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晶体，振荡器，谐振器（，18804）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	ESR （等效串联电阻）	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	操作模式	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	可编程类型	负载电容	电流 -供应（最大）	高度	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））	频率公差	频率 -输出1	频率 -输出2	频率 -3	频率 -输出4	可用频率范围	（（（）
HTM6101JL1B-050.0000	-	RFQ	7057	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的		-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		50 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JL1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用			4ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001AL5-004.0000	2.1300	RFQ	8392	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的		-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1001	4 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用			6.3mA		mems	±10ppm	-	-	15µA
DSC6111BI1B-024.5760T	1.2000	RFQ	1830年	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		24.576 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1,000	（（（）			（3ma （典型）		mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC1103CI1-150.0000	-	RFQ	5326	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	150 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1103CI1-150.0000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			32ma		mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC8001DI5T	-	RFQ	4411	微芯片技术	DSC8001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC8001			CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	支持	（（（）		12.2mA		mems	±10ppm		-	15 µA						1 MHz〜150 MHz	-
DSC1101CM1-008.0000	-	RFQ	6844	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的		-55°C〜125°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1101	8 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			35mA		mems	±50ppm	-	-	95µA
VC-801-EAE-FAAN-25M0000000	-	RFQ	2109	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1101AI2-150.0000	-	RFQ	9687	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	XO （标准）	DSC1101	150 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	（（（）			35mA		mems	±25ppm	-	-	-
DSC6311JI2IA-027.0000T	1.2200	RFQ	950	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		27 MHz		lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC6332CI2CA-035.0000T	-	RFQ	5962	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		35 MHz		lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	-			（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	±1.00％，中心扩展	80µA（）
DSC6101HI2A-000.0000T	1.3000	RFQ	175	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（（（）		（3ma （典型）		mems	-		-							1 MHz〜100 MHz	±25ppm
VT-704-AER-106A-33M6000000	-	RFQ	1255	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1033DI2-001.0000T	-	RFQ	3120	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		1 MHz		CMOS	3.3V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	-	1µA
DSC6102HE2A可编程	-	RFQ	1287	微芯片技术	DSC61XX	大部分	过时的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	由sic（网络）（网络）		（3ma （典型）		mems	-		-							1 MHz〜100 MHz	±25ppm
DSC2211FI2-E0018T	-	RFQ	7249	微芯片技术	DSC2211	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C		0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）			14-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC2211			lvcmos	2.25V〜3.6V	下载			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			23MA	0.037“（0.95mm）	mems	±25ppm					25MHz	125MHz	-	-
DSC1101AI5-032.0000T	-	RFQ	9393	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1101	32 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			95µA		mems	±10ppm	-	-	-
DSC8122AI2	10.5200	RFQ	7050	微芯片技术	DSC8122	管子	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC8122			lvpecl	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	576-4724	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	（（（）		58mA		mems	-		-							10 MHz〜460 MHz	±25ppm
VCC6-1316-156M250000_SNPB	-	RFQ	3730	微芯片技术	VCC6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.063“（1.60mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）		156.25 MHz		-	-	下载			到达不受影响	150-VCC6-1316-156M250000_SNPBTR	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用			-		水晶	-	-	-	-
DSC1033CI1-080.0000	-	RFQ	4200	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	管子	过时的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		80 MHz		CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			5ma（类型）		mems	±50ppm	-	-	1µA
DSA2311KA2-R0009TVAO	-	RFQ	9712	微芯片技术	DSA2311	大部分	积极的		-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）			6-vdfn	XO （标准）	DSA2311			lvcmos	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			23MA	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm					25MHz	25MHz	-	-
DSC1204NL3-122M8800T	-	RFQ	1471	微芯片技术	DSC12X4	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜105°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	XO （标准）	DSC1204	122.88 MHz		HCSL	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1204NL3-122M8800T	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			40mA （典型）		mems	±20ppm	-	-	5µA
DSC6003JE1A-000.0000T	-	RFQ	5819	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（（（）		1.3mA ty（类型）		mems	-		-							1 MHz〜80 MHz	±50ppm
DSC1001DC5-045.1584T	-	RFQ	7320	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		0°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	45.1584 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			7.2mA		mems	±10ppm	-	-	15µA
DSC400-0202Q0107KE1T	-	RFQ	4880	微芯片技术	DSC400	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C		0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）			20-VFQFN暴露垫	XO （标准）	DSC400			lvpecl	2.25V〜3.6V	下载			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			-	0.035“（0.90mm）	mems	±50ppm					161.1328125MHz	164.375MHz	-	-
DSC1033CE1-031.2500T	-	RFQ	2955	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-20°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		31.25 MHz		CMOS	3.3V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			（3ma （典型）		mems	±50ppm	-	-	1µA
DSC1001CL2-030.0000T	-	RFQ	9814	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	30 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			7.2mA		mems	±25ppm	-	-	15µA
VXA4-1B2-20M0000000	-	RFQ	8215	微芯片技术	VXA4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40欧姆	-20°C〜70°C	-	0.427“ LX 0.177” W（10.85mm x 4.50mm）	0.138“（3.50mm）	通过洞	HC-49/U。	MHz晶体		20 MHz	基本的			-			到达不受影响	150-VXA4-1B2-20M0000000TR	Ear99	8541.60.0050	1,000			20pf				±50ppm				±10ppm
DSC6311JE1CB-018.4320T	-	RFQ	5219	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		18.432 MHz		lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JE1CB-018.4320TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			（3ma （典型）		mems	±50ppm	-	±1.00％，中心扩展	1.5µA（）
VCC4-H3D-33M0000000	-	RFQ	7042	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1101CI5-025.0000	2.1750	RFQ	5863	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1101	25 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			35mA		mems	±10ppm	-	-	95µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²