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晶体、振荡器、谐振器(3828)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR（串联电阻） 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大） 频率容差
QT325G-24.576MAHE-T QST QT325G-24.576MAHE-T 0.5700
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 ECAD 3031 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM325-2.048MDE-T QST QTM325-2.048MDE-T 0.7128
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 ECAD 第1491章 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-66.000MBE-T QST QTM750-66.000MBE-T 0.7290
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 ECAD 2394 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750-19.200MBG-T QST QTS750-19.200MBG-T 7.2900
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 ECAD 1944年 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT49-11.0592MAGJ-B QST QT49-11.0592MAGJ-B 0.1377
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 ECAD 6215 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -40℃～85℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 11.0592兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QTM325-16.384MCE-T QST QTM325-16.384MCE-T 0.7128
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 ECAD 4380 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-2.048MBJ-T QST QTM252J-2.048MBJ-T 1.7200
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 ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-2.048MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM252-50.000MCE-T QST QTM252-50.000MCE-T 0.7128
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 ECAD 8717 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 50兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-11.0592MAAE-T QST QT325G-11.0592MAAE-T 0.1944
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 ECAD 7966 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 10兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS532C-20.000MBP-T QST QTS532C-20.000MBP-T -
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 ECAD 5560 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.059英寸（1.50毫米） 表面贴装 10-SMD，无铅 温补晶振 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750-100.000MBE-T QST QTM750-100.000MBE-T 1.2663
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 ECAD 9980 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT2V-96.000KAZF-T QST QT2V-96.000KAZF-T 0.6966
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 ECAD 8693 0.00000000 QST QT2V 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.315英寸长x 0.150英寸宽（8.00毫米x 3.80毫米） 0.098英寸（2.50毫米） 表面贴装 4-SMD，J 引脚 kHz晶体（音叉） 96kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12.5pF - ±30ppm
QT325G-28.224MAAQ-T QST QT325G-28.224MAAQ-T 0.1944
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 ECAD 1806 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 28.224兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-26.000MEIY-T QST QT252S-26.000MEIY-T 0.3564
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 ECAD 8795 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 7皮法 ±20ppm ±10ppm
QT252S-12.000MAHI-T QST QT252S-12.000MAHI-T 0.3240
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 ECAD 4291 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-36.000MEIE-T QST QT325S-36.000MEIE-T 0.5700
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 36兆赫 基本的 下载 3001-QT325S-36.000MEIE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 12皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM252-66.000MCE-T QST QTM252-66.000MCE-T 0.5867
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 ECAD 7775 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-62.500MDE-T QST QTM325-62.500MDE-T 0.7128
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 ECAD 6292 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-40.000MCD-T QST QTM750-40.000MCD-T 0.7776
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 ECAD 5291 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT49S-10.000MEEJ-T QST QT49S-10.000MEEJ-T 0.2586
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 ECAD 第1678章 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃～70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 10兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QT216S-19.200MAAE-T QST QT216S-19.200MAAE-T 0.6000
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -20℃～70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252E-25.000MCJ-T QST QTM252E-25.000MCJ-T 0.9720
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 ECAD 4094 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325S-100.000MBE-T QST QTM325S-100.000MBE-T -
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 ECAD 7677 0.00000000 QST QTM325S 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.041英寸（1.05毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 HCSL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325S-100.000MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-112.000MBE-T QST QTM750-112.000MBE-T 1.5390
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 ECAD 2914 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT1C-32.768KAZY-T QST QT1C-32.768KAZY-T 0.8600
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 ECAD 4 0.00000000 QST QT1C期 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -40℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.039英寸宽（1.60毫米x 1.00毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 kHz晶体（音叉） 32.768 kHz 基本的 下载 EAR99 8541.60.0010 1 7皮法 - ±20ppm
QT325G-55.46667MAAQ-T QST QT325G-55.46667MAAQ-T 0.1944
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 ECAD 5115 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 55.46667兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM750-120.000MBE-T QST QTM750-120.000MBE-T 1.5390
询价
 ECAD 8709 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 120兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-1.000MDE-T QST QTM532-1.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 2202 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 1兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT252S-16.000MDDQ-T QST QT252S-16.000MDDQ-T 0.3240
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 ECAD 2264 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 10皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM750-33.000MBD-T QST QTM750-33.000MBD-T 0.7776
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 ECAD 5570 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
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    2000+

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    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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  • In-stock Warehouse

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