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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QT532S-50.000MAAJ-T QST QT532S-50.000MAAJ-T 0.7200
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ECAD 第774章 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 120欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 50兆赫 第三泛音 - 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-16.000MAHK-T QST QT325S-16.000MAHK-T 0.2592
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ECAD 8003 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 20pF ±30ppm ±30ppm
QTM252J-125.000MBJ-T QST QTM252J-125.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-125.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QT49-24.000MAAJ-B QST QT49-24.000MAAJ-B 0.2101
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ECAD 6045 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT216S-24.576MAAV-T QST QT216S-24.576MAAV-T 0.3240
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ECAD 3183 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-20.000MDHV-T QST QT325G-20.000MDHV-T 0.2268
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ECAD 4372 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 8皮法 ±30ppm ±20ppm
QT49-9.8304MBBK-B QST QT49-9.8304MBBK-B 0.1377
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ECAD 7171 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 9.8304兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT216S-40.000MEEQ-T QST QT216S-40.000MEEQ-T 0.4050
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ECAD 9722 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM216E-33.333MBJ-T QST QTM216E-33.333MBJ-T 0.9720
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ECAD 5607 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTK532-32.768KDA-T QST QTK532-32.768KDA-T 0.8000
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ECAD 9574 0.00000000 QST QTK532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 1,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252J-8.192MDJ-T QST QTM252J-8.192MDJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 8.192兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM252J-8.192MDJ-TTR 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QT216S-27.000MAAE-T QST QT216S-27.000MAAE-T 0.6000
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ECAD 3 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -20℃~70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-24.000MBE-T QST QTM532-24.000MBE-T 0.7128
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ECAD 4429 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-16.384MDE-T QST QTM750-16.384MDE-T 0.7290
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ECAD 5400 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532S-40.000MBBK-T QST QT532S-40.000MBBK-T 0.4050
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ECAD 3297 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 120欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 40兆赫 第三泛音 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT161S-25.000MEII-T QST QT161S-25.000MEII-T -
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ECAD 9911 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM252E-33.333MDE-T QST QTM252E-33.333MDE-T 0.8910
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ECAD 1034 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-40.000MDE-T QST QTM252-40.000MDE-T 0.7128
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ECAD 3340 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-20.000MBE-T QST QTM252E-20.000MBE-T 0.8910
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ECAD 3131 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT252S-24.576MAAJ-T QST QT252S-24.576MAAJ-T 0.9000
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ECAD 6 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS750-20.000MBF-T QST QTS750-20.000MBF-T 7.2900
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ECAD 9283 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 20兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-33.33330MBB-T QST QTM750-33.33330MBB-T 1.7200
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ECAD 3 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.3333兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM750-33.33330MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.000MBJ-T QST QTM252E-24.000MBJ-T 0.9720
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ECAD 4059 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750-38.880MBO-T QST QTS750-38.880MBO-T 8.5050
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ECAD 6395 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 38.88兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTS532C-12.800MBO-T QST QTS532C-12.800MBO-T 7.6950
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ECAD 9708 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 VCTCXO 12.8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT325S-25.000MDDK-T QST QT325S-25.000MDDK-T 0.2754
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ECAD 8387 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 20pF ±20ppm ±20ppm
QT161S-32.000MAAQ-T QST QT161S-32.000MAAQ-T -
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ECAD 6238 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QT532S-16.384MAAJ-T QST QT532S-16.384MAAJ-T 0.7200
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ECAD 31 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.384兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT532S-16.384MAAJ-TTR 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-27.120MAAE-T QST QT325S-27.120MAAE-T 0.2430
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ECAD 9381 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 27.12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT1M-32.768KDZF-T QST QT1M-32.768KDZF-T 0.2045
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ECAD 5897 0.00000000 QST QT1M期 卷带式 (TR) 的积极 65欧姆 -40℃~85℃ - 0.272英寸长x 0.055英寸宽(6.90毫米x 1.40毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 12.5pF - ±20ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库