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晶体、振荡器、谐振器(3828)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR（串联电阻） 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大） 频率容差
QTS532C-38.880MBG-T QST QTS532C-38.880MBG-T 6.4800
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 ECAD 7335 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.059英寸（1.50毫米） 表面贴装 10-SMD，无铅 温补晶振 38.88兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT252-25.000MBG-T QST QTT252-25.000MBG-T 1.1340
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 ECAD 8677 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT325S-36.000MAHE-T QST QT325S-36.000MAHE-T 0.2592
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 ECAD 8026 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 36兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-16.384MCE-T QST QTM532-16.384MCE-T 0.5867
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 ECAD 2023年 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-155.520MDE-T QST QTM532-155.520MDE-T -
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 ECAD 7883 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 155.52兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-155.520MDE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49S-9.84375MBGQ-T QST QT49S-9.84375MBGQ-T 0.1539
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 ECAD 6487 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃～85℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 9.84375兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 10皮法 ±50ppm ±50ppm
QTS750-19.440MBO-T QST QTS750-19.440MBO-T -
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 ECAD 3886 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 19.44兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM325-106.250MDE-T QST QTM325-106.250MDE-T -
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 ECAD 8285 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 106.25兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-106.250MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750P-133.330MBD-T QST QTM750P-133.330MBD-T 2.5920
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 ECAD 8945 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 133.33兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM216E-20.000MDM-T QST QTM216E-20.000MDM-T 2.0000
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532P-156.250MBE-T QST QTM532P-156.250MBE-T -
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 ECAD 3200 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 156.25兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532P-156.250MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532P-125.000MBD-T QST QTM532P-125.000MBD-T 3.6450
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 ECAD 7697 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 125兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750DH-212.500MBE-T QST QTM750DH-212.500MBE-T -
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 ECAD 3946 0.00000000 QST QTM750DH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.074英寸（1.88毫米） 表面贴装 8-SMD，无铅 XO（标准） 212.5兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM750DH-212.500MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 100毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-33.000MBE-T QST QTM750-33.000MBE-T 0.7290
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 ECAD 3491 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750DH-200.000MBE-T QST QTM750DH-200.000MBE-T 5.0000
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 ECAD 95 0.00000000 QST QTM750DH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.074英寸（1.88毫米） 表面贴装 8-SMD，无铅 XO（标准） 200兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM750DH-200.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 100毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT2V-38.000KAZF-T QST QT2V-38.000KAZF-T 0.6966
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 ECAD 2513 0.00000000 QST QT2V 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.315英寸长x 0.150英寸宽（8.00毫米x 3.80毫米） 0.098英寸（2.50毫米） 表面贴装 4-SMD，J 引脚 kHz晶体（音叉） 38kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12.5pF - ±30ppm
QT252S-48.000MDHQ-T QST QT252S-48.000MDHQ-T 0.3240
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 ECAD 8978 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±20ppm
QTM532-112.000MCE-T QST QTM532-112.000MCE-T -
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 ECAD 6379 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-112.000MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-20.000MCJ-T QST QTM252E-20.000MCJ-T 0.9720
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 ECAD 9261 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-13.000MAHV-T QST QT325S-13.000MAHV-T 0.2592
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 ECAD 6331 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 13兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252-66.000MBE-T QST QTM252-66.000MBE-T 0.5867
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 ECAD 8877 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-2.048MBD-T QST QTM750-2.048MBD-T 0.6400
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 ECAD 5759 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252J-24.000MBJ-T QST QTM252J-24.000MBJ-T 1.7200
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-24.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QT252S-26.000MDHY-T QST QT252S-26.000MDHY-T 0.3240
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 ECAD 7717 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 7皮法 ±30ppm ±20ppm
QTT216-38.400MBN-T QST QTT216-38.400MBN-T 1.1340
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 ECAD 2558 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QT49-64.000MAAJ-B QST QT49-64.000MAAJ-B 0.1377
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 ECAD 7023 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 64兆赫 第三泛音 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252-77.760MCE-T QST QTM252-77.760MCE-T -
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 ECAD 2945 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-77.760MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTK325-32.768KBA-T QST QTK325-32.768KBA-T 1.5700
询价
 ECAD 3 0.00000000 QST QTK325 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 1 启用/禁用 3毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT325G-14.7456MAAQ-T QST QT325G-14.7456MAAQ-T 0.1944
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 ECAD 8987 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 14.7456兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 - ±30ppm -
QTM750-49.152MBA-T QST QTM750-49.152MBA-T 1.7200
询价
 ECAD 1 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 49.152兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM750-49.152MBA-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
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    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库

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