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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联电阻) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QTM216E-20.000MBJ-T QST QTM216E-20.000MBJ-T 0.8000
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ECAD 9623 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-62.500MDE-T QST QTM532-62.500MDE-T 1.4300
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ECAD 30 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-62.500MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-166.000MBJ-T QST QTM252J-166.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 166兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-166.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTT325-38.400MBG-T QST QTT325-38.400MBG-T 0.9333
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ECAD 7533 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM532-20.480MCE-T QST QTM532-20.480MCE-T 0.7128
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ECAD 2314 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20.48兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-80.000MDE-T QST QTM325-80.000MDE-T -
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ECAD 5829 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 80兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-80.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-100.000MCE-T QST QTM532-100.000MCE-T -
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ECAD 4832 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 100兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-100.000MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-37.400MDM-T QST QTM216E-37.400MDM-T -
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ECAD 5608 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 37.4兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTO107-20.000MBV-T QST QTO107-20.000MBV-T -
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ECAD 3318 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.382英寸长x 0.295英寸宽(9.70毫米x 7.50毫米) 0.222英寸(5.65毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 空气晶振 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 10 - 170毫安 水晶 ±10ppb - - -
QT325S-40.500MAAQ-T QST QT325S-40.500MAAQ-T 0.2430
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ECAD 5525 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 40.5兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT3C-32.768KAZB-T QST QT3C-32.768KAZB-T 0.1500
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ECAD 2956 0.00000000 QST QT3C 卷带式 (TR) 的积极 70欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.059英寸宽(3.20毫米x 1.50毫米) 0.033英寸(0.85毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 基本的 下载 EAR99 8541.60.0010 3,000 6pF - ±30ppm
QT216G-20.736MEDC -T QST QT216G-20.736MEDC-T -
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ECAD 5427 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 200欧姆 -20℃~70℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽(2.05毫米x 1.65毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 20.736兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±20ppm ±10ppm
QTM252-80.000MBE-T QST QTM252-80.000MBE-T -
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ECAD 1294 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 80兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-80.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-100.000MCE-T QST QTM252-100.000MCE-T -
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ECAD 1231 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 100兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-100.000MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-114.285MBE-T QST QTM325-114.285MBE-T -
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ECAD 3536 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-114.285MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-25.000MCE-T QST QTM252-25.000MCE-T 0.7128
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ECAD 1974年 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-16.6670MAAE-T QST QT325S-16.6670MAAE-T 0.4400
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.667兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS532-12.800MBF-T QST QTS532-12.800MBF-T 6.4800
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ECAD 9567 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 12.8兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT252S-48.000MDIQ-T QST QT252S-48.000MDIQ-T 0.3564
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ECAD 1415 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM750-50.000MCD-T QST QTM750-50.000MCD-T 0.7776
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ECAD 2831 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT216G-24.000MEEV-T QST QT216G-24.000MEEV-T 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 200欧姆 -20℃~70℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽(2.05毫米x 1.65毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM252-48.000MDE-T QST QTM252-48.000MDE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-48.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-38.400MBM-T QST QTM216E-38.400MBM-T 2.0000
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 38.4兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532D-25.000MBE-T QST QTM532D-25.000MBE-T -
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ECAD 6576 0.00000000 QST QTM532D 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM532D-25.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-12.288MCE-T QST QTM750-12.288MCE-T 0.7290
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ECAD 5793 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 12.288兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-2.048MCE-T QST QTM252-2.048MCE-T 0.5867
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ECAD 8382 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-19.200MAGJ-T QST QT325G-19.200MAGJ-T 0.2106
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ECAD 3590 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QTM750-114.285MDE-T QST QTM750-114.285MDE-T 1.6200
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ECAD 6343 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-30.000MBE-T QST QTM216-30.000MBE-T 0.5867
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ECAD 4169 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-35.328MBB-T QST QTM750-35.328MBB-T 1.7200
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ECAD 1 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 35.328兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM750-35.328MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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