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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大)
QTM750-10.000MBE-T QST QTM750-10.000MBE-T 0.8194
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ECAD 第1445章 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-16.384MBE-T QST QTM252-16.384MBE-T 0.5867
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ECAD 4654 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-156.250MDE-T QST QTM532-156.250MDE-T -
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ECAD 7944 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 156.25兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-156.250MDE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-20.000MDJ-T QST QTM252J-20.000MDJ-T 1.7200
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ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM252J-20.000MDJ-TTR 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTT325-25.000MBG-T QST QTT325-25.000MBG-T 1.1340
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ECAD 7460 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT216-19.200MBG-T QST QTT216-19.200MBG-T 1.2960
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ECAD 9891 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTS532C-25.000MBF-T QST QTS532C-25.000MBF-T 5.3333
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ECAD 3286 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 VCTCXO 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTV325P-122.880MBB-T QST QTV325P-122.880MBB-T 6.0750
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ECAD 6569 0.00000000 QST QTV325P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.038英寸(0.96毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶振 122.88兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 - ±50ppm - -
QTS750-12.800MBO-T QST QTS750-12.800MBO-T 8.5050
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ECAD 4697 0.00000000 QST QTS750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 12.8兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM325-80.000MBE-T QST QTM325-80.000MBE-T -
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ECAD 5118 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 80兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM325-80.000MBE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-106.250MDE-T QST QTM216-106.250MDE-T -
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ECAD 4293 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 106.25兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-106.250MDE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-50.000MBD-T QST QTM750-50.000MBD-T 0.7776
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ECAD 9259 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252-25.000MDE-T QST QTM252-25.000MDE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-25.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-40.000MCJ-T QST QTM216E-40.000MCJ-T 0.9720
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ECAD 8498 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532-12.800MBO-T QST QTS532-12.800MBO-T 7.6950
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ECAD 8484 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 12.8兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM325-114.285MDE-T QST QTM325-114.285MDE-T -
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ECAD 1888年 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 3001-QTM325-114.285MDE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 15毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-150.000MBE-T QST QTM325-150.000MBE-T -
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ECAD 3919 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 150兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTM325-150.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 - 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-25.000MCM-T QST QTM252E-25.000MCM-T 0.8667
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ECAD 2919 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532P-156.250MBD-T QST QTM532P-156.250MBD-T 3.6450
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ECAD 9444 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 156.25兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTS750C-12.800MBO-T QST QTS750C-12.800MBO-T 8.5050
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ECAD 5121 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 12.8兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTT325-26.000MBS-T QST QTT325-26.000MBS-T 2.2900
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ECAD 7929 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 26兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216-32.768MBE-T QST QTM216-32.768MBE-T 0.5867
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ECAD 7987 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-112.000MDE-T QST QTM750-112.000MDE-T 1.6200
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ECAD 8161 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 112兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325P-133.330MBE-T QST QTM325P-133.330MBE-T -
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ECAD 4476 0.00000000 QST QTM325P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 133.33兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 3001-QTM325P-133.330MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-32.768MDE-T QST QTM325-32.768MDE-T 0.7128
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ECAD 7779 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT252-40.000MDN-T QST QTT252-40.000MDN-T 1.7200
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ECAD 4081 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 40兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTT252-40.000MDN-TTR 8541.60.0060 1 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216-16.384MDE-T QST QTM216-16.384MDE-T 0.7128
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ECAD 1906年 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-52.000MBS-T QST QTT161-52.000MBS-T 1.2960
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ECAD 7550 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 52兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252J-11.2896MBJ-T QST QTM252J-11.2896MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 11.2896兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-11.2896MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTM325-10.000MCE-T QST QTM325-10.000MCE-T 0.5867
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ECAD 3847 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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