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电路保护(236)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 电容@频率 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 单向通道 | 电压 - 反向隔离（典型值） | 电压 - 击穿（简单） | 电压 - 钳位（最大）@Ipp | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 功率 - 峰值脉冲 | 电源线保护 | 身体通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUZ12V、LF | 0.3500 |  | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 穆兹 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 齐纳 | 44pF@1MHz | USM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 12V | 11.4V | 26V（典型值） | 7A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | CUHZ8V2、H3F | 0.4600 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CUHZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，写入 | 齐纳 | 450pF@1MHz | US2H | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 8.2V | 7.7V | 8.5V（典型值） | 68A（8/20μs） | 1900W（1.9千W） | 不 | |||
 | DF2B6M4CT,L3F | 0.3100 | | 39 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | DF2B6 | 0.2pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5.5V（最大） | 5.6V | 15V | 2A（8/20μs） | 30W | 不 | 1 | |||
 | MSZ30V、LF | 0.3400 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | MSZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 齐纳 | 21pF@1MHz | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 30V | 28V | 47.5V（典型值） | 4A（8/20μs） | 200W | 不 | |||
 | DF2S6M4CT,L3F | 0.2900 | | 30 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | DF2S6 | 0.35pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5.5V（最大） | 5.6V | 15V | 2A（8/20μs） | 30W | 不 | |||
| DF3D18FU,LF | 0.3900 | | 14 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | - | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 齐纳 | DF3D18 | 9pF@1MHz | USM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 12V | 16.2V | 33V | 2.5A（8/20μs） | 80W | 不 | 2 | ||
 | DF2S6.8MFS,L3M | 0.3700 | | 30 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S6.8 | 0.45pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V（最大） | 6V | 15V | 3A | 45W | 不 | |||
 | DF2B12M4SL,L3F | 0.3200 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2B12 | 0.2pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 11V（最大） | 11.5V | 22V | 1A（8/20μs） | 22W | 不 | 1 | ||
 | DF2S6.8UFS,L3M | 0.3400 | | 100 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S6.8 | 1.6pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 19V（最大） | 5.3V、22V | - | - | - | 不 | ||
 | DF2B5M5CT,L3F | 0.4800 | | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | 0.3pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 3.3V（最大） | 3.6V | 15V | 2.5A（8/20μs） | 37W | 不 | 1 | |||
| DF2S10FS,L3M | 0.1700 | | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S10 | 16pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 8V（最大） | 9.4V | - | - | - | 不 | ||
| DF2B6USL,L3F | 0.3100 | | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2B6 | 1.5pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5.5V（最大） | 5.7V | 20V | 1.5A（8/20μs） | 30W | 不 | 1 | |||
 | DF2B7AE,L3F | 0.2200 | | 15 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 齐纳 | DF2B7 | 8.5pF@1MHz | ESC键 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 5.5V（最大） | 5.8V | 20V | 4A（8/20μs） | 80W | 不 | 1 | ||
| DF2S8.2ASL,L3F | 0.2000 | | 170 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2S8.2 | 20pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 6.5V（最大） | 7.7V | - | - | - | 不 | ||
| CUHZ24V、H3F | 0.3600 | | 5063 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CUHZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，写入 | 齐纳 | 150pF@1MHz | US2H | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 24V | 22.8V | 25.5V（典型值） | 27A（8/20μs） | 2100W（2.1千W） | 不 | |||
| DF2S6.2FS,L3M | 0.1800 | | 125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S6.2 | 32pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V | 5.8V | - | - | - | 不 | ||
| CSLZ10V,L3F | 0.2200 | | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CSLZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | CSLZ | 16pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 | 8V（最大） | 9.4V | 18V（典型值） | 2.5A（8/20μs） | 60W | 不 | ||
| DF2B6M5CT,L3F | 0.4900 | | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | 0.3pF@1MHz | CST2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 5V（最大） | 5.5V | 15V | 2.5A（8/20μs） | 37W | 不 | 1 | |||
 | DF3A6.8CT(TPL3) | - | | 2063 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SC-101、SOT-883 | 齐纳 | DF3A6.8 | 45pF@1MHz | CST3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 2 | 5V | 6.4V | - | - | - | 不 | ||
 | DF3D6.8MFV,L3F | 0.5550 | | 9890 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOT-723 | 转向（轨对轨） | DF3D6.8 | 0.5pF@1MHz | VESM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 2 | 5V（最大） | 6V | 15V（典型值） | 1A（8/20μs） | - | 是的 | ||
| CSLZ20V、L3F | 0.2200 | | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CSLZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | CSLZ | 9.5pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 | 15V（最大） | 18.8V | 30V（典型值） | 2.5A（8/20μs） | - | 不 | ||
| CUHZ36V、H3F | 0.3600 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CUHZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，写入 | 齐纳 | 105pF@1MHz | US2H | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 36V | 34V | 41.2V（典型值） | 23A（8/20μs） | 2100W（2.1千W） | 不 | |||
 | DF3A6.8F,LF | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 齐纳 | DF3A6.8 | 45pF@1MHz | S-迷你型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2 | 5V | 6.4V | - | - | - | 不 | ||
| CUHZ5V6,H3F | 0.4600 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | CUHZ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，写入 | 齐纳 | 860pF@1MHz | US2H | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 | 5.6V | 5.3V | 5.7V（典型值） | 91A（8/20μs） | 1750W（1.75千W） | 不 | |||
 | DF2S6.8CT(TPL3) | - | | 6391 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-882 | 齐纳 | DF2S | 25pF@1MHz | CST2 | - | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V | 6.4V | - | - | - | 不 | |||
| MUZ6V2,LF | 0.3500 | | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 穆兹 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C（太焦） | 通用型 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 齐纳 | 105pF@1MHz | USM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 6.2V | 5.8V | 10V（典型值） | 11A（8/20μs） | 175W | 不 | |||
| DF2B6.8FS(TPL4,D) | - | | 2802 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，写入 | 齐纳 | DF2B | 15pF@1MHz | 森林管理委员会 | 下载 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 5V（最大） | 5.8V | 8.5V（典型值） | 1A（8/20μs） | - | 不 | 1 | |||
 | DF3A6.8UFU,LF | 0.4000 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 齐纳 | DF3A6.8 | 2.5pF@1MHz | USM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2 | 5V（最大） | - | - | - | - | 不 | ||
| DF2S7MSL,L3F | 0.2800 | | 30 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | 2-SMD，无铅 | 齐纳 | DF2S7 | 0.5pF@1MHz | SL2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 5V（最大） | 6V | 20V | 3A（8/20μs） | 60W | 不 | ||
| DF2S30FS,L3M | 0.1700 | | 55 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 通用型 | 表面贴装 | SOD-923 | 齐纳 | DF2S30 | 7pF@1MHz | SOD-923 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 1 | 23V（最大） | 28V | - | - | - | 不 |
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