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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF2S5.1SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1SC(TPL3) 0.0438
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 ECAD 8162 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 0201（0603 公制） 齐纳 DF2S5.1 25pF@1MHz SC2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V 4.85V - - - 不
DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4SL,L3F 0.3300
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 ECAD 228 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B5 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.6V（最大） 4V 24V 2A（8/20μs） 30W 不 1
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6,LF 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 125pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V 9V（典型值） 12A（8/20μs） 155W 不
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3F(TE85L,F) 0.0801
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 ECAD 5994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A3.3 115pF@1MHz SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - - 不
DF3D29FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU,LXHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 9pF@1MHz SC-70 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 24V（最大） 26V 47V 3A（8/20μs） 140W 不 2
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL,L3F 0.2400
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B5 7.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V（最大） 3.6V 11.5V（典型值） 5.5A（8/20μs） 77W 不 1
DF2B12M2SC Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC -
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 ECAD 5003 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B 0.2pF@1MHz SC2 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 8V（最大） 10V 18V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT,L3F 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S 90pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 - 5.6V 16V 10A（8/20μs） 160W 不
DF6D5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D5M4N,LF -
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 ECAD 3836 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 6-UFDFN 齐纳 DF6D5M4 0.2pF@1MHz 6-DFN (1.25x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 3.6V（最大） 4V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 2
DF6F6.8MTU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MTU,LF 0.1067
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 ECAD 4119 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 6-SMD，写入 转向（轨对轨） DF6F6.8 0.6pF@1MHz 六氯化铀 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V（最大） 6V 24V 2.5A（8/20μs） - 是的
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ30V、H3F 0.3600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 125pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8V（典型值） 26A（8/20μs） 2100W（2.1千W） 不
DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT(TPL3) -
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 ECAD 5029 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3S 37pF@1MHz CST3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V（最大） 5.3V - - - 不
DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6M4N,LF -
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 ECAD 8348 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 6-UFDFN 齐纳 DF6D6M4 0.2pF@1MHz 6-DFN (1.25x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 2
DF6D7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D7M1N,LF 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 6-UFDFN 齐纳 DF6D7M1 0.3pF@1MHz 6-DFN (1.25x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 5V（最大） 6V 12V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 2
DF2S14P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2FU,H3F 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2S14 270pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12.6V（最大） 12.9V 32V 50A（8/20μs） 1600W（1.6千W） 不
CSLZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V8、L3F 0.2200
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 25pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 5V（最大） 6.4V 14.5V（典型值） 2.5A（8/20μs） 105W 不
MSZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ8V2,LF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 67pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 8.2V 7.7V 16.5V（典型值） 8.5A（8/20μs） 200W 不
DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE,LM 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 65pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 2.5V 5.3V - - - 不
DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16CT、L3F 0.1900
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S16 10pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V 15.3V - - - 不
DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL4,D) -
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 ECAD 2802 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 DF2B 15pF@1MHz 森林管理委员会 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 5V（最大） 5.8V 8.5V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5SL,L3F 0.3700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B6 0.3pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 5.5V 26.5V（典型值） 2.5A（8/20μs） 37W 不 1
CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ5V6,H3F 0.4600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 860pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 5.6V 5.3V 5.7V（典型值） 91A（8/20μs） 1750W（1.75千W） 不
DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4ASL,L3F 0.3600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B6 0.15pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 1
DF2S5.6CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6CT,L3F 0.1900
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S5.6 40pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V 5.3V - - - 不
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MS,LF 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-75、SOT-416 转向（轨对轨） DF3D6.8 0.5pF@1MHz SSM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V（最大） 6V 11V（典型值） 1A（8/20μs） - 是的
DF3D29FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU,LF 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3D29 9pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 24V 26V 47V 3A（8/20μs） 140W 不
DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4BSL,L3F 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） HDMI、USB 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 0.12pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 1
DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M2SL,L3F 0.3300
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B7 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 6V 20V 2A（8/20μs） 40W 不 1
DF2S12FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FS,L3M 0.1800
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 ECAD 第873章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S12 15pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 9V（最大） 11.4V 18.5V 1A（8/20μs） - 不
CSLZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ12V、L3F 0.2200
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 13pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 9V（最大） 11.4V 28V（典型值） 2.5A（8/20μs） 72W 不
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

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    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库

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