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振荡器(1334)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
QTM750-50.000MBD-T QST QTM750-50.000MBD-T 0.7776
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 ECAD 9259 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 50兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTS750C-25.000MBG-T QST QTS750C-25.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 1938年 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-77.760MBE-T QST QTM750-77.760MBE-T 0.8910
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 ECAD 8462 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTO107-30.720MBT-T QST QTO107-30.720MBT-T -
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 ECAD 1815 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.382英寸长x 0.295英寸宽（9.70毫米x 7.50毫米） 0.222英寸（5.65毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 空气晶振 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 10 - 170毫安 水晶 ±15ppb - - -
QTM216E-40.000MDJ-T QST QTM216E-40.000MDJ-T 0.9720
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 ECAD 7070 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-24.000MDE-T QST QTM216E-24.000MDE-T 0.7333
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 ECAD 5400 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV532-61.440MBG-T QST QTV532-61.440MBG-T 5.0000
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 ECAD 5284 0.00000000 QST QTV532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶振 61.44兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTK532-32.768KDE-T QST QTK532-32.768KDE-T 0.8000
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 ECAD 2844 0.00000000 QST QTK532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 1,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-20.000MCE-T QST QTM216-20.000MCE-T 0.7128
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 ECAD 7300 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT325-38.400MBS-T QST QTT325-38.400MBS-T 0.8000
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 ECAD 2983 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTS750C-25.000MBO-T QST QTS750C-25.000MBO-T 8.5050
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 ECAD 4785 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM325-25.000MCE-T QST QTM325-25.000MCE-T 0.5867
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 ECAD 4892 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-25.000MDE-T QST QTM216E-25.000MDE-T 0.8910
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 ECAD 9940 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-37.400MDJ-T QST QTM252E-37.400MDJ-T 0.9720
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 ECAD 6806 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 37.4兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-10.000MCE-T QST QTM532-10.000MCE-T -
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 ECAD 6738 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 10兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-62.500MBE-T QST QTM216-62.500MBE-T -
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 ECAD 5003 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-62.500MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-24.576MCM-T QST QTM216E-24.576MCM-T 1.0530
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 ECAD 5287 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-26.000MBJ-T QST QTM252J-26.000MBJ-T 1.7200
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 ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 26兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-26.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTT252-38.40MDG-T QST QTT252-38.40MDG-T 1.1340
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 ECAD 6505 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-32.000MBE-T QST QTM750-32.000MBE-T 0.7290
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 ECAD 6079 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-32.000MDE-T QST QTM325-32.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 3650 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-6.000MBA-T QST QTM750-6.000MBA-T 0.7290
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 ECAD 4658 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 6兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252E-40.000MBE-T QST QTM252E-40.000MBE-T 0.8910
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 ECAD 1145 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-70.656MBE-T QST QTM750-70.656MBE-T 0.8910
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 ECAD 7870 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 70.656兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.000MDM-T QST QTM252E-24.000MDM-T 1.0530
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 ECAD 8734 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-19.440MBP-T QST QTS750C-19.440MBP-T 15.0000
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 ECAD 3693 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 19.44兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750-4.096MDD-T QST QTM750-4.096MDD-T 0.6400
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 ECAD 5724 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 4.096兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252E-33.333MCM-T QST QTM252E-33.333MCM-T 1.0530
询价
 ECAD 3808 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532DH-215.000MBD-T QST QTM532DH-215.000MBD-T -
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 ECAD 7865 0.00000000 QST QTM532DH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 8-SMD，无铅 XO（标准） 215兆赫 LVDS 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532DH-215.000MBD-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 100毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252E-27.000MDE-T QST QTM252E-27.000MDE-T 0.7333
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 ECAD 5371 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 27兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    标准产品单位

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