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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QT252S-26.000MDHB-T QST QT252S-26.000MDHB-T 0.3240
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ECAD 8263 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 6pF ±30ppm ±20ppm
QTM216E-40.000MBM-T QST QTM216E-40.000MBM-T 2.0000
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ECAD 3 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT161S-40.000MEEV-T QST QT161S-40.000MEEV-T -
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ECAD 5297 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT216S-48.000MAHQ-T QST QT216S-48.000MAHQ-T 0.7000
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ECAD 2 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252E-30.000MBE-T QST QTM252E-30.000MBE-T 0.7333
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ECAD 3792 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-106.250MBE-T QST QTM750-106.250MBE-T 1.5390
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ECAD 7001 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 106.25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-28.000MDDV-T QST QT325G-28.000MDDV-T 0.2268
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ECAD 9242 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 28兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM532-25.000MBD-T QST QTM532-25.000MBD-T 0.7776
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ECAD 2751 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT252S-16.000MDDV-T QST QT252S-16.000MDDV-T 0.3240
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ECAD 7461 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QT252S-16.000MEIQ-T QST QT252S-16.000MEIQ-T 0.3564
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ECAD 3151 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QT216S-25.000MAAV-T QST QT216S-25.000MAAV-T 0.7200
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ECAD 90 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT216S-25.000MAAV-TTR 8541.60.0060 1 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM216-66.000MBE-T QST QTM216-66.000MBE-T -
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ECAD 5969 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-66.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-13.52127MAAQ-T QST QT325S-13.52127MAAQ-T 0.2430
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ECAD 3484 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 13.52127兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT161S-32.000MAAE-T QST QT161S-32.000MAAE-T -
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ECAD 5244 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-40.000MAAQ-T QST QT252S-40.000MAAQ-T 0.3240
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ECAD 4881 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS750-38.880MBG-T QST QTS750-38.880MBG-T 7.2900
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ECAD 2329 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 38.88兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT325S-11.0592MDIE-T QST QT325S-11.0592MDIE-T 0.2916
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ECAD 1894年 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 11.0592兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QT216S-37.400MEEC-T QST QT216S-37.400MEEC-T 0.4050
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ECAD 3667 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±10ppm ±10ppm
QTS750C-30.000MBG-T QST QTS750C-30.000MBG-T 7.2900
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ECAD 7375 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 30兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT325G-24.576MAHE-T QST QT325G-24.576MAHE-T 0.5700
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ECAD 3031 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM325-2.048MDE-T QST QTM325-2.048MDE-T 0.7128
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ECAD 第1491章 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-66.000MBE-T QST QTM750-66.000MBE-T 0.7290
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ECAD 2394 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750-19.200MBG-T QST QTS750-19.200MBG-T 7.2900
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ECAD 1944年 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT49-11.0592MAGJ-B QST QT49-11.0592MAGJ-B 0.1377
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ECAD 6215 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -40℃~85℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 11.0592兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QTM325-16.384MCE-T QST QTM325-16.384MCE-T 0.7128
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ECAD 4380 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-2.048MBJ-T QST QTM252J-2.048MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-2.048MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM252-50.000MCE-T QST QTM252-50.000MCE-T 0.7128
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ECAD 8717 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-11.0592MAAE-T QST QT325G-11.0592MAAE-T 0.1944
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ECAD 7966 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 10兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS532C-20.000MBP-T QST QTS532C-20.000MBP-T -
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ECAD 5560 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750-100.000MBE-T QST QTM750-100.000MBE-T 1.2663
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ECAD 9980 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 100兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库