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振荡器(1334)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
QTM252E-30.000MCM-T QST QTM252E-30.000MCM-T 1.0530
询价
 ECAD 4932 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-62.500MDE-T QST QTM252-62.500MDE-T 1.4300
询价
 ECAD 50 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-62.500MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-24.576MBG-T QST QTS750C-24.576MBG-T 7.2900
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 ECAD 3077 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT325-16.369MBN-T QST QTT325-16.369MBN-T 0.9720
询价
 ECAD 8402 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252-22.5792MBA-T QST QTM252-22.5792MBA-T 1.4300
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 ECAD 85 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 22.5792兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-22.5792MBA-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750P-150.000MBD-T QST QTM750P-150.000MBD-T 3.2400
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 ECAD 2198 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 150兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252E-38.400MCM-T QST QTM252E-38.400MCM-T 1.0530
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 ECAD 6905 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV325P-155.520MBB-T QST QTV325P-155.520MBB-T 6.0750
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 ECAD 3260 0.00000000 QST QTV325P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.038英寸（0.96毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶体振荡器 155.52兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 - ±50ppm - -
QTS750-25.000MBG-T QST QTS750-25.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 8214 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTS532C-12.800MBP-T QST QTS532C-12.800MBP-T 7.6950
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 ECAD 7869 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.059英寸（1.50毫米） 表面贴装 10-SMD，无铅 温补晶振 12.8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750-125.000MCE-T QST QTM750-125.000MCE-T 1.6200
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 ECAD 1278 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 125兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-10.000MBP-T QST QTS750C-10.000MBP-T 8.5050
询价
 ECAD 8466 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 10兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM532-33.000MDE-T QST QTM532-33.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 2081 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-30.000MDM-T QST QTM216E-30.000MDM-T 2.0000
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-3.6864MDE-T QST QTM750-3.6864MDE-T 0.7290
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 ECAD 8612 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 3.6864兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-52.000MDG-T QST QTT161-52.000MDG-T 1.4580
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 ECAD 8708 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 52兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM216-1.000MBE-T QST QTM216-1.000MBE-T 0.5867
询价
 ECAD 7414 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 1兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-100.000MDE-T QST QTM216-100.000MDE-T -
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 ECAD 3693 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-100.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-33.000MDE-T QST QTM252-33.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 7829 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-16.384MDE-T QST QTM532-16.384MDE-T 0.7128
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 ECAD 9373 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-156.250MCE-T QST QTM532-156.250MCE-T -
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 ECAD 7560 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 156.25兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-156.250MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-48.000MCE-T QST QTM532-48.000MCE-T 0.5867
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 ECAD 9364 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 48兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-33.000MCE-T QST QTM252-33.000MCE-T 0.7128
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 ECAD 9378 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-24.000MCE-T QST QTM532-24.000MCE-T 0.7128
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 ECAD 1490 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-38.400MDE-T QST QTM252E-38.400MDE-T 0.8910
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 ECAD 4437 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-2.048MDE-T QST QTM216-2.048MDE-T 0.7128
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 ECAD 2579 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.000MDJ-T QST QTM252E-24.000MDJ-T 0.9720
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 ECAD 2368 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-24.576MCE-T QST QTM532-24.576MCE-T 0.7128
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 ECAD 2588 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-30.000MBJ-T QST QTM216E-30.000MBJ-T 0.9720
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 ECAD 2514 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-33.333MCJ-T QST QTM216E-33.333MCJ-T 0.9720
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 ECAD 2601 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    标准产品单位

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    智能仓库

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