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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大)
QTM750-3.6864MBE-T QST QTM750-3.6864MBE-T 0.7290
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ECAD 8689 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 3.6864兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-10.000MCE-T QST QTM252-10.000MCE-T 0.7128
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ECAD 7990 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-12.000MDJ-T QST QTM252J-12.000MDJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 12兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM252J-12.000MDJ-TTR 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM325-48.000MDE-T QST QTM325-48.000MDE-T 0.7128
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ECAD 7589 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-30.000MDE-T QST QTM252E-30.000MDE-T 0.8910
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ECAD 5546 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-125.000MBE-T QST QTM252-125.000MBE-T -
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ECAD 6889 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-125.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750D-125.000MBE-T QST QTM750D-125.000MBE-T 5.0000
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ECAD 2442 0.00000000 QST QTM750D 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 LVDS 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM750D-125.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-20.000MBE-T QST QTM216-20.000MBE-T 0.7128
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ECAD 3051 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-30.000MBJ-T QST QTM252E-30.000MBJ-T 0.9720
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ECAD 7691 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 30兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-48.000MBB-T QST QTM532-48.000MBB-T 1.5700
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM532-48.000MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-114.285MCE-T QST QTM532-114.285MCE-T -
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ECAD 6862 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-114.285MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532-38.880MBO-T QST QTS532-38.880MBO-T 7.6950
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ECAD 9931 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 38.88兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM252E-24.000MBE-T QST QTM252E-24.000MBE-T 0.8910
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ECAD 8973 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532-20.000MBO-T QST QTS532-20.000MBO-T 7.6950
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ECAD 3520 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 20兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM252-32.000MBE-T QST QTM252-32.000MBE-T 0.7128
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ECAD 2059 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532C-12.800MBO-T QST QTS532C-12.800MBO-T 7.6950
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ECAD 9708 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 VCTCXO 12.8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750-16.384MCD-T QST QTM750-16.384MCD-T 0.6400
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ECAD 8752 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750DH-312.500MBD-T QST QTM750DH-312.500MBD-T -
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ECAD 第1462章 0.00000000 QST QTM750DH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.074英寸(1.88毫米) 表面贴装 8-SMD,无铅 XO(标准) 312.5兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM750DH-312.500MBD-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 100毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750-75.000MDE-T QST QTM750-75.000MDE-T -
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ECAD 1808 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM750-75.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-48.000MBB-T QST QTM325-48.000MBB-T 1.5700
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ECAD 14 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM325-48.000MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-19.200MDG-T QST QTT161-19.200MDG-T 1.2000年
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ECAD 6734 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM532P-155.520MBD-T QST QTM532P-155.520MBD-T 3.6450
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ECAD 5968 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 155.52兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252J-125.000MBJ-T QST QTM252J-125.000MBJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 125兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-125.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTK532-32.768KDA-T QST QTK532-32.768KDA-T 0.8000
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ECAD 9574 0.00000000 QST QTK532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃~70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 1,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252J-8.192MDJ-T QST QTM252J-8.192MDJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 8.192兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM252J-8.192MDJ-TTR 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM532-150.000MDE-T QST QTM532-150.000MDE-T -
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ECAD 7944 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 150兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-150.000MDE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-33.333MBJ-T QST QTM216E-33.333MBJ-T 0.9720
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ECAD 5607 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-33.333MCE-T QST QTM532-33.333MCE-T 0.7128
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ECAD 2976 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-16.384MBE-T QST QTM532-16.384MBE-T 0.5867
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ECAD 6009 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-12.288MBE-T QST QTM216-12.288MBE-T 0.7128
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ECAD 5878 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 12.288兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
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