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晶体、振荡器、谐振器(3828)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR（串联串联） 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大） 频率容差
QT325G-48.000MDHJ-T QST QT325G-48.000MDHJ-T 0.4300
询价
 ECAD 90 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325G-48.000MDHJ-TTR 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±20ppm
QTM750-2.048MCE-T QST QTM750-2.048MCE-T 0.7290
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 ECAD 8415 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT161S-32.000MEIQ-T QST QT161S-32.000MEIQ-T -
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 ECAD 1646 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.016英寸（0.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QT49-25.000MAAE-B QST QT49-25.000MAAE-B 0.1377
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 ECAD 3371 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃～70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT216G-27.000MDIE-T QST QT216G-27.000MDIE-T 0.4400
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 ECAD 1 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -40℃～85℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽（2.05毫米x 1.65毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QT532G-12.000MAHJ-T QST QT532G-12.000MAHJ-T 0.3394
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 ECAD 8781 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT216G-25.000MDDE-T QST QT216G-25.000MDDE-T 0.4200
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 ECAD 1 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -20℃～70℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽（2.05毫米x 1.65毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325S-16.000MEEK-T QST QT325S-16.000MEEK-T 0.2916
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 ECAD 6543 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 20pF ±10ppm ±10ppm
QT252S-27.000MEEQ-T QST QT252S-27.000MEEQ-T 1.1000
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM750-4.000MDE-T QST QTM750-4.000MDE-T -
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 ECAD 8245 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 4兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT161S-48.000MAHV-T QST QT161S-48.000MAHV-T 0.3888
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 ECAD 2567 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.016英寸（0.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-32.000MEEV-T QST QT252S-32.000MEEV-T 0.3564
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 ECAD 6650 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT49-8.000MAGS-B QST QT49-8.000MAGS-B 0.1377
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 ECAD 3661 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -40℃～85℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 8兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 30pF ±50ppm ±30ppm
QTM325-120.000MDE-T QST QTM325-120.000MDE-T -
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 ECAD 8450 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 120兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-120.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49S-4.194304MBBK-T QST QT49S-4.194304MBBK-T 0.2200
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 ECAD 1 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 150欧姆 -20℃～70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 4.194304兆赫 基本的 - EAR99 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT532S-14.31818MEEQ-T QST QT532S-14.31818MEEQ-T -
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 ECAD 6375 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.041英寸（1.05毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 14.31818兆赫 基本的 - 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1 10皮法 ±10ppm ±10ppm
QT252S-30.000MAHQ-T QST QT252S-30.000MAHQ-T 0.3240
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 ECAD 5531 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTS750C-13.000MBG-T QST QTS750C-13.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 3468 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 13兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-40.000MDE-T QST QTM750-40.000MDE-T 0.7290
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 ECAD 3650 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-70.656MDD-T QST QTM750-70.656MDD-T 0.9396
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 ECAD 1095 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 70.656兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QT325G-24.576MDHV-T QST QT325G-24.576MDHV-T 0.2268
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 ECAD 7655 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±30ppm ±20ppm
QT325S-24.000MEHE-T QST QT325S-24.000MEHE-T 0.2916
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 ECAD 7555 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±10ppm
QT49S-7.3728MAAE-T QST QT49S-7.3728MAAE-T 0.1539
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 ECAD 8571 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃～70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 7.3728兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-51.200MDDE-T QST QT252S-51.200MDDE-T 0.3240
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 ECAD 5031 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 51.2兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±20ppm ±20ppm
QT216S-36.000METV-T QST QT216S-36.000METV-T 0.4212
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 ECAD 4397 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 36兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325G-48.000MAGJ-T QST QT325G-48.000MAGJ-T 0.2106
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 ECAD 7509 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±50ppm ±30ppm
QT49-60.000MBBK-B QST QT49-60.000MBBK-B 0.1377
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 ECAD 8888 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽（11.50毫米x 5.00毫米） 0.145英寸（3.68毫米） 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 60兆赫 第三泛音 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QTS750C-40.000MBG-T QST QTS750C-40.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 第1283章 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 40兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QT325S-12.000MAAJ-T QST QT325S-12.000MAAJ-T 0.5700
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 ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 12兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-25.000MEIC-T QST QT325S-25.000MEIC-T -
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 ECAD 8661 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 25兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 9pF ±20ppm ±10ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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