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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTM325-156.250MBE-T | - | ![]() | 9917 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 156.25兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM325-156.250MBE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | - | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252E-25.000MCE-T | 0.7333 | ![]() | 4422 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT252-50.000MBG-T | 1.1340 | ![]() | 9717 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 50兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-24.000MCE-T | 0.8910 | ![]() | 9318 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT161-25.000MBN-T | 1.2960 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 25兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-27.000MDE-T | 1.4300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 3001-QTM252-27.000MDE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252J-38.400MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-38.400MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |
![]() | QTM216E-20.000MBE-T | 0.7333 | ![]() | 7124 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
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![]() | QTM325-100.000MDE-T | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 100兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM325-100.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 15毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM750-12.288MDE-T | 0.7290 | ![]() | 8829 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12.288兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS750C-26.000MBP-T | 15.0000 | ![]() | 3573 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 26兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTS750C-26.000MBP-TTR | 8541.60.0060 | 1 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTM252E-25.000MDE-T | 0.7333 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325-125.000MBE-T | - | ![]() | 8077 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 125兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 3001-QTM325-125.000MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 15毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM216-50.000MDE-T | 0.7128 | ![]() | 9422 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 50兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS532-20.000MBF-T | 6.4800 | ![]() | 4192 | 0.00000000 | QST | QTS532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 20兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-10.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 4339 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 10兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-25.000MDJ-T | 0.9720 | ![]() | 6228 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-14.31818MDE-T | 0.7290 | ![]() | 6954 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 14.31818兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-27.000MDE-T | 1.4300 | ![]() | 5711 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532-27.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTS750-19.200MBO-T | 8.5050 | ![]() | 5869 | 0.00000000 | QST | QTS750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 19.2兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-40.000MBA-T | 1.5700 | ![]() | 39 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252-40.000MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |
![]() | QTM252E-33.333MDM-T | 1.0530 | ![]() | 1016 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-75.000MDE-T | 2.1400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 75兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM252-75.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTT252-19.200MBS-T | 0.8000 | ![]() | 5356 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 19.2兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216-100.000MCE-T | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 100兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-100.000MCE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM532-77.760MBE-T | 0.7128 | ![]() | 5706 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 77.76兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-25.000MBE-T | 0.8910 | ![]() | 8074 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-66.000MDE-T | 0.5867 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT216-16.369MDG-T | 1.2960 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 16.369兆赫 | 削波正弦波 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - |

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