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电路保护(236)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 电容@频率 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 单向通道 | 电压 - 反向隔离（典型值） | 电压 - 击穿（简单） | 电压 - 钳位（最大）@Ipp | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 功率 - 峰值脉冲 | 电源线保护 | 身体通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DF3D6.8MFV,L3F | 0.5550 |  | 9890 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOT-723 | 转向（轨对轨） | DF3D6.8 | 0.5pF@1MHz | VESM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 2 | 5V（最大） | 6V | 15V（典型值） | 1A（8/20μs） | - | 是的 | ||
 | MUZ16V、LF | 0.3500 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 穆兹 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 齐纳 | 35pF@1MHz | USM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 16V | 15.3V | 27V（典型值） | 5.5A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | MSZ30V、LF | 0.3400 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | MSZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 齐纳 | 21pF@1MHz | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 30V | 28V | 47.5V（典型值） | 4A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | DF2B6.8M2SC(TPL3) | - | | 6133 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2B6.8 | 0.2pF@1MHz | SC2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5V（最大） | 6V | 13V（典型值） | 1A（8/20μs） | - | 不 | 1 | ||
 | DF2S6M5SL,L3F | 0.3100 | | 160 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2S6 | 0.6pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V（最大） | 5.5V | 17V（典型值） | 2.5A（8/20μs） | 37W | 不 | ||
| MSZ24V、LF | 0.3400 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | MSZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 齐纳 | 26pF@1MHz | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 24V | 22.8V | 36.5V（典型值） | 4.5A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | DF5A3.3FU(TE85L,F) | 0.0824 | | 4079 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | 齐纳 | DF5A3.3 | 115pF@1MHz | 无人艇 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 4 | 1V | 3.1V | - | - | - | 不 | ||
| DF5A5.6CFUTE85LF | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | 齐纳 | DF5A5.6 | 29pF@1MHz | 无人艇 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 4 | 3.5V | 5.3V | - | - | - | 不 | ||
| DF2B5M5SL,L3F | 0.3600 | | 9925 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2B5 | 0.3pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 3.3V（最大） | 3.6V | 25V（典型值） | 2.5A（8/20μs） | 37W | 不 | 1 | ||
| DF2B7SL,L3F | 0.2000 | | 11 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2B7 | 6pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5.3V（最大） | 5.8V | 16V | 3A（8/20μs） | 45W | 不 | 1 | ||
 | CUZ16V、H3F | 0.3500 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 库兹 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 齐纳 | 35pF@1MHz | 南加州大学 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 | 16V | 15.3V | 27V（典型值） | 5.5A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | DF2B6.8M1ACT,L3F | 0.3300 | | 49 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | DF2B6.8 | 0.3pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5V（最大） | 6V | 20V | 2.5A（8/20μs） | 50W | 不 | 1 | ||
| DF2S6.8SC(TPL3) | - | | 6749 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | - | 通用型 | 表面贴装 | 0201（0603 公制） | 齐纳 | DF2S | 15pF@1MHz | SC2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V | 6.4V | - | - | - | 不 | ||
 | DF2S24FS,L3M | 0.1800 | | 27号 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S24 | 8.5pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 19V（最大） | 22.8V | - | - | - | 不 | ||
| DF3D6.8MFVL3F(A | - | | 1007 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SOT-723 | 转向（轨对轨） | DF3D6.8 | 0.5pF@1MHz | VESM | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2 | 5V（最大） | 6V | 15V（典型值） | 1A（8/20μs） | - | 是的 | ||
 | DF2B5M4ASL,L3F | 0.3500 | | 第546章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2B5 | 0.15pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 3.6V（最大） | 4V | 15V | 2A（8/20μs） | 30W | 不 | 1 | ||
| DF2S20FS,L3M | 0.1800 | | 16 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S20 | 9pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 15V（最大） | 18.8V | - | - | - | 不 | ||
 | CUHZ24V、H3F | 0.3600 | | 5063 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CUHZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，写入 | 齐纳 | 150pF@1MHz | US2H | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 24V | 22.8V | 25.5V（典型值） | 27A（8/20μs） | 2100W（2.1千W） | 不 | |||
| DF2S8.2ASL,L3F | 0.2000 | | 170 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2S8.2 | 20pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 6.5V（最大） | 7.7V | - | - | - | 不 | ||
| DF5A6.2CFU(TE85L,F | 0.4400 | | 14 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | 齐纳 | DF5A6.2 | 25pF@1MHz | 无人艇 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 4 | 5V | 5.8V | - | - | - | 不 | ||
| CUZ8V2、H3F | 0.3500 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 库兹 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 齐纳 | 67pF@1MHz | 南加州大学 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 8.2V | 7.7V | 16.5V（典型值） | 8.5A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | CSLZ5V6、L3F | 0.2200 | | 940 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CSLZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | CSLZ | 35pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 | 3.5V（最大） | 5.3V | 9V（典型值） | 2.5A（8/20μs） | 72W | 不 | ||
| DF2S6.8UCT,L3F | 0.3200 | | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | DF2S6.8 | 1.6pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 19V（最大） | 22V | - | - | - | 不 | ||
 | DF5A6.2JE,LM | 0.3100 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOT-553 | 齐纳 | DF5A6.2 | 55pF@1MHz | ESV | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 4 | 3V | 5.8V | - | - | - | 不 | ||
 | CEZ20V,L3F | 0.3100 | | 8 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 经济特区 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 齐纳 | 29pF@1MHz | ESC键 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 | 20V | 18.8V | 30.5V（典型值） | 5A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
| CSLZ6V2、L3F | 0.2200 | | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CSLZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | CSLZ | 30pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 | 5V（最大） | 5.8V | 10.5V（典型值） | 2.5A（8/20μs） | 87W | 不 | ||
| MSZ12V、LF | 0.3400 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | MSZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 齐纳 | 44pF@1MHz | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 12V | 11.4V | 26V（典型值） | 7A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
| CUZ30V、H3F | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 库兹 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 齐纳 | 21pF@1MHz | 南加州大学 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 | 30V | 28V | 47.5V（典型值） | 4A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
| DF2S6.2CT、L3F | 0.2000 | | 66 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | DF2S6.2 | 32pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V | 5.8V | - | - | - | 不 | ||
| CEZ8V2,L3F | 0.3100 | | 15 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 经济特区 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 齐纳 | 67pF@1MHz | ESC键 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 | 8.2V | 7.7V | 16.5V（典型值） | 8.5A（8/20μs） | 200W | 不 |
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