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晶体，振荡器，谐振器（，18804）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	可编程类型	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））	可用频率范围	（（（）
DSC6101JE1A-000.0000	0.8200	RFQ	180	微芯片技术	DSC61XX	管子	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（（（）	（3ma （典型）	mems	-		-		1 MHz〜100 MHz	±50ppm
HTM6101JA2B-033.3333T	-	RFQ	3907	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	33.3333 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA2B-033.333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M911221NI1-90M00000T	-	RFQ	4626	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	90 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NI1-90M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
HTM6101JL1B-030.0000	-	RFQ	8711	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	30 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JL1B-030.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M921223BI1-106M2500T	-	RFQ	5637	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	106.25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI1-106M2500TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
M921223BI3-25M00000	-	RFQ	4533	微芯片技术	M9212x3	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI3-25M00000	Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
HTM6101JA1B-033.0000T	-	RFQ	1575年	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	33 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-033.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M921223BI3-25M00000T	-	RFQ	7927	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI3-25M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221CI2-25M00000T	-	RFQ	6312	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI2-25M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
M921223NI3-233M3333T	-	RFQ	1208	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	233.3333 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223NI3-233M333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221NI2-33M33333T	-	RFQ	8000	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	33.33333 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NI2-33M3333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6101MA2B-050.0000T	-	RFQ	1256	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA2B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M911221NA3-125M0000T	-	RFQ	3971	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	125 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NA3-125M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA
HTM6101JL1B-024.0000T	-	RFQ	5697	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	24 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JL1B-024.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M921223NI3-200M0000	-	RFQ	1826年	微芯片技术	M9212x3	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	200 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223NI3-200M0000	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M921223NI2-100M0000T	-	RFQ	9317	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	100 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223NI2-100M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
M911201CI3-80M00000T	-	RFQ	9491	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	80 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911201CI3-80M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911201CI3-133M0000T	-	RFQ	6173	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	133 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911201CI3-133M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221DI2-40M00000	-	RFQ	8234	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	-				150-M911221DI2-40M00000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）		27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6101MA3B-025.0000	-	RFQ	4695	微芯片技术	htm61xx	包	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA3B-025.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	-
HTM6101JI1B-050.0000T	-	RFQ	4236	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JI1B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M921223BI3-87M35154T	-	RFQ	1757年	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	87.35154 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI3-87M35154TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911201NI2-20M48000T	-	RFQ	6496	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	20.48 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911201NI2-20M48000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
M906101JI1B-050.0000	-	RFQ	7381	微芯片技术	M9061xx	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	50 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载				150-M906101JI1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
HTM6101JA2B-033.3333	-	RFQ	9357	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	33.3333 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA2B-033.3333	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
HTM6101MA3B-025.0000T	-	RFQ	4950	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA3B-025.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	-
HTM6101JA1B-050.0000T	-	RFQ	9608	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M911221CI2-20M00000T	-	RFQ	4232	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	20 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI2-20M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6111JA2B-040.0000T	-	RFQ	1787年	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	40 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6111JA2B-040.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
M921223CI3-100M0000T	-	RFQ	3698	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	100 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223CI3-100M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²