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振荡器(1334)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
QTM216E-20.000MDM-T QST QTM216E-20.000MDM-T 2.0000
询价
 ECAD 2 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532P-156.250MBE-T QST QTM532P-156.250MBE-T -
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 ECAD 3200 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 156.25兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532P-156.250MBE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532P-125.000MBD-T QST QTM532P-125.000MBD-T 3.6450
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 ECAD 7697 0.00000000 QST QTM532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 6-SMD，无铅 XO（标准） 125兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750DH-212.500MBE-T QST QTM750DH-212.500MBE-T -
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 ECAD 3946 0.00000000 QST QTM750DH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.074英寸（1.88毫米） 表面贴装 8-SMD，无铅 XO（标准） 212.5兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM750DH-212.500MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 100毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-33.000MBE-T QST QTM750-33.000MBE-T 0.7290
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 ECAD 3491 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750DH-200.000MBE-T QST QTM750DH-200.000MBE-T 5.0000
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 ECAD 95 0.00000000 QST QTM750DH 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.074英寸（1.88毫米） 表面贴装 8-SMD，无铅 XO（标准） 200兆赫 LVDS 3.3V 下载 3001-QTM750DH-200.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 100毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-112.000MCE-T QST QTM532-112.000MCE-T -
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 ECAD 6379 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 112兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-112.000MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-20.000MCJ-T QST QTM252E-20.000MCJ-T 0.9720
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 ECAD 9261 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-66.000MBE-T QST QTM252-66.000MBE-T 0.5867
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 ECAD 8877 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-2.048MBD-T QST QTM750-2.048MBD-T 0.6400
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 ECAD 5759 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252J-24.000MBJ-T QST QTM252J-24.000MBJ-T 1.7200
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 ECAD 2 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-24.000MBJ-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTT216-38.400MBN-T QST QTT216-38.400MBN-T 1.1340
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 ECAD 2558 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM252-77.760MCE-T QST QTM252-77.760MCE-T -
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 ECAD 2945 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-77.760MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTK325-32.768KBA-T QST QTK325-32.768KBA-T 1.5700
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 ECAD 3 0.00000000 QST QTK325 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 1 启用/禁用 3毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM750-49.152MBA-T QST QTM750-49.152MBA-T 1.7200
询价
 ECAD 1 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -10℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.056英寸（1.42毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 49.152兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM750-49.152MBA-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTT216-16.369MDG-T QST QTT216-16.369MDG-T 1.2960
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 ECAD 8594 0.00000000 QST QTT216 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM216E-38.400MCM-T QST QTM216E-38.400MCM-T 1.0530
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 ECAD 7490 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-77.760MBE-T QST QTM532-77.760MBE-T 0.7128
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 ECAD 5706 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.055英寸（1.40毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-25.000MBE-T QST QTM216E-25.000MBE-T 0.8910
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 ECAD 8074 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-100.000MCE-T QST QTM216-100.000MCE-T -
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 ECAD 6592 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 100兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM216-100.000MCE-TTR 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-66.000MDE-T QST QTM252-66.000MDE-T 0.5867
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 ECAD 9918 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-75.000MDE-T QST QTM252-75.000MDE-T 2.1400
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 ECAD 50 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 75兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-75.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT252-19.200MBS-T QST QTT252-19.200MBS-T 0.8000
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 ECAD 5356 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 VCTCXO 19.2兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM216E-33.333MBE-T QST QTM216E-33.333MBE-T 0.8910
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 ECAD 6307 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.032英寸（0.81毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 CMOS（低EMI） 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-20.000MBE-T QST QTM325-20.000MBE-T 1.5700
询价
 ECAD 2 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.043英寸（1.10毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-30.000MDE-T QST QTM252-30.000MDE-T 0.7128
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 ECAD 6570 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 30兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-12.288MDE-T QST QTM216-12.288MDE-T 0.7128
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 ECAD 1015 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽（2.00 毫米 x 1.60 毫米） 0.033英寸（0.83毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 12.288兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-38.400MBG-T QST QTT161-38.400MBG-T 1.4580
询价
 ECAD 7719 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃～85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽（1.60毫米x 1.20毫米） 0.024英寸（0.60毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 温补晶振 38.4兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM252E-25.000MCE-T QST QTM252E-25.000MCE-T 0.7333
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 ECAD 4422 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-24.000MCE-T QST QTM252E-24.000MCE-T 0.8910
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 ECAD 9318 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 CMOS（低EMI） 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
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