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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTM750-1.544MDD-T | 0.6400 | ![]() | 2980 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 1.544兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216-24.000MDE-T | 0.7128 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216-24.576MCE-T | 0.7128 | ![]() | 6541 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-2.048MCD-T | 0.7776 | ![]() | 4308 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 2.048兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325-2.048MBE-T | 0.7128 | ![]() | 5524 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 2.048兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-24.000MCM-T | 0.8667 | ![]() | 8739 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTT216-26.000MBG-T | 1.2960 | ![]() | 9983 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 26兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM216-120.000MCE-T | - | ![]() | 6662 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 120兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-120.000MCE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTT252-38.400MDN-T | 1.7200 | ![]() | 1865年 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 38.4兆赫 | 削波正弦波 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-100.000MBE-T | 1.2663 | ![]() | 9980 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 100兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216-10.000MBE-T | 0.5867 | ![]() | 5486 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 10兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS532C-10.000MBP-T | 7.6950 | ![]() | 1021 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 10兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTT216-38.400MBG-T | 1.2960 | ![]() | 8309 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 38.4兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTV750-38.880MBB-T | 3.5700 | ![]() | 6410 | 0.00000000 | QST | QTV750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶振 | 38.88兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTV750-38.880MBB-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 30毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | ||||
![]() | QTS532C-24.576MBF-T | 5.3333 | ![]() | 4733 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | VCTCXO | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-80.000MDE-T | - | ![]() | 5694 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 80兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 3001-QTM532-80.000MDE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTS750C-30.000MBG-T | 7.2900 | ![]() | 7375 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 30兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTS750C-51.200MBG-T | 6.0000 | ![]() | 1140 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 51.2兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTS750C-19.440MBF-T | 7.2900 | ![]() | 1906年 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 19.44兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-133.000MDE-T | 2.7200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 133兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532-133.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252J-4.096MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 6.600 英寸长 x 3.200 英寸宽(167.64 毫米 x 81.28 毫米) | 0.142英寸(3.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 4.096兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-4.096MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |
![]() | QTM532-114.285MDE-T | - | ![]() | 1901年 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 114.285兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532-114.285MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM216-133.000MDE-T | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 133兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-133.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252E-20.000MDE-T | 0.8910 | ![]() | 6950 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325-33.3330MBD-T | 0.7776 | ![]() | 6081 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216-98.304MBE-T | - | ![]() | 9758 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 98.304兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-98.304MBE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM325-50.000MCE-T | 0.7128 | ![]() | 3970 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 50兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750S-100.000MBE-T | 5.0000 | ![]() | 2776 | 0.00000000 | QST | QTM750S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 100兆赫 | HCSL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM750S-100.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 50毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252J-16.384MBJ-T | 1.7200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.384兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM252J-16.384MBJ-TTR | EAR99 | 8541.60.0050 | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |
![]() | QTS532C-30.720MBO-T | - | ![]() | 5173 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | VCTCXO | 30.72兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - |

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