆 -40℃~85℃ - 0.190英寸长x 0.071英寸宽(4.90毫米x 1.80毫米) 0.039英寸(1.00毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT5C-32.768KDZY-TTR 8541.60.0010 3,000 7皮法 - ±20ppm
QT49S-26.000MAAJ-T QST QT49S-26.000MAAJ-T 0.1539
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ECAD 3333 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-30.000MEEQ-T QST QT325S-30.000MEEQ-T 0.5700
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ECAD 6 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 3001-QT325S-30.000MEEQ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM325-80.000MCE-T QST QTM325-80.000MCE-T -
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ECAD 9654 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 80兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-80.000MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-75.000MCE-T QST QTM532-75.000MCE-T -
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ECAD 7813 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM532-75.000MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-18.432MDE-T QST QTM750-18.432MDE-T 0.7290
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ECAD 4613 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 18.432兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-50.000MDIJ-T QST QT325S-50.000MDIJ-T 0.2916
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ECAD 5343 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 50兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM216E-37.400MBM-T QST QTM216E-37.400MBM-T -
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ECAD 2060 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 37.4兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT216-38.400MDG-T QST QTT216-38.400MDG-T 1.2960
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ECAD 3326 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT325G-18.432MAHQ-T QST QT325G-18.432MAHQ-T 0.2106
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ECAD 6491 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 18.432兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT532S-16.384MEEQ-T QST QT532S-16.384MEEQ-T 0.4536
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ECAD 3222 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.384兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM252-125.000MDE-T QST QTM252-125.000MDE-T -
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ECAD 5151 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM252-125.000MDE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49S-19.6608MAGJ-T QST QT49S-19.6608MAGJ-T 0.1267
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ECAD 3204 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -40℃~85℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 19.6608兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QT325S-24.000MEEQ-T QST QT325S-24.000MEEQ-T -
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ECAD 2938 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT49-16.000MDDV-B QST QT49-16.000MDDV-B 0.1458
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ECAD 3606 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325S-32.000MEEC-T QST QT325S-32.000MEEC-T -
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ECAD 9741 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±10ppm ±10ppm
QTM750-133.000MBE-T QST QTM750-133.000MBE-T 3.5700
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 133兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM750-133.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532S-16.384MBBK-T QST QT532S-16.384MBBK-T 0.4050
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ECAD 6305 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.384兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 20皮法 ±50ppm ±50ppm
QT161S-37.400MEEC-T QST QT161S-37.400MEEC-T 0.4212
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ECAD 2223 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - ±10ppm ±10ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库