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振荡器(1334)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
QTV532P-155.520MBB-T QST QTV532P-155.520MBB-T 4.6667
询价
 ECAD 4518 0.00000000 QST QTV532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶振 155.52兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM750D-156.250MBE-T QST QTM750D-156.250MBE-T 5.0000
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 ECAD 100 0.00000000 QST QTM750D 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.063英寸（1.60毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 156.25兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM750D-156.250MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-38.400MDE-T QST QTM216E-38.400MDE-T 0.8910
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 ECAD 1661 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-40.000MBD-T QST QTM750-40.000MBD-T 0.6400
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 ECAD 8028 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM532-106.250MDE-T QST QTM532-106.250MDE-T -
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 ECAD 1770 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 106.25兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-106.250MDE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-40.000MCM-T QST QTM216E-40.000MCM-T 1.0530
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 ECAD 8545 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-25.000MBE-T QST QTM216-25.000MBE-T 1.4300
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 ECAD 1 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-25.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-38.400MBN-T QST QTT161-38.400MBN-T 1.2960
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 ECAD 7271 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252-98.304MDE-T QST QTM252-98.304MDE-T -
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 ECAD 2762 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM252-98.304MDE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-20.000MCE-T QST QTM216E-20.000MCE-T 0.7333
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 ECAD 8835 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-25.000MBG-T QST QTT161-25.000MBG-T 1.4580
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 ECAD 4281 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM325-25.000MBD-T QST QTM325-25.000MBD-T 0.6400
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 ECAD 6193 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM325-112.000MBE-T QST QTM325-112.000MBE-T -
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 ECAD 4962 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-112.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-112.000MCE-T QST QTM325-112.000MCE-T -
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 ECAD 4909 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-112.000MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-4.000MBJ-T QST QTM252J-4.000MBJ-T 1.7200
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 4兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-4.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM532-100.000MDE-T QST QTM532-100.000MDE-T 2.7200
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 ECAD 5205 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-100.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT216-26.000MDG-T QST QTT216-26.000MDG-T 1.2960
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 ECAD 6544 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 26兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM216-75.000MBE-T QST QTM216-75.000MBE-T -
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 ECAD 2408 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 75兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTM216-75.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-40.000MDG-T QST QTT161-40.000MDG-T 1.4580
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 ECAD 5865 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 40兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM532-1.000MCE-T QST QTM532-1.000MCE-T -
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 ECAD 7408 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 1兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV532-30.720MBG-T QST QTV532-30.720MBG-T 5.0000
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 ECAD 7883 0.00000000 QST QTV532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶振 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM750-24.000MBD-T QST QTM750-24.000MBD-T 1.4300
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 ECAD 90 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTM750-24.000MBD-TTR 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750-112.000MCE-T QST QTM750-112.000MCE-T 1.6200
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 ECAD 6386 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-33.000MBD-T QST QTM750-33.000MBD-T 0.7776
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 ECAD 5570 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750-50.000MBE-T QST QTM750-50.000MBE-T 0.8194
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 ECAD 2765 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 50兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325D-125.000MBE-T QST QTM325D-125.000MBE-T -
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 ECAD 第1156章 0.00000000 QST QTM325D 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.041英寸（1.05毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 125兆赫 LVDS 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325D-125.000MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 50毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-114.285MDE-T QST QTM325-114.285MDE-T -
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 ECAD 1888年 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM325-114.285MDE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532P-156.250MBD-T QST QTM532P-156.250MBD-T 3.6450
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 ECAD 9444 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 156.25兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTS750C-12.800MBO-T QST QTS750C-12.800MBO-T 8.5050
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 ECAD 5121 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 12.8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM325-32.768MDE-T QST QTM325-32.768MDE-T 0.7128
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 ECAD 7779 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    标准产品单位

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