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晶体、振荡器、谐振器(3828)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 ESR（串联串联） 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 运行模式 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 负载电容 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大） 频率容差
QT216G-24.000MEEV-T QST QT216G-24.000MEEV-T 0.4600
询价
 ECAD 1 0.00000000 QST QT216G 卷带式 (TR) 的积极 200欧姆 -20℃～70℃ - 0.081英寸长x 0.065英寸宽（2.05毫米x 1.65毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 24兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±10ppm ±10ppm
QT216S-31.125MAAQ-T QST QT216S-31.125MAAQ-T 0.3240
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 ECAD 5666 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -20℃～70℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 31.125兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM216-60.000MCE-T QST QTM216-60.000MCE-T -
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 ECAD 6982 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 60兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM216-60.000MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-40.000MBS-T QST QTT161-40.000MBS-T 1.2960
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 ECAD 3540 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 40兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216-16.384MCE-T QST QTM216-16.384MCE-T 0.7128
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 ECAD 5783 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.576MCE-T QST QTM252E-24.576MCE-T 0.8910
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 ECAD 5106 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTO107-40.000MBV-T QST QTO107-40.000MBV-T -
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 ECAD 8955 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.382英寸长x 0.295英寸宽（9.70毫米x 7.50毫米） 0.222英寸（5.65毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 空气晶振 40兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 10 - 170毫安 水晶 ±10ppb - - -
QTM252E-33.333MBE-T QST QTM252E-33.333MBE-T 0.8910
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 ECAD 6534 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750P-100.000MBE-T QST QTM750P-100.000MBE-T 5.7200
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 ECAD 第773章 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 3001-QTM750P-100.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-1.000MCE-T QST QTM325-1.000MCE-T 0.5867
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 ECAD 第1345章 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 1兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-20.000MDE-T QST QTM216E-20.000MDE-T 0.7333
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 ECAD 8507 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532PH-312.500MBE-T QST QTM532PH-312.500MBE-T -
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 ECAD 5540 0.00000000 QST QTM532PH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 8-SMD，无铅 XO（标准） 312.5兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532PH-312.500MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 100毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-24.576MBE-T QST QTM252-24.576MBE-T 0.7128
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 ECAD 4010 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-133.000MCE-T QST QTM750-133.000MCE-T 2.2680
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 ECAD 2568 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 133兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-20.000MAAE-T QST QT325G-20.000MAAE-T -
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 ECAD 4880 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 20兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QTM325-33.333MCE-T QST QTM325-33.333MCE-T 0.7128
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 ECAD 2237 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325S-36.000MAHI-T QST QT325S-36.000MAHI-T 0.2592
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 ECAD 5021 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 36兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±30ppm ±30ppm
QT49S-27.000MEEJ-T QST QT49S-27.000MEEJ-T 0.4000
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 ECAD 7089 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 30欧姆 -20℃～70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QTM216-30.000MCE-T QST QTM216-30.000MCE-T 0.5867
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 ECAD 7321 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QT325G-14.7456MAGJ-T QST QT325G-14.7456MAGJ-T 0.2106
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 ECAD 9268 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 14.7456兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 - ±30ppm -
QT216S-37.400METI-T QST QT216S-37.400METI-T 0.4212
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 ECAD 2136 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 37.4兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 16皮法 ±10ppm ±10ppm
QT252S-27.000MAHJ-T QST QT252S-27.000MAHJ-T 0.3240
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 ECAD 3690 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 100欧姆 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 27兆赫 基本的 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT252S-30.000MEEJ-T QST QT252S-30.000MEEJ-T 0.3564
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 ECAD 6154 0.00000000 QST QT252S 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.022英寸（0.55毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 30兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 18皮法 ±10ppm ±10ppm
QT325G-48.000MDIQ-T QST QT325G-48.000MDIQ-T 0.2430
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 ECAD 6935 0.00000000 QST QT325G 卷带式 (TR) 的积极 60欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 48兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 10皮法 ±20ppm ±20ppm
QT325S-40.000MAHJ-T QST QT325S-40.000MAHJ-T 0.5700
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 ECAD 4 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-40.000MAHJ-TTR 8541.60.0060 1 18皮法 ±30ppm ±30ppm
QT216S-40.000MEIV-T QST QT216S-40.000MEIV-T 0.5600
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 ECAD 5537 0.00000000 QST QT216S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.020英寸（0.50毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 40兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 8皮法 ±20ppm ±10ppm
QT325S-50.000MEIE-T QST QT325S-50.000MEIE-T -
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 ECAD 3665 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 50兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-50.000MEIE-TTR 8541.60.0060 1 12皮法 ±20ppm ±10ppm
QT49S-35.328MAAE-T QST QT49S-35.328MAAE-T -
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 ECAD 4852 0.00000000 QST QT49S 卷带式 (TR) 的积极 80欧姆 -20℃～70℃ - 0.449 英寸长 x 0.189 英寸宽（11.40 毫米 x 4.80 毫米） - 表面贴装 HC-49/美国 MHz晶体 35.328兆赫 第三泛音 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT532G-14.31818MAHE-T QST QT532G-14.31818MAHE-T 0.7200
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 ECAD 1 0.00000000 QST QT532G 卷带式 (TR) 的积极 50欧姆 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.053英寸（1.35毫米） 表面贴装 2-SMD，无铅 MHz晶体 14.31818兆赫 基本的 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1 12皮法 ±30ppm ±30ppm
QT325S-27.120MEEQ-T QST QT325S-27.120MEEQ-T 0.5700
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 ECAD 5 0.00000000 QST QT325S 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 MHz晶体 基本的 下载 符合ROHS3标准 3001-QT325S-27.120MEEQ-TTR 8541.60.0060 1 10皮法 ±10ppm ±10ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    30,000,000

    标准产品单位

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