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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR(串联电阻) 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大) 频率容差
QTM750-50.000MDE-T QST QTM750-50.000MDE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM750-50.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-112.000MBE-T QST QTM216-112.000MBE-T -
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ECAD 3901 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 112兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-112.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-98.304MDE-T QST QTM216-98.304MDE-T -
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ECAD 7151 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-98.304MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-20.480MCE-T QST QTM325-20.480MCE-T 0.7128
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ECAD 3241 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20.48兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532G-24.5676MBBK-T QST QT532G-24.5676MBBK-T 0.7200
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ECAD 1 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 - - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 24.5676兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT532G-24.5676MBBK-TTR 1 20pF ±50ppm ±50ppm
QT3C-32.768KEZF-T QST QT3C-32.768KEZF-T 0.7200
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ECAD 8 0.00000000 QST QT3C 卷带式 (TR) 的积极 70欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.059英寸宽(3.20毫米x 1.50毫米) 0.033英寸(0.85毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 kHz晶体(音叉) 32.768 kHz 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT3C-32.768KEZF-TTR 8541.60.0010 1 12.5pF - ±10ppm
QT49-18.432MBBK-B QST QT49-18.432MBBK-B 0.1377
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ECAD 9964 0.00000000 QST QT49 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) 0.145英寸(3.68毫米) 通孔 HC-49/美国 MHz晶体 18.432兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 20pF ±50ppm ±50ppm
QT325S-37.400MAHI-T QST QT325S-37.400MAHI-T 0.2592
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ECAD 3146 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-33.333MBE-T QST QTM532-33.333MBE-T 1.8000
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ECAD 1 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT216-25.000MBS-T QST QTT216-25.000MBS-T 1.1340
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ECAD 9106 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QT325S-20.000MEIE-T QST QT325S-20.000MEIE-T 0.5700
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QT325S-20.000MEIE-TTR 1 12皮法 ±20ppm ±10ppm
QTM252-60.000MBE-T QST QTM252-60.000MBE-T 0.5867
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ECAD 第1659章 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 60兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-16.384MAHE-T QST QT325S-16.384MAHE-T 0.5700
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16.384兆赫 基本的 下载 3001-QT325S-16.384MAHE-TTR EAR99 8541.60.0050 1 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-25.000750MEHE-T QST QT325S-25.000750MEHE-T -
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ECAD 7565 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 25.00075兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 12皮法 ±30ppm ±10ppm
QTM252-25.000MBE-T QST QTM252-25.000MBE-T 1.4300
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ECAD 7586 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-25.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT216S-32.000MEIV-T QST QT216S-32.000MEIV-T -
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ECAD 4710 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.020英寸(0.50毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 32兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±20ppm ±10ppm
QT532G-24.576MAAK-T QST QT532G-24.576MAAK-T 0.2592
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ECAD 8664 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 24.576兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 20pF ±30ppm ±30ppm
QT532G-24.000MAAK-T QST QT532G-24.000MAAK-T 0.2592
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ECAD 1178 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 20pF ±30ppm ±30ppm
QTM532-50.000MCE-T QST QTM532-50.000MCE-T 0.5867
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ECAD 8527 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT49S-30.000MAAJ-T QST QT49S-30.000MAAJ-T -
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ECAD 6033 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃~70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽(11.40 毫米 x 4.80 毫米) - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT49S-30.000MAAJ-TTR 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-26.000MAHI-T QST QT325S-26.000MAHI-T 0.2592
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ECAD 7865 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 26兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-16.000MEIE-T QST QT325S-16.000MEIE-T 0.5700
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ECAD 3 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 16兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-16.000MEIE-TTR 8541.60.0060 1 12皮法 ±20ppm ±10ppm
QT161S-48.000MAAQ-T QST QT161S-48.000MAAQ-T 0.3564
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ECAD 6527 0.00000000 QST QT161S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃~70℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.016英寸(0.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM532-24.000MBB-T QST QTM532-24.000MBB-T 1.5700
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ECAD 12 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM532-24.000MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT532G-48.000MAAV-T QST QT532G-48.000MAAV-T 0.2592
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ECAD 6723 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.053英寸(1.35毫米) 表面贴装 2-SMD,无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 8皮法 ±30ppm ±30ppm
QTT252-38.400MBS-T QST QTT252-38.400MBS-T 0.9720
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ECAD 9655 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTS532C-45.1584MBP-T QST QTS532C-45.1584MBP-T 7.6950
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ECAD 5811 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM216-32.768MCE-T QST QTM216-32.768MCE-T 0.5867
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ECAD 7537 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-38.400MEIQ-T QST QT325S-38.400MEIQ-T 0.3078
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ECAD 5943 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 38.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±10ppm
QT532S-30.000MAAJ-T QST QT532S-30.000MAAJ-T 0.7200
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ECAD 第727章 0.00000000 QST QT532S 卷带式 (TR) 的积极 40欧姆 -20℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 - 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库