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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QTM750P-125.000MBD-T QST QTM750P-125.000MBD-T 2.5920
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ECAD 9468 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT49S-10.000MBBK-T QST QT49S-10.000MBBK-T 0.1539
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ECAD 9117 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 10兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm -
QT49S-28.63636MAHJ-T QST QT49S-28.63636MAHJ-T 0.4300
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ECAD 100 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -40℃~85℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) 0.161英寸(4.10毫米) 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 28.63636兆赫 基本的 下载 3001-QT49S-28.63636MAHJ-TTR 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-16.000MAHJ-T QST QT252S-16.000MAHJ-T 0.6300
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ECAD 3 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT252S-16.000MAHJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM750-77.760MCE-T QST QTM750-77.760MCE-T 0.7333
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ECAD 8188 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532G-27.000MDDV-T QST QT532G-27.000MDDV-T 0.2133
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ECAD 2364 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325G-30.000MAHQ-T QST QT325G-30.000MAHQ-T 0.2106
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ECAD 4989 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-28.63636MAHE-T QST QT325S-28.63636MAHE-T 0.2592
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ECAD 8491 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 28.63636兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-50.000MDDI-T QST QT325S-50.000MDDI-T 0.2267
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ECAD 4411 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 50兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM750-33.000MDE-T QST QTM750-33.000MDE-T 0.7290
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ECAD 2224 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-14.31818MBB-T QST QTM325-14.31818MBB-T 1.5700
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ECAD 140 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 14.31818兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM325-14.31818MBB-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT252S-19.200MAAE-T QST QT252S-19.200MAAE-T 0.3240
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ECAD 6694 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM750-70.656MCD-T QST QTM750-70.656MCD-T 0.9396
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ECAD 3151 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 70.656兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT49S-24.576MBBK-T QST QT49S-24.576MBBK-T 0.1539
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ECAD 6096 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT161S-25.000MEEV-T QST QT161S-25.000MEEV-T -
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ECAD 5905 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT252S-26.000MDDQ-T QST QT252S-26.000MDDQ-T 0.3240
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ECAD 4574 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±20ppm
QT252S-16.66667MAAQ-T QST QT252S-16.66667MAAQ-T 0.3240
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ECAD 4537 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.66667兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-12.000MDIE-T QST QT325S-12.000MDIE-T 0.2916
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ECAD 4883 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QT252S-50.000MDDV-T QST QT252S-50.000MDDV-T 0.3240
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ECAD 7676 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 50兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QTM216-75.000MCE-T QST QTM216-75.000MCE-T -
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ECAD 8414 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM216-75.000MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-64.000MDDJ-T QST QT325S-64.000MDDJ-T 0.2754
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ECAD 2048 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 64兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±20ppm ±20ppm
QT532G-24.000MAAV-T QST QT532G-24.000MAAV-T 0.2592
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ECAD 3100 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 - ±30ppm ±30ppm
QT161S-26.000MAAI-T QST QT161S-26.000MAAI-T -
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ECAD 2040年 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS750-25.000MBO-T QST QTS750-25.000MBO-T 8.5050
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ECAD 5330 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM252J-27.000MBJ-T QST QTM252J-27.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 27兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-27.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTS532-20.000MBP-T QST QTS532-20.000MBP-T 7.6950
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ECAD 7305 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 20兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750P-106.250MBD-T QST QTM750P-106.250MBD-T 2.5920
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ECAD 9984 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 106.25兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM325-33.000MCE-T QST QTM325-33.000MCE-T 0.7128
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ECAD 8320 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT161S-27.000MAAJ-T QST QT161S-27.000MAAJ-T -
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ECAD 4852 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS750C-54.000MBG-T QST QTS750C-54.000MBG-T 6.0000
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ECAD 3648 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 54兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库