RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	ESR （等效串联电阻）	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	操作模式	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	可编程类型	负载电容	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））	频率公差	可用频率范围	（（（）
VXM7-9032-25M0000000	0.4100	RFQ	4	微芯片技术	VXM7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	60欧姆	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体	VXM7-9032	25 MHz	基本的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	3,000			-			-				±20ppm
DSC1203NE1-125M0000T	-	RFQ	7944	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-20°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1203NE1-125M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
DSC6001JL1B-270K000	-	RFQ	7944	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的		-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		270 kHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载			到达不受影响	150-DSC6001JL1B-270K000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用			1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001CI5-040.0000	-	RFQ	9715	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	40 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			7.2mA	mems	±10ppm	-	-	15µA
VCC4-B3F-100M000000	-	RFQ	9456	微芯片技术	VCC4	条	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		100 MHz		CMOS	3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用			40mA	水晶	±25ppm	-	-	30µA
VCC6-QCD-250M000000	-	RFQ	9275	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
DSA6331JL2AB-012.2880TVAO	-	RFQ	1069	微芯片技术	DSA63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		12.288 MHz		lvcmos	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6331JL2AB-012.2880TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	-			（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC1103CI3-060.0000	-	RFQ	4173	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	60 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			32ma	mems	-	±20ppm	-	95µA
HT-MM900AC-7F-EE-50M0000000	-	RFQ	7997	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
DSC1101DM1-080.0000T	-	RFQ	9937	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1101	80 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			95µA	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6101JA3B-Prog	1.0680	RFQ	1758年	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的		-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6101			CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（（（）		（3ma （典型）	mems	-		-			3.5 khz〜100 MHz	±20ppm
DSC6112CI2A-083.2091	-	RFQ	8885	微芯片技术	DSC61XX	包	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		83.2091 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6013CE1A-006.1440	-	RFQ	5456	微芯片技术	DSC60XX	管子	过时的		-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		6.144 MHz		CMOS	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）		150-DSC6013CE1A-006.1440	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）			1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6332HAAB-002.4576T	-	RFQ	8030	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	-	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6332	2.4576 MHz		lvcmos	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6332HAAB-002.4576TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC1121DI2-125.0000B	-	RFQ	4527	微芯片技术	DSC1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1121	125 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	启用/禁用			35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC8121BI2	11.5500	RFQ	5006	微芯片技术	DSC8121	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）				CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	576-4714可编程	Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	由sic（网络）（网络）		35mA	mems	-		-	22 ma		10 MHz〜170 MHz	±25ppm
VXB2-9004-25M0000000	-	RFQ	3992	微芯片技术	VXB2	条	积极的	25欧姆	-	-	0.449“ l x 0.191” W（11.40mm x 4.85mm）	0.173“（4.40mm）	表面安装	HC-49/US	MHz晶体		25 MHz	基本的			下载			到达不受影响	150-VXB2-9004-25M0000000	Ear99	8541.60.0080	100			-			-				±20ppm
DSC1001DI2-014.3182T	-	RFQ	4482	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	14.3182 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			6.3mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSC6311JI2LA-027.0000T	-	RFQ	5862	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		27 MHz		lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC1102CI1-156.2500T	-	RFQ	6716	微芯片技术	DSC1102	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1102	156.25 MHz		lvpecl	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			58mA	mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC6101JI1A-040.2000T	-	RFQ	6381	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		40.2 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	80µA（）
DSC1101AI2-100.0000T	-	RFQ	1033	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1101	100 MHz		CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			35mA	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSA1121DA2-050.0000TVAO	-	RFQ	8713	微芯片技术	DSA1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1121	50 MHz		CMOS	2.25V〜3.63V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1121DA2-050.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC1001BI2-033.0000T	-	RFQ	7189	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	33 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			7.2mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1224CI3-350M0000TVAO	-	RFQ	9759	微芯片技术	DSA12X4	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		350 MHz		HCSL	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1224CI3-350M0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用			40mA （典型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
DSC1103DI2-156.2500	-	RFQ	2348	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的		-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		156.25 MHz		LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1103DI2-156.2500	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）			32ma	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC6112CI2A程序可编程	-	RFQ	3240	微芯片技术	DSC61XX	大部分	过时的		-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）				CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	支持	由sic（网络）（网络）		（3ma （典型）	mems	-		-	12 µA		1 MHz〜100 MHz	±25ppm
DSC1001CC2-125.0000T	-	RFQ	9646	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的		0°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	125 MHz		CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）			8.7mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
MX876BB0025	-	RFQ	4336	微芯片技术	-	管子	积极的														下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX876BB0025	Ear99	8542.39.0001	43
DSC6003MA3B-PROG	1.1640	RFQ	4403	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的		-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6003			CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（（（）		1.3mA ty（类型）	mems	-		-			2 KHz〜80 MHz	±20ppm

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体，振荡器，谐振器（，18804）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²