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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTV532P-155.520MBB-T | 4.6667 | ![]() | 4518 | 0.00000000 | QST | QTV532P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶振 | 155.52兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 80毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | |||||
![]() | QTM216E-38.400MDE-T | 0.8910 | ![]() | 1661 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-40.000MBD-T | 0.6400 | ![]() | 8028 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750D-156.250MBE-T | 5.0000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | QST | QTM750D | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 156.25兆赫 | LVDS | 3.3V | 下载 | 3001-QTM750D-156.250MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 50毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252E-37.400MCM-T | 1.0530 | ![]() | 2487 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 37.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-66.000MBE-T | 0.7290 | ![]() | 2394 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-22.000MCE-T | 0.7290 | ![]() | 6562 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 22兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-66.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 5527 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-40.000MBJ-T | 0.9720 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-50.000MCE-T | 0.7128 | ![]() | 8717 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 50兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS750-19.200MBG-T | 7.2900 | ![]() | 1944年 | 0.00000000 | QST | QTS750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 19.2兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-20.480MBE-T | 0.7290 | ![]() | 9159 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20.48兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252-66.000MCE-T | 0.5867 | ![]() | 7775 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTS750C-12.800MBF-T | 7.2900 | ![]() | 5697 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 12.8兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-25.000MCJ-T | 0.9720 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM216E-37.400MBJ-T | 0.9720 | ![]() | 1513 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 37.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325P-25.000MBE-T | - | ![]() | 5446 | 0.00000000 | QST | QTM325P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.041英寸(1.05毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 3001-QTM325P-25.000MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 70毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252E-24.576MBM-T | 2.0000 | ![]() | 2655 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750P-155.520MBD-T | 3.2400 | ![]() | 4577 | 0.00000000 | QST | QTM750P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 155.52兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 70毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM750-150.000MBE-T | 2.2680 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 150兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM325S-100.000MBE-T | - | ![]() | 7677 | 0.00000000 | QST | QTM325S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.041英寸(1.05毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 100兆赫 | HCSL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM325S-100.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 50毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTT252-40.000MBG-T | 1.1340 | ![]() | 9774 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 40兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-27.000MDM-T | 1.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM252E-27.000MDM-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM750DH-312.500MBE-T | - | ![]() | 6523 | 0.00000000 | QST | QTM750DH | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.074英寸(1.88毫米) | 表面贴装 | 8-SMD,无铅 | XO(标准) | 312.5兆赫 | LVDS | 3.3V | 下载 | 3001-QTM750DH-312.500MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 100毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM216E-38.400MBE-T | 0.7333 | ![]() | 5232 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM252E-38.400MBM-T | 1.8600 | ![]() | 100 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38.4兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM252E-38.400MBM-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM750-62.500MDE-T | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 62.5兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-44.000MBA-T | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 44兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 3001-QTM532-44.000MBA-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |
![]() | QTS750C-54.000MBP-T | 7.0000 | ![]() | 2618 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 54兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||||
![]() | QTM532-75.000MDE-T | - | ![]() | 4386 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 75兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532-75.000MDE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - |

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