电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | ESR(串联串联) | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 运行模式 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 负载电容 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) | 频率容差 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTM750-12.288MBE-T | 1.4300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12.288兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM216-33.333MDE-T | 0.7128 | ![]() | 1185 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTS750C-13.000MBP-T | 8.5050 | ![]() | 9810 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 13兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM216E-24.576MBE-T | 0.7333 | ![]() | 第2452章 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT216S-38.400MEEE-T | 0.4050 | ![]() | 2001年 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 38.4兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 12皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTM252E-24.000MCM-T | 1.0530 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTS532-25.000MBG-T | 6.4800 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | QST | QTS532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 25兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QT325G-26.000MEEV-T | 0.2430 | ![]() | 9643 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 26兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 8皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTM216E-38.400MDM-T | 1.0530 | ![]() | 1949年 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM252J-4.000MDJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 4兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 3001-QTM252J-4.000MDJ-TTR | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | ||||||||||
![]() | QTT325-25.000MBS-T | 0.8000 | ![]() | 2730 | 0.00000000 | QST | QTT325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 25兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM325-24.576MBA-T | 1.5700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM325-24.576MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QT161S-26.000MAAC-T | - | ![]() | 8139 | 0.00000000 | QST | QT161S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 100欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) | 0.016英寸(0.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 26兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 9pF | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTS750C-30.720MBG-T | 7.2900 | ![]() | 第1729章 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 30.72兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QT325S-40.000MAHE-T | 0.2592 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 40兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 12皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QTM216E-20.000MDJ-T | 0.8000 | ![]() | 3985 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM252J-1.8432MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 4.252英寸长 x 2.665英寸宽(108.00毫米 x 67.70毫米) | 0.165英寸(4.19毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 1.8432兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-1.8432MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |||||
![]() | QTM325-14.31818MBA-T | 1.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 14.31818兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM325-14.31818MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252J-30.000MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 30兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-30.000MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |||||
![]() | QT216S-20.000MAAJ-T | 0.3240 | ![]() | 8205 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 90欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 20兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 18皮法 | ±30ppm | ±30ppm | |||||||||||||
![]() | QT2M-32.768KHZF-T | 0.8600 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | QST | QT2M | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.315英寸长x 0.150英寸宽(8.00毫米x 3.80毫米) | 0.098英寸(2.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | kHz晶体(音叉) | 32.768 kHz | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QT2M-32.768KHZF-TTR | 8541.60.0010 | 1 | 12.5pF | - | ±5ppm | ||||||||||||
![]() | QT325S-12.000MEHE-T | 0.2916 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 80欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 12兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 12皮法 | ±30ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QTS750-12.800MBP-T | - | ![]() | 7147 | 0.00000000 | QST | QTS750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 12.8兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||||||
![]() | QTM252E-20.000MDM-T | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT325S-38.400METQ-T | 0.3078 | ![]() | 5201 | 0.00000000 | QST | QT325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -30℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 38.4兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 10皮法 | ±10ppm | ±10ppm | |||||||||||||
![]() | QT49-48.000MBBK-B | 0.1377 | ![]() | 9614 | 0.00000000 | QST | QT49 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 80欧姆 | -20℃~70℃ | - | 0.453英寸长x 0.197英寸宽(11.50毫米x 5.00毫米) | 0.145英寸(3.68毫米) | 通孔 | HC-49/美国 | MHz晶体 | 48兆赫 | 第三泛音 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 20pF | ±50ppm | ±50ppm | |||||||||||||
![]() | QT216S-50.000MAHV-T | 0.7200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | QST | QT216S | 卷带式 (TR) | 的积极 | 50欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.020英寸(0.50毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 50兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QT216S-50.000MAHV-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 8皮法 | ±30ppm | ±30ppm | ||||||||||||
![]() | QT325G-26.000MAHQ-T | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QT325G | 卷带式 (TR) | 的积极 | 60欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | MHz晶体 | 26兆赫 | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QT325G-26.000MAHQ-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 10皮法 | ±30ppm | ±30ppm | ||||||||||||
![]() | QTM532-32.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | QT3CT-32.768KDZA-T | 0.4860 | ![]() | 2416 | 0.00000000 | QST | QT3CT | 卷带式 (TR) | 的积极 | 70欧姆 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.059英寸宽(3.20毫米x 1.50毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 3-SMD,无铅 | kHz晶体(音叉) | 32.768 kHz | 基本的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0010 | 3,000 | 4pF | - | ±20ppm |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库