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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QTM750-80.000MDE-T QST QTM750-80.000MDE-T 0.7333
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ECAD 7151 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 80兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-32.000MAHK-T QST QT325S-32.000MAHK-T 0.2592
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ECAD 第1679章 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 20皮法 ±30ppm ±30ppm
QT532G-12.288MBGJ-T QST QT532G-12.288MBGJ-T 0.2592
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ECAD 5315 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 12.288兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 18皮法 ±50ppm ±50ppm
QTM325-60.000MDE-T QST QTM325-60.000MDE-T 0.7128
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ECAD 5265 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 60兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT252S-26.000MDIC-T QST QT252S-26.000MDIC-T 0.3564
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ECAD 4993 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±20ppm ±20ppm
QTM532-98.304MCE-T QST QTM532-98.304MCE-T -
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ECAD 7053 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM532-98.304MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532D-200.000MBE-T QST QTM532D-200.000MBE-T 4.2900
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ECAD 100 0.00000000 QST QTM532D 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 200兆赫 LVDS 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532D-200.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-1.8432MDE-T QST QTM750-1.8432MDE-T 0.6000
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ECAD 6663 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 1.8432兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-8.000MDE-T QST QTM750-8.000MDE-T 0.6000
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ECAD 3912 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 8兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-10.000MCE-T QST QTM750-10.000MCE-T 0.6000
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ECAD 2267 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-3.6864MBD-T QST QTM750-3.6864MBD-T 0.7776
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ECAD 9700 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 3.6864兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM532-40.000MBB-T QST QTM532-40.000MBB-T 1.5700
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ECAD 30 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM532-40.000MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-75.000MDE-T QST QTM216-75.000MDE-T -
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ECAD 7053 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-75.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT216-16.368MBN-T QST QTT216-16.368MBN-T -
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ECAD 4807 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.368兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252-12.288MDE-T QST QTM252-12.288MDE-T 0.7128
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ECAD 3864 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 12.288兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT325-16.369MBG-T QST QTT325-16.369MBG-T 1.1340
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ECAD 8796 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM532P-66.660MBE-T QST QTM532P-66.660MBE-T -
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ECAD 5070 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 66.66兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532P-66.660MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750P-75.000MBD-T QST QTM750P-75.000MBD-T 2.5920
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ECAD 8477 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750-1.000MCE-T QST QTM750-1.000MCE-T 0.6000
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ECAD 3883 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 1兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT216-40.000MDG-T QST QTT216-40.000MDG-T 1.0667
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ECAD 第1332章 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 40兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM216-27.000MBE-T QST QTM216-27.000MBE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 27兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-27.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-24.576MDE-T QST QTM325-24.576MDE-T 0.7128
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ECAD 5956 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-20.000MCM-T QST QTM216E-20.000MCM-T 0.8667
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ECAD 5518 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-77.760MDE-T QST QTM325-77.760MDE-T -
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ECAD 8685 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-77.760MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-98.304MBE-T QST QTM750-98.304MBE-T 0.7333
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ECAD 5994 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-32.768MDE-T QST QTM216-32.768MDE-T 0.5867
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ECAD 6514 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-49.152MBP-T QST QTS750C-49.152MBP-T 7.0000
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ECAD 9060 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 49.152兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT216G-40.000MEEC-T QST QT216G-40.000MEEC-T 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽(2.05毫米x 1.65毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±10ppm ±10ppm
QTT325-16.367667MBN-T QST QTT325-16.367667MBN-T 2.2900
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ECAD 8232 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.367667兆赫 削波正弦波 3.3V - 3001-QTT325-16.367667MBN-TTR 1 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252J-161.1328MBJ-T QST QTM252J-161.1328MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 161.1328兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-161.1328MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
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