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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTS750C-13.000MBP-T | 8.5050 | ![]() | 9810 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 13兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-24.576MBE-T | 0.7333 | ![]() | 第2452章 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-24.000MCM-T | 1.0530 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS532-25.000MBG-T | 6.4800 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | QST | QTS532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 25兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-38.400MDM-T | 1.0530 | ![]() | 1949年 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252J-4.000MDJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 4兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 3001-QTM252J-4.000MDJ-TTR | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | ||||||
![]() | QTT325-25.000MBS-T | 0.8000 | ![]() | 2730 | 0.00000000 | QST | QTT325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 25兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325-24.576MBA-T | 1.5700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM325-24.576MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |
![]() | QTS750C-30.720MBG-T | 7.2900 | ![]() | 第1729章 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 30.72兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-20.000MDJ-T | 0.8000 | ![]() | 3985 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252J-1.8432MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 4.252英寸长 x 2.665英寸宽(108.00毫米 x 67.70毫米) | 0.165英寸(4.19毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 1.8432兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-1.8432MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |
![]() | QTM325-14.31818MBA-T | 1.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 14.31818兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM325-14.31818MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |
![]() | QTM252J-30.000MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 30兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-30.000MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |
![]() | QTS750-12.800MBP-T | - | ![]() | 7147 | 0.00000000 | QST | QTS750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 12.8兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-20.000MDM-T | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-32.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT216-26.000MBN-T | 1.1340 | ![]() | 3576 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 26兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-32.768MDE-T | 0.7290 | ![]() | 7408 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32.768 kHz | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM532P-25.000MBE-T | - | ![]() | 9863 | 0.00000000 | QST | QTM532P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532P-25.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 70毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM532-33.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 5901 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS750C-12.800MBP-T | 15.0000 | ![]() | 1605 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 12.8兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTS750C-12.800MBP-TTR | 8541.60.0060 | 1 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTM750-40.000MCE-T | 0.7290 | ![]() | 2331 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT252-40.000MDG-T | 1.1340 | ![]() | 4473 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 40兆赫 | 削波正弦波 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-114.285MBE-T | - | ![]() | 9418 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 114.285兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-37.400MCJ-T | 0.9720 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 37.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325-66.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 9278 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325D-66.660MBE-T | - | ![]() | 6213 | 0.00000000 | QST | QTM325D | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.041英寸(1.05毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 66.66兆赫 | LVDS | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM325D-66.660MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 50毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM325-33.333MBE-T | 0.7128 | ![]() | 4554 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT161-52.000MDN-T | 1.2960 | ![]() | 4242 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 52兆赫 | 削波正弦波 | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-133.000MBE-T | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 133兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM252-133.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - |

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