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振荡器(1334)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
QTS532C-49.152MBP-T QST QTS532C-49.152MBP-T 7.6950
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 ECAD 2387 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.059英寸（1.50毫米） 表面贴装 10-SMD，无铅 温补晶振 49.152兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTO107-48.000MBT-T QST QTO107-48.000MBT-T -
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 ECAD 6125 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.382英寸长x 0.295英寸宽（9.70毫米x 7.50毫米） 0.222英寸（5.65毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 空气晶振 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 10 - 170毫安 水晶 ±15ppb - - -
QTM216E-27.000MDJ-T QST QTM216E-27.000MDJ-T 0.9720
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 ECAD 4518 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 27兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-38.400MCJ-T QST QTM216E-38.400MCJ-T 0.9720
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 ECAD 3807 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.576MCM-T QST QTM252E-24.576MCM-T 1.0530
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 ECAD 7482 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-66.000MDE-T QST QTM325-66.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 第1475章 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-120.000MCE-T QST QTM750-120.000MCE-T 1.6200
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 ECAD 5576 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 120兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-38.400MCE-T QST QTM216E-38.400MCE-T 0.8910
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 ECAD 9119 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-2.048MBE-T QST QTM532-2.048MBE-T 0.7128
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 ECAD 8918 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-33.3330MBB-T QST QTM532-33.3330MBB-T 1.5700
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 ECAD 200 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM532-33.3330MBB-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-24.576MDE-T QST QTM216E-24.576MDE-T 0.8910
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 ECAD 3226 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-33.333MDE-T QST QTM750-33.333MDE-T 0.6000
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 ECAD 8767 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-20.000MBP-T QST QTS750C-20.000MBP-T 15.0000
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 ECAD 5359 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTS750C-20.000MBP-TTR 8541.60.0050 1 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTS750C-19.440MBG-T QST QTS750C-19.440MBG-T 7.2900
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 ECAD 5647 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 19.44兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT252-50.000MBS-T QST QTT252-50.000MBS-T 0.9720
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 ECAD 5049 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 50兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216-32.000MCE-T QST QTM216-32.000MCE-T 0.5867
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 ECAD 4741 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV325-30.720MBG-T QST QTV325-30.720MBG-T 6.0000
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 ECAD 5290 0.00000000 QST QTV325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.038英寸（0.96毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶体振荡器 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM216E-33.333MBM-T QST QTM216E-33.333MBM-T 2.0000
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.576MDE-T QST QTM252E-24.576MDE-T 0.8910
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 ECAD 9674 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.000MDM-T QST QTM252E-24.000MDM-T 1.0530
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 ECAD 8734 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-112.000MDE-T QST QTM252-112.000MDE-T -
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 ECAD 7428 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-112.000MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750P-133.330MBE-T QST QTM750P-133.330MBE-T 5.0000
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 ECAD 100 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 133.33兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 3001-QTM750P-133.330MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-40.000MBE-T QST QTM325-40.000MBE-T 0.7128
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 ECAD 3467 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532C-10.000MBP-T QST QTS532C-10.000MBP-T 7.6950
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 ECAD 1021 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.059英寸（1.50毫米） 表面贴装 10-SMD，无铅 温补晶振 10兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM216-10.000MBE-T QST QTM216-10.000MBE-T 0.5867
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 ECAD 5486 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 10兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-30.000MBG-T QST QTS750C-30.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 7375 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 30兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT216-38.400MBG-T QST QTT216-38.400MBG-T 1.2960
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 ECAD 8309 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT216-26.000MBG-T QST QTT216-26.000MBG-T 1.2960
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 ECAD 9983 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 26兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM216E-24.000MCM-T QST QTM216E-24.000MCM-T 0.8667
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 ECAD 8739 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-120.000MCE-T QST QTM216-120.000MCE-T -
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 ECAD 6662 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 120兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-120.000MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    标准产品单位

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    智能仓库

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