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晶体，振荡器，谐振器（，18804）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	ESR （等效串联电阻）	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	操作模式	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	可编程类型	负载电容	电流 -供应（最大）	高度	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））	频率公差	频率 -输出1	频率 -输出2	频率 -3	频率 -输出4	可用频率范围	（（（）
DSC6183CE2A-032K768T	-	RFQ	9104	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		32.768 kHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	-	-
DSC1101BM2-074.2500	-	RFQ	1641年	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的		-55°C〜125°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1101	74.25 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	（（（）			35mA		mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC1103AI5-250.0000	5.4300	RFQ	1677年	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1103	250 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	（（（）			32ma		mems	±10ppm	-	-	95µA
DSC6011CI2A-024.0000	-	RFQ	6825	微芯片技术	DSC60XX	管子	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		24 MHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			1.3mA ty（类型）		mems	-	±25ppm	-	-
VT-820-EFH-2060-32M0000000	-	RFQ	9039	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
MX575ABC70M0000-TR	-	RFQ	7101	微芯片技术	MX57	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX575ABC70M0000	70 MHz		lvcmos	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			95mA		水晶	±50ppm	-	-	-
DSC1004DI2-086.4000	1.0400	RFQ	6239	微芯片技术	DSC1004	管子	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1004	86.4 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）			10.5mA		mems	±25ppm	-	-	15µA
VXM7-1136-20M0000000	-	RFQ	2059	微芯片技术	VXM7	条	积极的	60欧姆	-	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		20 MHz	基本的			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM7-1136-20M0000000	Ear99	8541.60.0050	3,000			-				-				±20ppm
DSC8001AI1	2.3400	RFQ	3722	微芯片技术	DSC8001	管子	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC8001			CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-4654	Ear99	8542.39.0001	50	支持	（（（）		12.2mA		mems	-		-	15 µA						1 MHz〜150 MHz	±50ppm
DSC1525MA2A-50M00000T	-	RFQ	2575	微芯片技术	DSC152X	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		50 MHz		lvcmos	1.8V	下载			到达不受影响	150-DSC1525MA2A-50M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			7.5mA		mems	±25ppm	-	-	-
DSC1001AE1-054.0000T	-	RFQ	5234	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1001	54 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			7.2mA		mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1123BI2-156.0000T	-	RFQ	6413	微芯片技术	DSC1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	156 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			32ma		mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC400-1111Q0111KE1T	-	RFQ	9076	微芯片技术	DSC400	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C		0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）			20-VFQFN暴露垫	XO （标准）	DSC400			lvcmos	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			-	0.035“（0.90mm）	mems	±50ppm					25MHz	20MHz	24MHz	-
DSC6023CI2A-00A5	-	RFQ	7486	微芯片技术	DSC60XX	管子	过时的		-40°C〜85°C		0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）			4-vdfn	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	110	-			1.3mA ty（类型）	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm					25MHz，50MHz	-	-	-
DSC6183HE2A-032K768	-	RFQ	4372	微芯片技术	DSC61XX	包	过时的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		32.768 kHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	100	-			（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC6111JI2A-050.0000	-	RFQ	1446	微芯片技术	DSC61XX	包	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		50 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	140	（（（）			（3ma （典型）		mems	±25ppm	-	-	80µA（）
VCC1-B3F-30M0000000	-	RFQ	9432	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1001AE1-026.5939T	-	RFQ	4423	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn裸露的垫子	XO （标准）		26.5939 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	-			到达不受影响	150-DSC1001AE1-026.5939TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			8mA		mems	±50ppm	-	-	15µA
VCC6-QCD-25M0000000	-	RFQ	9309	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
DSC6013JE1A-000.0000T	-	RFQ	6840	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	支持	（（（）		1.3mA ty（类型）		mems	-		-	12 µA						1 MHz〜80 MHz	±50ppm
DSC1103CI5-300.0000	8.1100	RFQ	3	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1103	300 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			32ma		mems	±10ppm	-	-	95µA
DSC6001JI3B-025.0000T	-	RFQ	1034	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6001	25 MHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001JI3B-025.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			1.3mA ty（类型）		mems	±20ppm	-	-	-
DSC2311KI2-R0002	-	RFQ	6223	微芯片技术	DSC2311	管子	积极的		-40°C〜85°C		0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）			6-vdfn	XO （标准）	DSC2311			CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用			-	0.035“（0.90mm）	mems	±25ppm			23 ma		25MHz	125MHz	-	-
DSC1001DI5-032.4000T	-	RFQ	6843	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		32.4 MHz		CMOS	1.7v〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1001DI5-032.4000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			8mA		mems	±10ppm	-	-	15µA
MO-9200AE-D3K-EE148M500000	-	RFQ	5193	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
VCC1-B3D-133M333300_SNPB	-	RFQ	7739	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50
VC-830-ECF-GAAN-156M250000	-	RFQ	2150	微芯片技术	VC-830	条	积极的		-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）		156.25 MHz		lvpecl	3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VC-830-ECF-GAAN-156M250000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用			66ma		水晶	±30ppm	-	-	-
DSC1204CI2-100M0000T	2.8600	RFQ	6481	微芯片技术	DSC12X4	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		100 MHz		HCSL	2.5V〜3.3V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			40mA （典型）		mems	±25ppm	-	-	5µA
VXM1-1KJ-18-24M0000000	-	RFQ	3769	微芯片技术	VXM1	条	积极的	50欧姆	-20°C〜70°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	2-SMD，没有铅	MHz晶体		24 MHz	基本的			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM1-1KJ-18-24M0000000	Ear99	8541.60.0060	100			18pf				±50ppm				±10ppm
DSC6001HI2A-048.0000	-	RFQ	3440	微芯片技术	DSC60XX	包	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		48 MHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用			1.3mA ty（类型）		mems	±25ppm	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²