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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6CT(TPL3) -
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 ECAD 1096 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A5.6 65pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 2.5V 5.3V - - - 不
DF2S5.1SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1SC(TPL3) 0.0438
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 ECAD 8162 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 0201（0603 公制） 齐纳 DF2S5.1 25pF@1MHz SC2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V 4.85V - - - 不
DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4SL,L3F 0.3300
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 ECAD 228 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B5 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.6V（最大） 4V 24V 2A（8/20μs） 30W 不 1
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6,LF 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 125pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V 9V（典型值） 12A（8/20μs） 155W 不
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3F(TE85L,F) 0.0801
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 ECAD 5994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A3.3 115pF@1MHz SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - - 不
DF3D29FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 9pF@1MHz SC-70 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 24V（最大） 26V 47V 3A（8/20μs） 140W 不 2
DF2S6P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2FU,H3F 0.4900
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 ECAD 2806 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2S6 600pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.5V（最大） 5.6V 23.7V 80A（8/20μs） 1900W（1.9千W） 不
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL,L3F 0.2400
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B5 7.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V（最大） 3.6V 11.5V（典型值） 5.5A（8/20μs） 77W 不 1
DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV,L3F 0.2300
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A6.8 45pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 6.4V - - - 不
DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT(TPL3) -
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 ECAD 5029 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3S 37pF@1MHz CST3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V（最大） 5.3V - - - 不
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ30V、H3F 0.3600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 125pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8V（典型值） 26A（8/20μs） 2100W（2.1千W） 不
DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FUTE85LF 0.3400
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 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A6.2 55pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 3V 5.8V - - - 不
CEZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V2、L3F 0.3100
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 ECAD 第702章 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 105pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 6.2V 5.8V 10V（典型值） 11A（8/20μs） 175W 不
DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N,LF -
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 ECAD 2284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 10-UFDFN 齐纳 DF10 0.2pF@1MHz 10-DFN (2.5x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 5.5V（最大） 5.6V 25V 2A（8/20μs） 30W 不 4
DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N,LF 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 5-XFDFN 齐纳 DF5G6M4 0.2pF@1MHz 5-DFN (1.3x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5,000 5 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不
DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6FU(TE85L,F) 0.4300
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 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A3.6 110pF@1MHz 无人艇 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - 不
DF3A3.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6CT(TPL3) 0.0549
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 ECAD 8258 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A3.6 110pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 1V 3.1V - - - 不
DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU,LF 0.3000
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 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A6.8 45pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 - 6.4V - - - 不
DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SL,L3F 0.3400
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B7 0.1pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V（最大） 6V 20V 2.5A（8/20μs） 50W 不 1
DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CFU(TE85L,F 0.4400
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 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.8 23pF@1MHz 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - 不
DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU(TE85L,F -
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 ECAD 3073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A6.2 6.5pF@1MHz USM 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V 5.9V - - - 不
DF2S5.6FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6FS,L3M 0.1700
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 ECAD 239 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S5.6 40pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V（最大） 5.3V - - - 不
MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ20V、LF 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 29pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 30.5V（典型值） 5A（8/20μs） 200W 不
DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UCT(TPL3) -
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 ECAD 6434 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6.8 1.6pF@1MHz CST2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 19V（最大） 22V - - - 不
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6A6.8FU,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 齐纳 DF6A6.8 45pF@1MHz 美国6号 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 - 6.4V - - - 不
CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ24V、H3F 0.3500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 26pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 24V 22.8V 36.5V（典型值） 4.5A（8/20μs） 200W 不
DF2B5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4CT,L3F 0.3100
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2B5 0.2pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.6V（最大） 4V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 1
DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL,L3F 0.2900
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 ECAD 72 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S6 0.35pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A 30W 不
CEZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V8,L3F 0.3100
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 88pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 6.8V 6.4V 13V（典型值） 10A（8/20μs） 180W 不
CSLZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ30V、L3F 0.2200
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 7.5pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 23V（最大） 28V 51V（典型值） 2.5A（8/20μs） - 不
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