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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大)
QTM532-133.000MCE-T QST QTM532-133.000MCE-T -
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ECAD 3706 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 133兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-133.000MCE-TTR 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-27.000MBE-T QST QTM252-27.000MBE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 27兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM252-27.000MBE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-48.000MCE-T QST QTM750-48.000MCE-T 0.7290
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ECAD 7657 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-50.000MDE-T QST QTM325-50.000MDE-T 1.4300
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ECAD 500 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 50兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-2.048MCE-T QST QTM532-2.048MCE-T 0.7128
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ECAD 1113 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 2.048兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 EAR99 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-150.000MDE-T QST QTM750-150.000MDE-T 2.2680
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ECAD 6942 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 150兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTO107-19.200MBL-T QST QTO107-19.200MBL-T 128.5700
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ECAD 7958 0.00000000 QST QTO107 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.374英寸长x 0.287英寸宽(9.50毫米x 7.30毫米) 0.222英寸(5.65毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 空气晶振 19.2兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 10 - 170毫安 水晶 ±20ppb - - -
QTM216E-20.000MCJ-T QST QTM216E-20.000MCJ-T 0.8000
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ECAD 7523 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-25.000MBP-T QST QTS750C-25.000MBP-T 15.0000
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ECAD 6177 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTS750C-25.000MBP-TTR EAR99 8541.60.0060 1 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM750-48.000MDE-T QST QTM750-48.000MDE-T 0.7290
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ECAD 5938 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216E-24.000MDM-T QST QTM216E-24.000MDM-T 2.0000
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ECAD 3 0.00000000 QST QTM216E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.032英寸(0.81毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTK325-32.768KDE-T QST QTK325-32.768KDE-T 0.6667
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ECAD 7733 0.00000000 QST QTK325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-16.369MBN-T QST QTT161-16.369MBN-T 1.0667
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ECAD 3608 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM750-1.000MBE-T QST QTM750-1.000MBE-T 0.7290
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ECAD 2279 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 1兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-106.250MBE-T QST QTM252-106.250MBE-T -
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ECAD 9783 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 106.25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTM252-106.250MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-38.880MBO-T QST QTS750C-38.880MBO-T 8.5050
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ECAD 4866 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 38.88兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTS750C-38.880MBP-T QST QTS750C-38.880MBP-T 8.5050
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ECAD 9687 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 38.88兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM252E-25.000MCM-T QST QTM252E-25.000MCM-T 0.8667
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ECAD 2919 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 CMOS(低EMI) 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252J-11.2896MBJ-T QST QTM252J-11.2896MBJ-T 1.7200
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM252J 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ AEC-Q100 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 11.2896兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 3001-QTM252J-11.2896MBJ-TTR EAR99 8541.60.0050 1 启用/禁用 22毫安 水晶 ±50ppm - - 18毫安
QTT161-52.000MBS-T QST QTT161-52.000MBS-T 1.2960
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ECAD 7550 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 52兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±2ppm - - -
QTM750-12.000MBE-T QST QTM750-12.000MBE-T 0.8194
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ECAD 7733 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 12兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-20.000MBJ-T QST QTM252E-20.000MBJ-T 0.9720
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ECAD 2208 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 20兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-62.500MDE-T QST QTM325-62.500MDE-T 0.7128
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ECAD 6292 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 62.5兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750P-150.000MBE-T QST QTM750P-150.000MBE-T 5.7200
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ECAD 135 0.00000000 QST QTM750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 150兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 70毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-10.000MCE-T QST QTM325-10.000MCE-T 0.5867
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ECAD 3847 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-22.000MCE-T QST QTM750-22.000MCE-T 0.7290
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ECAD 6562 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 22兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-66.000MBE-T QST QTM532-66.000MBE-T 0.7128
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ECAD 5527 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 66兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-10.000MDE-T QST QTM532-10.000MDE-T 0.7128
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ECAD 9901 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 10兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV532-122.880MBG-T QST QTV532-122.880MBG-T 5.0000
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ECAD 7985 0.00000000 QST QTV532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶振 122.88兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM532-75.000MDE-T QST QTM532-75.000MDE-T -
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ECAD 4386 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 75兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 3001-QTM532-75.000MDE-TTR 8541.60.0060 1 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
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    标准产品单位

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    全球制造商

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