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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 电容 @频率 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) ECCN htsus 标准包 单向通道 电压 -反向对峙(典型) 电压 -故障(最小) 电压 -夹紧(最大) @ ipp 电流 -10/1000µs) 功率 -峰值脉冲 电力线保护 双向通道
DF2B12M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M4SL,L3F 0.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B12 0.2pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 (11V)) 11.5V 22V 1a (8/20µs) 22W 1
DF2B6.8M1ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT,L3F 0.3300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2B6.8 0.3pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 (5V)) 6V 20V 2.5A(8/20µs) 50W 1
MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ20V,LF 0.3400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 齐纳 29pf @ 1MHz S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 30.5v typ) 5a(8/20µs) 200W
DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage df5a6.2cfu(te85l,f 0.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 齐纳 DF5A6.2 25pf @ 1MHz USV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 5.8V - - -
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3M 0.3700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOD-923 齐纳 DF2S6.8 0.45pf @ 1MHz SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (5V)) 6V 15V 3a 45W
MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ24V,LF 0.3400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 齐纳 26pf @ 1MHz S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 36.5v ty(typ) 4.5A(8/20µs) 200W
DF3A6.2FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FV,L3F 0.3200
RFQ
ECAD 9211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOT-723 齐纳 DF3A6.2 55pf @ 1MHz VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.8V - - -
DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.3fu(te85l,f) 0.0824
RFQ
ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 齐纳 DF5A3.3 115pf @ 1MHz USV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - -
DF5A6.2JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2JE,LM 0.3100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOT-553 齐纳 DF5A6.2 55pf @ 1MHz ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 3V 5.8V - - -
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE,LM 0.3400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 8pf @ 1MHz ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3V - - -
DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2ASL,L3F 0.2000
RFQ
ECAD 170 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2S8.2 20pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 6.5v (最大) 7.7V - - -
DF2B6USL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6USL,L3F 0.3100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B6 1.5pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5v (最大) 5.7V 20V 1.5a(8/20µs) 30W 1
DF3D6.8MFVL3F(A Toshiba Semiconductor and Storage df3d6.8mfvl3f(a -
RFQ
ECAD 1007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOT-723 ((() DF3D6.8 0.5pf @ 1MHz VESM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 (5V)) 6V (15V)) 1a (8/20µs) - 是的
DF2B6.8M2SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M2SC(TPL3) -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B6.8 0.2pf @ 1MHz SC2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 (5V)) 6V (13V)) 1a (8/20µs) - 1
MUZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ16V,LF 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SC-70,SOT-323 齐纳 35pf @ 1MHz USM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 16V 15.3V (27V)) 5.5A(8/20µs) 200W
CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhz8v2,h3f 0.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 cuhz 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,平坦的铅 齐纳 450pf @ 1MHz US2H 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 8.2V 7.7V 8.5V((类型) 68a (8/20µs) 1900W(1.9kW)
CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhz24v,H3F 0.3600
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 东芝半导体和存储 cuhz 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,平坦的铅 齐纳 150pf @ 1MHz US2H 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 25.5v ty(类型) 27a (8/20µs) 2100W(2.1kw)
DF2S6.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2CT,L3F 0.2000
RFQ
ECAD 66 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2S6.2 32pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8V - - -
DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFV,L3F 0.2400
RFQ
ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOT-723 齐纳 DF3A6.8 6pf @ 1MHz VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 5V 6.5V - - -
CSLZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ5V6,L3F 0.2200
RFQ
ECAD 940 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 CSLZ 35pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 3.5v (最大) 5.3V (9V) 2.5A(8/20µs) 72W
DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3F 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD,平坦的铅 齐纳 DF2S6.8 0.5pf @ 1MHz FSC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (5V)) 6V (15V)) 1a (8/20µs) -
DF10G7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G7M1N,LF -
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - HDMI 表面安装 10-UFDFN ((() DF10 0.3pf @ 1MHz 10-DFN(2.5x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 (5V)) 6V 12v (典型) 1a (8/20µs) - 是的
DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF,LF 0.3500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SC-74A,SOT-753 齐纳 DF5A6.8 6pf @ 1MHz SMV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - -
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3F te85l,f) 0.0801
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SC-74A,SOT-753 齐纳 DF5A3.3 115pf @ 1MHz SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - -
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHz30v,H3F 0.3600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 cuhz 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,平坦的铅 齐纳 125pf @ 1MHz US2H 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8v ty(typ) 26a (8/20µs) 2100W(2.1kw)
DF2S14P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2CTC,L3F 0.4100
RFQ
ECAD 43 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2S14 270pf @ 1MHz CST2C 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 12.6V 12.9V - 50a -
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6,LF 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 齐纳 125pf @ 1MHz S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V (9V) 12a (8/20µs) 155W
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL,L3F 0.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B5 7.2pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.3v (最大) 3.6V 11.5v (典型) 5.5A(8/20µs) 77W 1
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT,L3F 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2S 90pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 - 5.6V 16V 10a (8/20µs) 160W
DF3A5.6FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FV,L3F 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOT-723 齐纳 DF3A5.6 65pf @ 1MHz VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.3V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库