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晶体，振荡器，谐振器（，18804）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度-座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	可编程类型	电流 -供应（最大）	高度	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））	频率 -输出1	频率 -输出2	频率 -3	频率 -输出4	可用频率范围	（（（）
HTM6101JI1B-050.0000T	-	RFQ	4236	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JI1B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	-
M921223CL1-100M0000T	-	RFQ	2892	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		100 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223CL1-100M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
HTM6101JL1B-050.0000	-	RFQ	7057	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JL1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	-
HTM6101MA2B-050.0000	-	RFQ	3283	微芯片技术	htm61xx	包	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA2B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±25ppm	-	-	-
M921223NI3-200M0000	-	RFQ	1826年	微芯片技术	M9212x3	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		200 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223NI3-200M0000	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用		32ma（类型）		mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221CI2-25M00000T	-	RFQ	6312	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI2-25M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）		mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6101JA2B-033.3333T	-	RFQ	3907	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		33.3333 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA2B-033.333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±25ppm	-	-	-
M911221NI1-90M00000T	-	RFQ	4626	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		90 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NI1-90M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	5µA
HTM6101JL1B-030.0000	-	RFQ	8711	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		30 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JL1B-030.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	-
M921223BI1-106M2500T	-	RFQ	5637	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		106.25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI1-106M2500TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
M921223BI3-25M00000	-	RFQ	4533	微芯片技术	M9212x3	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI3-25M00000	Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用		32ma（类型）		mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
HTM6101JA1B-033.0000T	-	RFQ	1575年	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		33 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-033.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	-
M921223BI3-25M00000T	-	RFQ	7927	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI3-25M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）		mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M921223NI3-233M3333T	-	RFQ	1208	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		233.3333 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223NI3-233M333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）		mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221NI2-33M33333T	-	RFQ	8000	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		33.33333 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NI2-33M3333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）		mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6101MA2B-050.0000T	-	RFQ	1256	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA2B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±25ppm	-	-	-
M911221NA3-125M0000T	-	RFQ	3971	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NA3-125M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）		mems	±20ppm	-	-	5µA
HTM6101JL1B-024.0000T	-	RFQ	5697	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		24 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JL1B-024.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	-
DSC6112JI1B-050.0000	-	RFQ	6571	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6112	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）		（3ma （典型）		mems	±50ppm	-	-	-
DSA2311KI2-R0065TVAO	-	RFQ	9206	微芯片技术	DSA2311	大部分	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）			6-vdfn	XO （标准）	DSA2311		lvcmos	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		23MA	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm				24MHz	48MHz	-	-
DSC400-0444Q0009KI1	-	RFQ	3006	微芯片技术	DSC400	管子	积极的	-40°C〜85°C		0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）			20-VFQFN暴露垫	XO （标准）	DSC400		HCSL	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用		-	0.035“（0.90mm）	mems	±50ppm				100MHz	100MHz	100MHz	-
DSC6101HE2A可编程	-	RFQ	9119	微芯片技术	DSC61XX	大部分	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）			CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	由sic（网络）（网络）	（3ma （典型）		mems	-		-						1 MHz〜100 MHz	±25ppm
DSC8123BI2	11.0500	RFQ	3071	微芯片技术	DSC8123	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC8123		LVD	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-4729	Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用	（（（）	32ma		mems	-		-						10 MHz〜460 MHz	±25ppm
DSC6003HI2A程序可编程	-	RFQ	8046	微芯片技术	DSC60XX	大部分	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）			CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	由sic（网络）（网络）	1.3mA ty（类型）		mems	-		-						1 MHz〜80 MHz	±25ppm
DSC2033FI2-F0038	-	RFQ	3001	微芯片技术	DSC2033	管子	积极的	-40°C〜85°C		0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）			14-VFQFN暴露垫	XO （标准）	DSC2033		LVD	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用		38ma（类型）	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm			23 ma	100MHz，125MHz，156.25MHz，312.5MHz，312.898MHz，439.597MHz，440.625MHz，450.68MHz	100MHz，125MHz，156.25MHz，312.5MHz，312.898MHz，439.597MHz，440.625MHz，450.68MHz	-	-
DSC1101CI5-157.2864T	-	RFQ	9797	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1101	157.2864 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1101CI5-157.2864TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		35mA		mems	±10ppm	-	-	95µA
VXM5-1E5-25M0000000	-	RFQ	2763	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	1,000
DSC6001JL3B-032.7680	-	RFQ	3446	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6001	32.768 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6001JL3B-032.7680	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用		1.3mA ty（类型）		mems	±20ppm	-	-	-
DSC8101BI2T	-	RFQ	1064	微芯片技术	DSC8101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC8101		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	支持	（（（）	35mA		mems	±25ppm		-	95 µA					10 MHz〜100 MHz	-
VCC1-H3D-27M0000000	-	RFQ	3967	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²