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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QTT252-16.369MBG-T | 0.9333 | ![]() | 5107 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 16.369兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTK325-32.768KBD-T | 0.7333 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | QST | QTK325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32.768 kHz | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0010 | 3,000 | 启用/禁用 | 3毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM216-24.576MDE-T | 0.5867 | ![]() | 4565 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM252E-40.000MBM-T | 2.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM532-24.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 4429 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM750-16.384MDE-T | 0.7290 | ![]() | 5400 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.384兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM216-24.000MBE-T | 0.7128 | ![]() | 3043 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM532-106.250MBE-T | 1.5390 | ![]() | 8611 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 106.25兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTS532C-20.000MBO-T | 6.3333 | ![]() | 9299 | 0.00000000 | QST | QTS532C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | VCTCXO | 20兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM252E-25.000MBE-T | 0.7333 | ![]() | 4138 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | CMOS(低EMI) | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM750-98.304MDE-T | 0.7333 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 98.304兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTS532-25.000MBF-T | 6.4800 | ![]() | 4769 | 0.00000000 | QST | QTS532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.059英寸(1.50毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | 温补晶振 | 25兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTV532P-122.880MBG-T | 6.0750 | ![]() | 第1344章 | 0.00000000 | QST | QTV532P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶体振荡器 | 122.88兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 80毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | |||
![]() | QTV532-61.440MBB-T | 2.0000 | ![]() | 5278 | 0.00000000 | QST | QTV532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶体振荡器 | 61.44兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 30毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | |||
![]() | QTM532-114.285MBE-T | 1.5390 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | QST | QTM532 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.055英寸(1.40毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 114.285兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 20毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM325P-133.330MBD-T | - | ![]() | 2206 | 0.00000000 | QST | QTM325P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.041英寸(1.05毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | XO(标准) | 133.33兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 3001-QTM325P-133.330MBD-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 70毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM252E-40.000MDJ-T | 0.8000 | ![]() | 1952年 | 0.00000000 | QST | QTM252E | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | CMOS(低EMI) | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM252-16.384MDE-T | 0.5867 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.384兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0050 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM325-24.000MDD-T | 0.7776 | ![]() | 3695 | 0.00000000 | QST | QTM325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | - | - | |||
![]() | QTM252-32.768MDE-T | 0.7128 | ![]() | 8144 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32.768兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTS750C-32.000MBO-T | 8.5050 | ![]() | 第1678章 | 0.00000000 | QST | QTS750C | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.079英寸(2.00毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | VCTCXO | 32兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | - | 5毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | - | |||
![]() | QTT325-16.368MBG-T | 1.1340 | ![]() | 2130 | 0.00000000 | QST | QTT325 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.043英寸(1.10毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 16.368兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM750-48.000MBE-T | 0.8194 | ![]() | 3516 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 48兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTT161-52.000MBG-T | 1.4580 | ![]() | 第1727章 | 0.00000000 | QST | QTT161 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) | 0.024英寸(0.60毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 52兆赫 | 削波正弦波 | 3.3V | 下载 | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTT252-19.200MDG-T | 1.1340 | ![]() | 9980 | 0.00000000 | QST | QTT252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -30℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | 温补晶振 | 19.2兆赫 | 削波正弦波 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | 2毫安 | 水晶 | ±500ppb | - | - | - | |||
![]() | QTM252-98.304MCE-T | - | ![]() | 第1574章 | 0.00000000 | QST | QTM252 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 98.304兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.5V | 下载 | 3001-QTM252-98.304MCE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||
![]() | QTM750-27.000MBE-T | 0.8194 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | QST | QTM750 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.056英寸(1.42毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 10毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | |||
![]() | QTV750P-122.880MBB-T | 4.3333 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | QST | QTV750P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶体振荡器 | 122.88兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 80毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | |||
![]() | QTV750P-122.880MBG-T | 4.6667 | ![]() | 6360 | 0.00000000 | QST | QTV750P | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.063英寸(1.60毫米) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 压控晶体振荡器 | 122.88兆赫 | 左心室PECL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 8541.60.0060 | 1,000 | 启用/禁用 | 80毫安 | 水晶 | ±50ppm | ±50ppm | - | - | |||
![]() | QTM216-48.000MBE-T | 1.4300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | QST | QTM216 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) | 0.033英寸(0.83毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 48兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 3001-QTM216-48.000MBE-TTR | EAR99 | 8541.60.0060 | 1 | 启用/禁用 | 5毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | - | - |

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