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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度(最大) 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源(最大) 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源(禁用)(最大)
QTT252-16.369MBG-T QST QTT252-16.369MBG-T 0.9333
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ECAD 5107 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.369兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTK325-32.768KBD-T QST QTK325-32.768KBD-T 0.7333
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ECAD 2440 0.00000000 QST QTK325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768 kHz 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0010 3,000 启用/禁用 3毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM216-24.576MDE-T QST QTM216-24.576MDE-T 0.5867
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ECAD 4565 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24.576兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252E-40.000MBM-T QST QTM252E-40.000MBM-T 2.0000
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ECAD 3 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-24.000MBE-T QST QTM532-24.000MBE-T 0.7128
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ECAD 4429 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-16.384MDE-T QST QTM750-16.384MDE-T 0.7290
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ECAD 5400 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM216-24.000MBE-T QST QTM216-24.000MBE-T 0.7128
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ECAD 3043 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM532-106.250MBE-T QST QTM532-106.250MBE-T 1.5390
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ECAD 8611 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 106.25兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532C-20.000MBO-T QST QTS532C-20.000MBO-T 6.3333
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ECAD 9299 0.00000000 QST QTS532C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 VCTCXO 20兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTM252E-25.000MBE-T QST QTM252E-25.000MBE-T 0.7333
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ECAD 4138 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 25兆赫 CMOS(低EMI) 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-98.304MDE-T QST QTM750-98.304MDE-T 0.7333
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ECAD 4294 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS532-25.000MBF-T QST QTS532-25.000MBF-T 6.4800
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ECAD 4769 0.00000000 QST QTS532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.059英寸(1.50毫米) 表面贴装 10-SMD,无铅 温补晶振 25兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTV532P-122.880MBG-T QST QTV532P-122.880MBG-T 6.0750
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ECAD 第1344章 0.00000000 QST QTV532P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶体振荡器 122.88兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTV532-61.440MBB-T QST QTV532-61.440MBB-T 2.0000
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ECAD 5278 0.00000000 QST QTV532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶体振荡器 61.44兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 30毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM532-114.285MBE-T QST QTM532-114.285MBE-T 1.5390
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ECAD 6035 0.00000000 QST QTM532 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) 0.055英寸(1.40毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 114.285兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 20毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325P-133.330MBD-T QST QTM325P-133.330MBD-T -
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ECAD 2206 0.00000000 QST QTM325P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.041英寸(1.05毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 XO(标准) 133.33兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 3001-QTM325P-133.330MBD-TTR EAR99 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 70毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252E-40.000MDJ-T QST QTM252E-40.000MDJ-T 0.8000
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ECAD 1952年 0.00000000 QST QTM252E 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 40兆赫 CMOS(低EMI) 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM252-16.384MDE-T QST QTM252-16.384MDE-T 0.5867
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ECAD 2851 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 16.384兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0050 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM325-24.000MDD-T QST QTM325-24.000MDD-T 0.7776
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ECAD 3695 0.00000000 QST QTM325 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 24兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±25ppm - - -
QTM252-32.768MDE-T QST QTM252-32.768MDE-T 0.7128
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ECAD 8144 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 32.768兆赫 互补金属O化物半导体 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTS750C-32.000MBO-T QST QTS750C-32.000MBO-T 8.5050
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ECAD 第1678章 0.00000000 QST QTS750C 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.079英寸(2.00毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 VCTCXO 32兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 - 5毫安 水晶 ±280ppb - - -
QTT325-16.368MBG-T QST QTT325-16.368MBG-T 1.1340
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ECAD 2130 0.00000000 QST QTT325 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) 0.043英寸(1.10毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 16.368兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM750-48.000MBE-T QST QTM750-48.000MBE-T 0.8194
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ECAD 3516 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTT161-52.000MBG-T QST QTT161-52.000MBG-T 1.4580
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ECAD 第1727章 0.00000000 QST QTT161 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.063英寸长x 0.047英寸宽(1.60毫米x 1.20毫米) 0.024英寸(0.60毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 52兆赫 削波正弦波 3.3V 下载 EAR99 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTT252-19.200MDG-T QST QTT252-19.200MDG-T 1.1340
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ECAD 9980 0.00000000 QST QTT252 卷带式 (TR) 的积极 -30℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.031英寸(0.80毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 温补晶振 19.2兆赫 削波正弦波 1.8V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 3,000 - 2毫安 水晶 ±500ppb - - -
QTM252-98.304MCE-T QST QTM252-98.304MCE-T -
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ECAD 第1574章 0.00000000 QST QTM252 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) 0.035英寸(0.90毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 98.304兆赫 互补金属O化物半导体 2.5V 下载 3001-QTM252-98.304MCE-TTR EAR99 8541.60.0060 3,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTM750-27.000MBE-T QST QTM750-27.000MBE-T 0.8194
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ECAD 5900 0.00000000 QST QTM750 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.056英寸(1.42毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 27兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 10毫安 水晶 ±50ppm - - -
QTV750P-122.880MBB-T QST QTV750P-122.880MBB-T 4.3333
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ECAD 8191 0.00000000 QST QTV750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶体振荡器 122.88兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTV750P-122.880MBG-T QST QTV750P-122.880MBG-T 4.6667
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ECAD 6360 0.00000000 QST QTV750P 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) 0.063英寸(1.60毫米) 表面贴装 6-SMD,无铅 压控晶体振荡器 122.88兆赫 左心室PECL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 8541.60.0060 1,000 启用/禁用 80毫安 水晶 ±50ppm ±50ppm - -
QTM216-48.000MBE-T QST QTM216-48.000MBE-T 1.4300
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ECAD 50 0.00000000 QST QTM216 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ - 0.079 英寸长 x 0.063 英寸宽(2.00 毫米 x 1.60 毫米) 0.033英寸(0.83毫米) 表面贴装 4-SMD,无铅 XO(标准) 48兆赫 互补金属O化物半导体 3.3V 下载 3001-QTM216-48.000MBE-TTR EAR99 8541.60.0060 1 启用/禁用 5毫安 水晶 ±50ppm - - -
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