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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF3A5.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FU(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A5.6 65pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） DF3A5.6FU(TE85LF)TR EAR99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3V - - - 不
DF2B29FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU,H3XHF 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 9pF@1MHz 南加州大学 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 24V（最大） 26V 47V 3A（8/20μs） 140W 不 1
DF2S23P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2FU,H3F 0.4900
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2S23 160pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 21V（最大） 21.5V 27.3V（典型值） 14A（8/20μs） 500W 不
DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL3,T) -
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 ECAD 2628 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 DF2B 15pF@1MHz 森林管理委员会 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 5.8V 8.5V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC,L3F 0.4200
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 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S23 160pF@1MHz CST2C 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 21V（最大） 21.5V 35.7V 14A（8/20μs） 500W 不
DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2F(TE85L,F) 0.4500
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 ECAD 2483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A6.2 55pF@1MHz SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 3V 5.8V - - - 不
CUHZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ6V8、H3F 0.4600
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 585pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 6.8V 6.4V 7.2V（典型值） 73A（8/20μs） 1800W（1.8千W） 不
MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V8,LF 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 88pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V（典型值） 10A（8/20μs） 180W 不
CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ24V、H3F 0.3500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 26pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 24V 22.8V 36.5V（典型值） 4.5A（8/20μs） 200W 不
DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LSU,LF -
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 ECAD 7165 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-70、SOT-323 DF3A6.8 USM - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000
CUZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ5V6、H3F 0.3500
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 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 125pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V 9V（典型值） 12A（8/20μs） 155W 不
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6A6.8FU,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 齐纳 DF6A6.8 45pF@1MHz 美国6号 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 - 6.4V - - - 不
DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UCT(TPL3) -
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 ECAD 6434 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6.8 1.6pF@1MHz CST2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 19V（最大） 22V - - - 不
DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2CT(TPL3) 0.3300
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A6.2 55pF@1MHz CST3 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 3V 5.8V - - - 不
DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3JE,LM -
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 ECAD 5258 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A 115pF@1MHz ESV - 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 - 3.1V - - - 不
CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ20V、H3F 0.3600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 180pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 20.6V（典型值） 36A（8/20μs） 2100W（2.1千W） 不
DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ACT,L3F 0.2000
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V（最大） 5.8V 20V 4A（8/20μs） 80W 不 1
CEZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V8,L3F 0.3100
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 88pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 6.8V 6.4V 13V（典型值） 10A（8/20μs） 180W 不
DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL,L3F 0.2900
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 ECAD 72 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S6 0.35pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A 30W 不
DF2B5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4CT,L3F 0.3100
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2B5 0.2pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.6V（最大） 4V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 1
DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2FU(TE85L,F) 0.4300
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.2 55pF@1MHz 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 3V 5.8V - - - 不
DF2B26M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B26M4SL,L3F 0.3200
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 ECAD 84 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B26 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 24V（最大） 21V 31.5V（典型值） 500mA（8/20μs） 19W 不 1
DF2B18FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU,H3F 0.3400
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2B18 9pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 12V 16.2V 33V 2.5A（8/20μs） 80W 不 1
DF2S8.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT,L3F 0.2000
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S8.2 20pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 6.5V 7.7V - - - 不
MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2,LF 0.3400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 105pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8V 10V（典型值） 11A（8/20μs） 175W 不
DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FTE85LF 0.4100
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 ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A5.6 65pF@1MHz SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 2.5V 5.3V - - - 不
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC(TE85L) 0.6600
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 - 通用型 表面贴装 6-XFDFN 裸露焊盘 转向（轨对轨） DF6F 0.6pF@1MHz CST6C - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5,000 5V（最大） 6V 24V 2.5A（8/20μs） - 是的 4
CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ5V6,L3F 0.3100
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 125pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 5.6V 5.3V 9V（典型值） 12A（8/20μs） 155W 不
DF3D18FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU,LXHF 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 9pF@1MHz USM 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 12V（最大） 16.2V 33V 2.5A（8/20μs） 80W 不 2
DF3A6.2LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU,LF 0.3000
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 ECAD 2334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A6 6.5pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V（最大） 5.9V - - - 不
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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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