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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF3A6.2LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFV,L3F 0.2400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A6.2 6.5pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.9V - - - 不
DF3A6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT、L3F 0.3300
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A6 45pF@1MHz CST3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V（最大） 6.4V - - - 不
DF2S14P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2CTC,L3F 0.4100
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 ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S14 270pF@1MHz CST2C 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12.6V 12.9V - 50A - 不
DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4BSL,L3F 0.3800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） HDMI、USB 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 0.12pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 1
DF5A6.2CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CJE,LM 0.3100
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 ECAD 189 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.2 25pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.8V - - - 不
MUZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V2,LF 0.3500
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 105pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8V 10V（典型值） 11A（8/20μs） 175W 不
DF3A6.8UFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8UFU,LF 0.4000
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A6.8 2.5pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V（最大） - - - - 不
DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL4,D) -
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 ECAD 2802 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 DF2B 15pF@1MHz 森林管理委员会 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 5V（最大） 5.8V 8.5V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
DF2S7MSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S7MSL,L3F 0.2800
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 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S7 0.5pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 6V 20V 3A（8/20μs） 60W 不
DF5A6.8FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8FUTE85LF 0.3700
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.8 45pF@1MHz 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - 不
DF3A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8F,LF 0.3700
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 DF3A6.8 45pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V 6.4V - - - 不
CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ5V6,H3F 0.4600
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 860pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 5.6V 5.3V 5.7V（典型值） 91A（8/20μs） 1750W（1.75千W） 不
DF2S6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT(TPL3) -
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 ECAD 6391 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S 25pF@1MHz CST2 - 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V 6.4V - - - 不
CSLZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V8、L3F 0.2200
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 25pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 5V（最大） 6.4V 14.5V（典型值） 2.5A（8/20μs） 105W 不
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6,LF 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 125pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V 9V（典型值） 12A（8/20μs） 155W 不
DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16CT、L3F 0.1900
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S16 10pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V 15.3V - - - 不
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT,L3F 0.3800
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S 90pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 - 5.6V 16V 10A（8/20μs） 160W 不
DF5A6.8LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LJE,LM 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.8 6pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.5V - - - 不
DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFUTE85LF 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.8 6pF@1MHz 5-SSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - - 不
DF2S14P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2FU,H3F 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2S14 270pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12.6V（最大） 12.9V 32V 50A（8/20μs） 1600W（1.6千W） 不
DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M2SL,L3F 0.3300
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B7 0.2pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 6V 20V 2A（8/20μs） 40W 不 1
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MS,LF 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-75、SOT-416 转向（轨对轨） DF3D6.8 0.5pF@1MHz SSM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V（最大） 6V 11V（典型值） 1A（8/20μs） - 是的
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ30V、H3F 0.3600
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 125pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8V（典型值） 26A（8/20μs） 2100W（2.1千W） 不
DF2S5.6CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6CT,L3F 0.1900
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S5.6 40pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V 5.3V - - - 不
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ30V,LF 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 21pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 47.5V（典型值） 4A（8/20μs） 200W 不
DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE,LM 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 65pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 2.5V 5.3V - - - 不
MUZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ8V2,LF 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 67pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 3,000 1 8.2V 7.7V 16.5V（典型值） 8.5A（8/20μs） 200W 不
DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5SL,L3F 0.3700
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B6 0.3pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 5.5V 26.5V（典型值） 2.5A（8/20μs） 37W 不 1
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3F(TE85L,F) 0.0801
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 ECAD 5994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A3.3 115pF@1MHz SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - - 不
DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV,L3F 0.2300
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 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A6.8 45pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 6.4V - - - 不
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    智能仓库

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