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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QT325G-14.31818MDDV-T QST QT325G-14.31818MDDV-T 0.2268
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ECAD 2214 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 14.31818兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325S-37.400MDDI-T QST QT325S-37.400MDDI-T 0.2754
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ECAD 4646 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325S-24.576MEEQ-T QST QT325S-24.576MEEQ-T -
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ECAD 第1282章 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM216-20.480MDE-T QST QTM216-20.480MDE-T 0.7128
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ECAD 4771 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20.48兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-20.000MBJ-T QST QTM252J-20.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-20.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QT216S-20.000MAHE-T QST QT216S-20.000MAHE-T 0.6000
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ECAD 2 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 90欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-19.200MAAQ-T QST QT325S-19.200MAAQ-T 0.2430
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ECAD 5386 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252E-30.000MDE-T QST QTM252E-30.000MDE-T 0.8910
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ECAD 5546 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-1.000MCE-T QST QTM252-1.000MCE-T 0.7128
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ECAD 5799 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 1兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-125.000MBE-T QST QTM252-125.000MBE-T -
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ECAD 6889 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-125.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-20.000MBM-T QST QTM216E-20.000MBM-T 2.0000
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ECAD 3972 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-27.000MCE-T QST QTM252E-27.000MCE-T 0.7333
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ECAD 1896年 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 27兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-27.000MBBK-T QST QT325S-27.000MBBK-T 0.2430
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ECAD 5074 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QTM750-1.000MDE-T QST QTM750-1.000MDE-T 0.6000
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ECAD 3295 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 1兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-25.000MCE-T QST QTM532-25.000MCE-T 0.7128
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ECAD 7901 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-33.000MCE-T QST QTM532-33.000MCE-T 0.7128
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ECAD 6738 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-80.000MCE-T QST QTM252-80.000MCE-T -
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ECAD 5721 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 80兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-80.000MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-133.000MDE-T QST QTM252-133.000MDE-T -
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ECAD 2518 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 133兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-133.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49-16.384MBBK-B QST QT49-16.384MBBK-B 0.1377
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ECAD 9682 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 16.384兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT532S-13.560MEEQ-T QST QT532S-13.560MEEQ-T 0.3788
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ECAD 1330 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 13.56兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325S-19.200MAAE-T QST QT325S-19.200MAAE-T 0.2430
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ECAD 2520 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT532S-19.200MAAJ-T QST QT532S-19.200MAAJ-T 0.4050
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ECAD 9289 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-12.000MAHV-T QST QT325S-12.000MAHV-T 0.8600
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ECAD 3248 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-12.000MAHV-TTR 8541.60.0060 1 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-14.7456MEEQ-T QST QT325G-14.7456MEEQ-T 0.2430
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ECAD 5353 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 14.7456兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325S-30.000MEEK-T QST QT325S-30.000MEEK-T 0.2916
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ECAD 3191 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 20pF ±10ppm ±10ppm
QT325S-35.328MAHE-T QST QT325S-35.328MAHE-T 0.2592
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ECAD 7198 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 35.328兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT49-19.200MAAJ-B QST QT49-19.200MAAJ-B 0.1377
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ECAD 8886 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 19.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-27.000MAGE-T QST QT325G-27.000MAGE-T 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT325G-27.000MAGE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 12皮法 ±50ppm ±30ppm
QT532G-8.000MAHV-T QST QT532G-8.000MAHV-T 0.7200
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ECAD 100 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 8兆赫 基本的 - 3001-QT532G-8.000MAHV-TTR 1 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT2M-32.768KDZF-T QST QT2M-32.768KDZF-T 0.5700
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ECAD 4364 0.00000000 QST QT2M 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.315英寸长x 0.150英寸宽(8.00毫米x 3.80毫米) 0.098英寸(2.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT2M-32.768KDZF-TTR 8541.60.0010 1 12.5pF - ±20ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库