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振荡器(1334)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
QTM750-100.000MDE-T QST QTM750-100.000MDE-T 2.7200
询价
 ECAD 第1343章 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM750-100.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-1.000MBE-T QST QTM532-1.000MBE-T 0.7128
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 ECAD 3568 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 1兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-27.000MDM-T QST QTM216E-27.000MDM-T 2.0000
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 27兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-14.31818MCE-T QST QTM750-14.31818MCE-T 0.7290
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 ECAD 1234 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 14.31818兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-24.576MDE-T QST QTM532-24.576MDE-T -
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 ECAD 5922 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-20.480MBE-T QST QTM750-20.480MBE-T 0.7290
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 ECAD 9159 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20.48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT325-25.000MBG-T QST QTT325-25.000MBG-T 1.1340
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 ECAD 7460 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM252E-24.000MDE-T QST QTM252E-24.000MDE-T 0.8910
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 ECAD 9883 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-30.000MBE-T QST QTM325-30.000MBE-T 0.7128
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 ECAD 2168 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-24.576MDM-T QST QTM216E-24.576MDM-T 1.8600
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 ECAD 3 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 3001-QTM216E-24.576MDM-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-32.768MDE-T QST QTM532-32.768MDE-T 0.7128
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 ECAD 6289 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-25.000MCJ-T QST QTM216E-25.000MCJ-T 0.9720
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 ECAD 4338 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-30.000MCM-T QST QTM216E-30.000MCM-T 1.0530
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 ECAD 8657 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV532P-155.520MBG-T QST QTV532P-155.520MBG-T 5.0000
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 ECAD 6677 0.00000000 QST QTV532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶振 155.52兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTS750-38.880MBP-T QST QTS750-38.880MBP-T 8.5050
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 ECAD 6886 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.88兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTV325-30.720MBG-T QST QTV325-30.720MBG-T 6.0000
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 ECAD 5290 0.00000000 QST QTV325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.038英寸（0.96毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶振 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM750-60.000MDE-T QST QTM750-60.000MDE-T 0.7290
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 ECAD 7989 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 60兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合RoHS标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.576MBE-T QST QTM252E-24.576MBE-T 0.8910
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 ECAD 6135 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-77.760MCE-T QST QTM532-77.760MCE-T -
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 ECAD 5995 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM532-77.760MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-120.000MBE-T QST QTM216-120.000MBE-T -
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 ECAD 9552 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 120兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-120.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT216-19.200MBG-T QST QTT216-19.200MBG-T 1.2960
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 ECAD 9891 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-22.000MDE-T QST QTM750-22.000MDE-T 0.7290
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 ECAD 6718 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 22兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-25.000MBM-T QST QTM216E-25.000MBM-T 1.0530
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 ECAD 5596 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-50.000MBD-T QST QTM750-50.000MBD-T 0.7776
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 ECAD 9259 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 50兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTS750C-25.000MBG-T QST QTS750C-25.000MBG-T 7.2900
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 ECAD 1938年 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.079英寸（2.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-77.760MBE-T QST QTM750-77.760MBE-T 0.8910
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 ECAD 8462 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTO107-30.720MBT-T QST QTO107-30.720MBT-T -
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 ECAD 1815 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.382英寸长x 0.295英寸宽（9.70毫米x 7.50毫米） 0.222英寸（5.65毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 空气晶振 30.72兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 10 - 170毫安 水晶 ±15ppb - - -
QTM216E-40.000MDJ-T QST QTM216E-40.000MDJ-T 0.9720
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 ECAD 7070 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 40兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-24.000MDE-T QST QTM216E-24.000MDE-T 0.7333
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 ECAD 5400 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV532-61.440MBG-T QST QTV532-61.440MBG-T 5.0000
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 ECAD 5284 0.00000000 QST QTV532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 压控晶振 61.44兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
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