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晶体、振荡器、谐振器(3828)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR（串联串联） 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大） 频率容差
QT325S-10.000MAHV-T QST QT325S-10.000MAHV-T -
询价
 ECAD 1800 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 10兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-36.000MDDI-T QST QT325S-36.000MDDI-T 0.2754
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 ECAD 4111 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 36兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM750-2.048MDE-T QST QTM750-2.048MDE-T 0.7290
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 ECAD 7372 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT252S-24.000MDHJ-T QST QT252S-24.000MDHJ-T 0.3240
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 ECAD 4432 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±30ppm ±20ppm
QT325G-16.670MAHV-T QST QT325G-16.670MAHV-T 0.2106
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 ECAD 1386 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 16.67兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-38.400MAAV-T QST QT325G-38.400MAAV-T 0.1944
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 ECAD 7323 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 38.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QTV750P-155.520MBB-T QST QTV750P-155.520MBB-T 5.2650
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 ECAD 9650 0.00000000 QST QTV750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶体振荡器 155.52兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 - ±50ppm - -
QTM252E-30.000MCM-T QST QTM252E-30.000MCM-T 1.0530
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 ECAD 4932 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-62.500MDE-T QST QTM252-62.500MDE-T 1.4300
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 ECAD 50 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-62.500MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-24.576MBG-T QST QTS750C-24.576MBG-T 7.2900
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 ECAD 3077 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT325-16.369MBN-T QST QTT325-16.369MBN-T 0.9720
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 ECAD 8402 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252-22.5792MBA-T QST QTM252-22.5792MBA-T 1.4300
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 ECAD 85 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 22.5792兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-22.5792MBA-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750P-150.000MBD-T QST QTM750P-150.000MBD-T 3.2400
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 ECAD 2198 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 150兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252E-38.400MCM-T QST QTM252E-38.400MCM-T 1.0530
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 ECAD 6905 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV325P-155.520MBB-T QST QTV325P-155.520MBB-T 6.0750
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 ECAD 3260 0.00000000 QST QTV325P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.038英寸（0.96毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶体振荡器 155.52兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 - ±50ppm - -
QT252S-40.000MDDE-T QST QT252S-40.000MDDE-T 0.3240
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 ECAD 2663 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QTS750-25.000MBG-T QST QTS750-25.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 8214 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT252S-32.000MAHE-T QST QT252S-32.000MAHE-T -
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 ECAD 7216 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-24.000MEEQ-T QST QT325G-24.000MEEQ-T 0.2430
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 ECAD 6388 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325S-12.000MEEQ-T QST QT325S-12.000MEEQ-T 0.5700
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 ECAD 6 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-12.000MEEQ-TTR 8541.60.0050 1 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTS532C-12.800MBP-T QST QTS532C-12.800MBP-T 7.6950
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 ECAD 7869 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.059英寸（1.50毫米） 表面贴装 10-SMD，无铅 温补晶振 12.8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT532G-20.000MAAK-T QST QT532G-20.000MAAK-T 0.2133
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 ECAD 1286 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM750-125.000MCE-T QST QTM750-125.000MCE-T 1.6200
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 ECAD 1278 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 125兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-10.000MBP-T QST QTS750C-10.000MBP-T 8.5050
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 ECAD 8466 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 10兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM532-33.000MDE-T QST QTM532-33.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 2081 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-20.000MEIV-T QST QT325S-20.000MEIV-T 0.5700
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 ECAD 1 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-20.000MEIV-TTR 8541.60.0050 1 8皮法 ±20ppm ±10ppm
QT216S-40.000MAHJ-T QST QT216S-40.000MAHJ-T 0.7200
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 3001-QT216S-40.000MAHJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 - ±30ppm ±30ppm
QT252S-14.31818MAAE-T QST QT252S-14.31818MAAE-T 0.5400
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 14.31818兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-20.000MAAV-T QST QT325G-20.000MAAV-T 0.3600
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT49S-14.31818MAGE-T QST QT49S-14.31818MAGE-T 0.4300
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 ECAD 2 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 - - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 14.31818兆赫 基本的 - 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QT49S-14.31818MAGE-TTR 1 12皮法 ±50ppm ±30ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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