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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU,LF 0.3600
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 ECAD 3784 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-70、SOT-323 - DF3D36 7pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 28V 32V - - - 不 2
DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FTE85LF 0.4100
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 ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A5.6 65pF@1MHz SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 2.5V 5.3V - - - 不
DF5A3.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CJE,LM 0.3100
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A3.6 52pF@1MHz ESV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 1.8V 3.4V - - - 不
CSLZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ16V,L3F 0.2200
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 10.5pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 12V（最大） 15.3V 30V（典型值） 2.5A（8/20μs） - 不
DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV(TL3,T) -
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 ECAD 7389 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SOT-723 转向（轨对轨） DF3D 0.5pF@1MHz VESM 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 5V（最大） 6V 15V（典型值） 1A（8/20μs） - 是的
DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CFU(TE85L,F 0.0824
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 ECAD 5805 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A3.6 52pF@1MHz 无人艇 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1.8V 3.4V - - - 不
CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ5V6,L3F 0.3100
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 125pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 5.6V 5.3V 9V（典型值） 12A（8/20μs） 155W 不
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC(TE85L) 0.6600
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 - 通用型 表面贴装 6-XFDFN 裸露焊盘 转向（轨对轨） DF6F 0.6pF@1MHz CST6C - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5,000 5V（最大） 6V 24V 2.5A（8/20μs） - 是的 4
DF3D18FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU,LXHF 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 9pF@1MHz USM 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 12V（最大） 16.2V 33V 2.5A（8/20μs） 80W 不 2
DF3A6.2LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU,LF 0.3000
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 ECAD 2334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A6 6.5pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V（最大） 5.9V - - - 不
DF5A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8F,LF 0.3400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A6.8 45pF@1MHz SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - 不
DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC,L3F 0.0750
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 ECAD 3966 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B12 0.2pF@1MHz SC2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 8V（最大） 10V 18V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
MSZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V8,LF 0.3400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 88pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V（典型值） 10A（8/20μs） 180W 不
DF3A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6FU(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A3.6 110pF@1MHz USM 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.4V - - - 不
DF2B12M1CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT(TPL3) -
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 ECAD 2625 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2B12 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 8V（最大） 10V 18V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
DF3A3.6FV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6FV(TPL3,Z) -
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 ECAD 6430 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A 110pF@1MHz VESM - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 1.8V 3.4V - - - 不
DF2B7M3SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SC,L3F -
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 ECAD 4392 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B 0.1pF@1MHz SC2 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 6V 13V（典型值） 1A（8/20μs） 50W 不 1
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT,L3F 0.3900
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.6pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V（最大） 3.6V 15V 2.5A（8/20μs） 37W 不
CUZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ12V、H3F 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 44pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 12V 11.4V 26V（典型值） 7A（8/20μs） 200W 不
DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2FU(TE85L,F) 0.4300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.2 55pF@1MHz 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 3V 5.8V - - - 不
DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ACT,L3F 0.2000
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V（最大） 5.8V 20V 4A（8/20μs） 80W 不 1
DF2S30CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30CT、L3F 0.1900
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S30 7.2pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 23V 28V - - - 不
DF3A3.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6CT(TPL3) 0.0549
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 ECAD 8258 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A3.6 110pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 1V 3.1V - - - 不
DF3A5.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FU(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A5.6 65pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） DF3A5.6FU(TE85LF)TR EAR99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3V - - - 不
DF5A3.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6JE,LM -
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 ECAD 7472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A3.6 110pF@1MHz ESV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 1V 3.4V - - - 不
MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ36V、LF 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 18pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 63V（典型值） 3A（8/20μs） 200W 不
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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