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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF2S14P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2FU,H3F 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2S14 270pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12.6V（最大） 12.9V 32V 50A（8/20μs） 1600W（1.6千W） 不
DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M2SL,L3F 0.3300
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B7 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 6V 20V 2A（8/20μs） 40W 不 1
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MS,LF 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-75、SOT-416 转向（轨对轨） DF3D6.8 0.5pF@1MHz SSM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V（最大） 6V 11V（典型值） 1A（8/20μs） - 是的
MUZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ8V2,LF 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 67pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 3,000 1 8.2V 7.7V 16.5V（典型值） 8.5A（8/20μs） 200W 不
DF3A3.3CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3CT(TPL3) 0.0549
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 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A3.3 115pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 1V 3.1V - - - 不
DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT(TPL3) -
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 ECAD 5029 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3S 37pF@1MHz CST3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V（最大） 5.3V - - - 不
DF2S12FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FS,L3M 0.1800
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 ECAD 第873章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S12 15pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 9V（最大） 11.4V 18.5V 1A（8/20μs） - 不
DF5A6.8LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LJE,LM 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.8 6pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.5V - - - 不
DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFUTE85LF 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.8 6pF@1MHz 5-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - - 不
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ30V、H3F 0.3600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 125pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8V（典型值） 26A（8/20μs） 2100W（2.1千W） 不
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ30V,LF 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 21pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 47.5V（典型值） 4A（8/20μs） 200W 不
DF5A6.8CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CJE,LM 0.2800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.8 23pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 - 6.4V - - - 不
DF5A6.8JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8JE,LM 0.3100
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.8 45pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.4V - - - 不
DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF,LF 0.3500
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A6.8 6pF@1MHz SMV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - - 不
DF3A5.6FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FV,L3F 0.2300
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A5.6 65pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.3V - - - 不
DF5G7M2N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G7M2N,LF -
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 ECAD 8234 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 5-XFDFN 转向（轨对轨） DF5G7M2 0.2pF@1MHz 5-DFN (1.3x0.8) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 5,000 4 5.5V（最大） 6V 20V 2.5A（8/20μs） 50W 不
DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6CT(TPL3) -
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 ECAD 1096 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A5.6 65pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 2.5V 5.3V - - - 不
DF2S5.1SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1SC(TPL3) 0.0438
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 ECAD 8162 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 0201（0603 公制） 齐纳 DF2S5.1 25pF@1MHz SC2 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V 4.85V - - - 不
DF5A5.6FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FUTE85LF 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A5.6 65pF@1MHz 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 2.5V 5.3V - - - 不
DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS,L3F -
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 ECAD 8039 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 DF2S 1.6pF@1MHz 森林管理委员会 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 19V（最大） 22V - - - 不
MSZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ8V2,LF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 67pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 8.2V 7.7V 16.5V（典型值） 8.5A（8/20μs） 200W 不
CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ36V、H3F 0.3800
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 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 18pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 63V（典型值） 3A（8/20μs） 200W 不
DF3A5.6F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6F,LF 0.3500
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 ECAD 4992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 DF3A5.6 65pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3V - - - 不
DF2B7BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7BSL,L3F 0.2000
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 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B7 12pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V（最大） 5.6V 16V 7.3A（8/20μs） 115W 不 1
DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CJE,LM 0.3400
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 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 29pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 3.5V 5.3V - - - 不
DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B20M4SL,L3F 0.3300
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 ECAD 36 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 0201（0603 公制） 齐纳 DF2B20 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0070 10,000 18.5V（最大） 19V 30V 500mA（8/20μs） 15W 不 1
DF3D36FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU,LXHF 0.5100
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 ECAD 3993 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 6.5pF@1MHz SC-70 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 28V（最大） 32V 60V 2.5A（8/20μs） 150W 不 2
DF2B36FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU,H3XHF 0.3900
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 ECAD 第317章 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 6.5pF@1MHz 南加州大学 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 28V（最大） 32V 60V 2.5A（8/20μs） 150W 不 1
DF2S20CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S20CT、L3F 0.1900
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 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S20 9pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 15V 18.8V - - - 不
DF2B7AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFS,L3M 0.1900
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V（最大） 5.8V 20V 4A（8/20μs） 80W 不 1
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    智能仓库

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