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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTM750P-166.000MBE-T | 5.7200 | ![]() | 2922 | 0.00000000 | QST | QTM750P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 166兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM750P-166.000MBE-TTR | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 70毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM252-20.480MDE-T | 0.7128 | ![]() | 4475 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20.48兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM750-156.250MBE-T | 2.2680 | ![]() | 3157 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 156.25兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTO107-10.000MBT-T | - | ![]() | 4927 | 0.00000000 | QST | QTO107 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.374英寸长x 0.287英寸宽(9.50毫米x 7.30毫米) | 0.222英寸(5.65毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 空气晶振 | 10兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 10 | - | 170毫安 | 水晶 | ±15ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTM216E-27.000MCM-T | 1.0530 | ![]() | 9712 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTS532-19.440MBP-T | 7.6950 | ![]() | 8509 | 0.00000000 | QST | QTS532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 19.44兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTS750-19.440MBP-T | 8.5050 | ![]() | 1826年 | 0.00000000 | QST | QTS750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 19.44兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTM750-24.000MDE-T | 0.7290 | ![]() | 3731 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM532-2.048MDE-T | 0.7128 | ![]() | 3614 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 2.048兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTV325-30.720MBB-T | 2.0000 | ![]() | 8745 | 0.00000000 | QST | QTV325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.038英寸(0.96毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶体振荡器 | 30.72兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 30毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | ||||
![]() | QTV750-122.880MBG-T | 4.3333 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | QST | QTV750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶体振荡器 | 122.88兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 30毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | ||||
![]() | QTM252E-40.000MCE-T | 0.8910 | ![]() | 9499 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTS532C-49.152MBG-T | 6.4800 | ![]() | 8958 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 49.152兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTM252-106.250MCE-T | - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 106.25兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM252-106.250MCE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTS750-38.880MBG-T | 7.2900 | ![]() | 2329 | 0.00000000 | QST | QTS750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 38.88兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | ||||
![]() | QTT252-38.400MBN-T | 1.7200 | ![]() | 3453 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 38.4兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTT252-38.400MBN-TTR | 8541.60.0060 | 1 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM216-20.000MDE-T | 0.7128 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 20兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM532-125.000MCE-T | - | ![]() | 5179 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 125兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM532-125.000MCE-TTR | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTO107-30.720MBL-T | 114.2900 | ![]() | 6614 | 0.00000000 | QST | QTO107 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.382英寸长x 0.295英寸宽(9.70毫米x 7.50毫米) | 0.222英寸(5.65毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 空气晶振 | 30.72兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 8541.60.0060 | 100 | - | 170毫安 | 水晶 | ±20ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM252E-25.000MDM-T | 1.8600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM325-125.000MCE-T | - | ![]() | 5933 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 125兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 3001-QTM325-125.000MCE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 15毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM325-16.384MCE-T | 0.7128 | ![]() | 4380 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.384兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM216E-24.000MCJ-T | 0.8000 | ![]() | 3772 | 0.00000000 | QST | QTM216E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.032英寸(0.81毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | CMOS(低EMI) | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTT216-26.000MBS-T | 1.1340 | ![]() | 2444 | 0.00000000 | QST | QTT216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 26兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±2ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252J-7.3728MDJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 7.3728兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 3001-QTM252J-7.3728MDJ-TTR | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |||||
![]() | QTM252-40.000MCE-T | 0.7128 | ![]() | 3761 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||
![]() | QTM252J-48.000MDJ-T | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTM252J | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 48兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 3001-QTM252J-48.000MDJ-TTR | 1 | 启用/禁用 | 22毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | 18毫安 | |||||
![]() | QTM216-77.760MDE-T | - | ![]() | 9363 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 77.76兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3001-QTM216-77.760MDE-TTR | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTK532-32.768KBE-T | 1.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | QST | QTK532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32.768 kHz | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 3003-QTK532-32.768KBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0010 | 50 | 启用/禁用 | 3毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |
![]() | QTM750DH-312.500MBE-T | - | ![]() | 6523 | 0.00000000 | QST | QTM750DH | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.074英寸(1.88毫米) | 表面贴装 | 8-SMD,无铅 | XO(标准) | 312.5兆赫 | LVDS | 3.3V | 下载 | 3001-QTM750DH-312.500MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 100毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - |

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