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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联串联) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QT161S-37.400MAAI-T QST QT161S-37.400MAAI-T -
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ECAD 7076 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QTK252-32.768KDE-T QST QTK252-32.768KDE-T 0.4860
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ECAD 3495 0.00000000 QST QTK252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-156.250MCE-T QST QTM750-156.250MCE-T 2.2680
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ECAD 7771 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 156.25兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-125.000MDE-T QST QTM216-125.000MDE-T -
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ECAD 7779 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-125.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-48.000MDE-T QST QTM216-48.000MDE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM216-48.000MDE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-30.000MEIQ-T QST QT325S-30.000MEIQ-T 0.3078
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ECAD 6037 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM216-50.000MCE-T QST QTM216-50.000MCE-T 0.7128
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ECAD 6810 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-28.63636MAHE-T QST QT325G-28.63636MAHE-T 0.5200
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 28.63636兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT325G-28.63636MAHE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-16.000MEEI-T QST QT325S-16.000MEEI-T 0.2916
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ECAD 第1667章 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 16皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM252-77.760MBE-T QST QTM252-77.760MBE-T -
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ECAD 2891 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTM252-77.760MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-16.000MBD-T QST QTM325-16.000MBD-T 0.7776
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ECAD 8930 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT49S-4.9152MBBK-T QST QT49S-4.9152MBBK-T 0.1539
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ECAD 8928 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 4.9152兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20皮法 ±50ppm ±50ppm
QT216S-48.000MAHV-T QST QT216S-48.000MAHV-T 0.3564
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ECAD 8071 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-48.000MBB-T QST QTM532-48.000MBB-T 1.5700
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM532-48.000MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-26.000MAAE-T QST QT325S-26.000MAAE-T -
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ECAD 4798 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-32.000MEJQ-T QST QT325S-32.000MEJQ-T 0.5700
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ECAD 50 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT325S-32.000MEJQ-TTR 1 10皮法 ±15ppm ±10ppm
QT532G-16.000MAAE-T QST QT532G-16.000MAAE-T -
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ECAD 8657 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS532-38.880MBO-T QST QTS532-38.880MBO-T 7.6950
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ECAD 9931 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 38.88兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTS532-20.000MBO-T QST QTS532-20.000MBO-T 7.6950
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ECAD 3520 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 20兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT252S-12.000MAHQ-T QST QT252S-12.000MAHQ-T 0.3240
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ECAD 第1257章 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM252-100.000MBE-T QST QTM252-100.000MBE-T -
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ECAD 4301 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 100兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-100.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.000MBE-T QST QTM252E-24.000MBE-T 0.8910
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ECAD 8973 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-114.285MCE-T QST QTM532-114.285MCE-T -
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ECAD 6862 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-114.285MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-24.576MDE-T QST QTM750-24.576MDE-T 0.7290
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ECAD 3844 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750-20.000MBO-T QST QTS750-20.000MBO-T 8.5050
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ECAD 3432 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 20兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QT252S-12.000MAHE-T QST QT252S-12.000MAHE-T -
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ECAD 6204 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325G-25.000MEEQ-T QST QT325G-25.000MEEQ-T 0.2430
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ECAD 1228 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT532S-16.000MEEQ-T QST QT532S-16.000MEEQ-T 0.3788
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ECAD 1718 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 - 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT252S-32.000MDDV-T QST QT252S-32.000MDDV-T 0.3240
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ECAD 1041 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃~70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.022英寸(0.55毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325S-32.000MAAE-T QST QT325S-32.000MAAE-T 0.2430
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ECAD 3160 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库