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晶体，振荡器，谐振器（，18804）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	ESR （等效串联电阻）	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	操作模式	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	负载电容	电流 -供应（最大）	高度	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））	频率公差	频率 -输出1	频率 -输出2	频率 -3	频率 -输出4
VT-822-HAE-2060-25M0000000TR	-	RFQ	7400	微芯片技术	VT-822	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.043“ （1.10mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		25 MHz		CMOS	2.5V	-			到达不受影响	150-VT-822-HAE-2060-25M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		7ma		水晶	±2ppm	-	-	-
DSC1001CE1-016.5000T	-	RFQ	2360	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	16.5 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		6.3mA		mems	±50ppm	-	-	15µA
MX553DBG166M666	-	RFQ	3968	微芯片技术	MX55	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX553DBG166M666	166.666 MHz		LVD	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	启用/禁用		90mA		水晶	±50ppm	-	-	-
VXB1-1D4-25M0000000	-	RFQ	9755	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	1,000
DSC1001AE2-080.0000	1.4000	RFQ	428	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1001	80 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	（（（）		10.5mA		mems	±25ppm	-	-	-
DSC1001CI5-037.4000	-	RFQ	8859	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	37.4 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1001CI5-037.4000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）		10.5mA		mems	±10ppm	-	-	15µA
DSA1001CL2-033.33333VAO	-	RFQ	6480	微芯片技术	DSA1001	管子	积极的		-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	33.3333 MHz		CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1001CL2-033.3333VAO	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）		8mA		mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1001DI2-033.333333VAO	-	RFQ	1395年	微芯片技术	DSA1001	管子	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	33.3333 MHz		CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DI2-033.3333VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）		10.5mA		mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA6101JA2B-500K000TV05	-	RFQ	2636	微芯片技术	DSA61XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		500 kHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6101JA2B-500K000TV05TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		-		mems	±25ppm	-	-	-
MX555555555500M000	-	RFQ	9124	微芯片技术	MX55	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX555	100 MHz		HCSL	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	启用/禁用		95mA		水晶	±50ppm	-	-	-
VCC1-B3E-25M9200000	-	RFQ	8138	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-10°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		25.92 MHz		CMOS	3.3V	下载			到达不受影响	150-VCC1-B3E-25M9200000TR	Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用		20mA		水晶	±25ppm	-	-	30µA
DSC400-1133Q0113KE1T	-	RFQ	8096	微芯片技术	DSC400	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C		0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）			20-VFQFN暴露垫	XO （标准）	DSC400			LVCMO，LVD	2.25V〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		-	0.035“（0.90mm）	mems	±50ppm					100MHz，156.25MHz	125MHz	125MHz	25MHz
DSC6111JI2B-004K000T	-	RFQ	5965	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6111	4 kHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	-	-
VXM8-1CJ-08-32M0000000TR	-	RFQ	3140	微芯片技术	VXM8	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50欧姆	-20°C〜70°C	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		32 MHz	基本的			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM8-1CJ-08-32M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	10,000		8pf				±10ppm				±20ppm
DSC6122CI2A-00AST	0.8800	RFQ	1	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C		0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）			4-vdfn	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	-		（3ma （典型）	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm					20MHz，25MHz	-	-	-
HT-MM900AC-2F-EE-83M3333333	-	RFQ	6379	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.039“（1.00mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		83.3333333 MHz		CMOS	3.3V	-			到达不受影响	150-HT-MM900AC-2F-EE-83M333333333Tr	Ear99	8542.39.0001	250	启用/禁用		5mA		水晶	±25ppm	-	-	-
DSC6011HI2A-080.0000T	-	RFQ	8827	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		80 MHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		1.3mA ty（类型）		mems	±25ppm	-	-	-
MX554EBC16M0000	-	RFQ	6679	微芯片技术	-	管子	积极的														下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX554EBC16M0000	Ear99	8542.39.0001	60
DSA1203CA2-100M0000VAO	-	RFQ	1488	微芯片技术	DSA12X3	管子	积极的		-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		100 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1203CA2-100M0000VAO	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）		32ma（类型）		mems	±25ppm	-	-	5µA
DSC1103AE2-135.0000T	-	RFQ	7344	微芯片技术	DSC1103	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1103	135 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		32ma		mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC6083CI1A-010K000T	1.0100	RFQ	827	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		10 kHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	-		1.3mA ty（类型）		mems	±50ppm	±50ppm	-	-
VXB2-1GT-00-19M2000000	-	RFQ	3499	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.60.0050	1,000
DSC2030FI2-B0022	-	RFQ	1157	微芯片技术	DSC2030	管子	积极的		-40°C〜85°C		0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）			14-SMD，没有铅	MEMS （硅）				LVD	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC2030FI2-B0022	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		32ma	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm			23 ma		122.88MHz	156.25MHz	167.332MHz	155.52MHz
DSC1104DI2-100.0000	-	RFQ	5121	微芯片技术	DSC1104	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1104	100 MHz		HCSL	2.25V〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1104DI2-100.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）		42ma		mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC1003CI5-087.5000T	-	RFQ	5738	微芯片技术	DSC1003	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1003	87.5 MHz		CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		9.6mA		mems	±10ppm	-	-	15µA
VT-820-FFE-106C-25M0000000	-	RFQ	5200	微芯片技术	VT-820	条	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.039“（1.00mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	VCTCXO		25 MHz		剪裁正弦波	3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	振幅控制		2mA		水晶	±1ppm	±10ppm	-	-
MX554EBB120M000-TR	-	RFQ	5464	微芯片技术	MX55	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX554EBB120M000	120 MHz		LVD	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		90mA		水晶	±50ppm	-	-	-
DSC1121AI5-020.0000	-	RFQ	2957	微芯片技术	DSC1121	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1121	26 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用		35mA		mems	±10ppm	-	-	22ma
DSC1122CE5-068.0000T	-	RFQ	1073	微芯片技术	DSC1122	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1122	68 MHz		lvpecl	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用		58mA		mems	±10ppm	-	-	22ma
DSC1001CL5-133.3330T	-	RFQ	7948	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	133.333 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）		8.7mA		mems	±10ppm	-	-	15µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²