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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离(典型值) 电压 - 击穿(简单) 电压 - 钳位(最大)@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU,H3F 0.2200
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ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 5.5V(最大) 5.8V 20V 4A(8/20μs) 80W 1
DF2S6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT,L3F 0.1900
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6.8 25pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 - 6.4V - - -
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE,LM 0.3400
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 8pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3V - - -
DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE,LM 0.3300
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.2 6.5pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.9V - - -
DF2S5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4CT,L3F 0.2900
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ECAD 640 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S5 0.35pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V(最大) 3.7V 15V 2A(8/20μs) 30W
DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU,H3F 0.3400
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2B36 6.5pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 28V 32V 40V 1A(8/20μs) 150W 1
DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFV,L3F 0.2400
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ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A6.8 6pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 5V 6.5V - - -
DF2S6P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2CTC,L3F 0.4100
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ECAD 4595 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) USB 表面贴装 2-SMD,无铅 齐纳 DF2S6 600pF@1MHz CST2C 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V(最大) 5.6V - 80A -
DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3F 0.4800
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD,写入 齐纳 DF2S6.8 0.5pF@1MHz 森林管理委员会 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(最大) 6V 15V(典型值) 1A(8/20μs) -
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 0.3900
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ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A5.6 8pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 3.5V 5.3V - - -
DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2FS,L3M 0.1800
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ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S6.2 32pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8V - - -
DF2B7AE,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE,H3F 0.2200
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ECAD 4067 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 4,000 5.5V(最大) 5.8V 20V 4A(8/20μs) 80W 1
DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8ASL,L3F 0.2000
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ECAD 67 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD,无铅 齐纳 DF2S6.8 25pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(最大) 6.4V - - -
CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ16V,L3F 0.3100
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ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 35pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0050 8,000 1 16V 15.3V 27V(典型值) 5.5A(8/20μs) 200W
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2、L3F 0.2200
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ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 2-SMD,无铅 齐纳 CSLZ 18pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 6.5V(最大) 7.7V 17V(典型值) 2.5A(8/20μs) 55W
DF2S5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5SL,L3F 0.3100
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ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 2-SMD,无铅 齐纳 DF2S5 0.6pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V(最大) 3.6V 16V(典型值) 2.5A(8/20μs) 37W
DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT(TPL3) -
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ECAD 2063 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A6.8 45pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V 6.4V - - -
DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6F(TE85L,F) 0.0845
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ECAD 6930 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A3.6 110pF@1MHz SMV 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - -
DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU,H3XHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 汽车 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 9pF@1MHz 南加州大学 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 12V(最大) 16.2V 33V 2.5A(8/20μs) 80W 1
DF3A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FU(TE85L,F) 0.3800
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A 115pF@1MHz USM - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.1V - - -
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT,L3F 0.4900
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 5V(最大) 5.5V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 1
CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ24V,L3F 0.3100
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ECAD 3601 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 26pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0050 8,000 1 24V 22.8V 36.5V(典型值) 4.5A(8/20μs) 200W
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V、H3F 0.3600
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 2-SMD,写入 齐纳 105pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 41.2V(典型值) 23A(8/20μs) 2100W(2.1千W)
DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL,L3F 0.1900
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ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD,无铅 齐纳 DF2S6.2 32pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(最大) 5.8V - - -
DF2S16FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16FS,L3M 0.1700
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ECAD 103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S16 10pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V(最大) 15.3V - - -
DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FV,L3F 0.2200
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ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A3.3 115pF@1MHz VESM - 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 3.1V - - -
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT,L3F 0.4800
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V(最大) 3.6V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 1
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT,L3F 0.2900
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ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6 0.35pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V(最大) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W
CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ20V、H3F 0.3500
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 29pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0050 3,000 1 20V 18.8V 30.5V(典型值) 5A(8/20μs) 200W
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3M 0.3700
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ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S6.8 0.45pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(最大) 6V 15V 3A 45W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库