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电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ12V、LF 0.3400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 齐纳 44pF@1MHz S-迷你型 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 26V（典型值） 7A（8/20μs） 200W 不
DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CFU(TE85L,F 0.4400
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 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 齐纳 DF5A6.2 25pF@1MHz 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V 5.8V - - - 不
CSLZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V2、L3F 0.2200
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 30pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 5V（最大） 5.8V 10.5V（典型值） 2.5A（8/20μs） 87W 不
DF2S6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT,L3F 0.1900
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6.8 25pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 - 6.4V - - - 不
CSLZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ5V6、L3F 0.2200
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 ECAD 940 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 35pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 3.5V（最大） 5.3V 9V（典型值） 2.5A（8/20μs） 72W 不
CUZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ8V2、H3F 0.3500
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 67pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 8.2V 7.7V 16.5V（典型值） 8.5A（8/20μs） 200W 不
DF2S6.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2CT、L3F 0.2000
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 ECAD 66 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6.2 32pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8V - - - 不
DF2B6.8AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8AFS,L3M -
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 ECAD 2977 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2B 9pF@1MHz SOD-923 下载 符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 5.8V 7V（典型值） 1A（8/20μs） - 不 1
DF2B5M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4ASL,L3F 0.3500
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 ECAD 第546章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2B5 0.15pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.6V（最大） 4V 15V 2A（8/20μs） 30W 不 1
DF10G7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G7M1N,LF -
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 ECAD 4099 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - HDMI 表面贴装 10-UFDFN 转向（轨对轨） DF10 0.3pF@1MHz 10-DFN (2.5x1) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V（最大） 6V 12V（典型值） 1A（8/20μs） - 是的
DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE,LM 0.3300
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 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.2 6.5pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.9V - - - 不
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE,LM 0.3400
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 8pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3V - - - 不
DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU,H3F 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2B36 6.5pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 28V 32V 40V 1A（8/20μs） 150W 不 1
DF2S5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4CT,L3F 0.2900
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 ECAD 640 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S5 0.35pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V（最大） 3.7V 15V 2A（8/20μs） 30W 不
DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3F 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 DF2S6.8 0.5pF@1MHz 森林管理委员会 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 6V 15V（典型值） 1A（8/20μs） - 不
DF2S6P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2CTC,L3F 0.4100
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 ECAD 4595 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） USB 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S6 600pF@1MHz CST2C 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V（最大） 5.6V - 80A - 不
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 0.3900
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A5.6 8pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 3.5V 5.3V - - - 不
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT,L3F 0.4800
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V（最大） 3.6V 15V 2.5A（8/20μs） 37W 不 1
DF2S16FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16FS,L3M 0.1700
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 ECAD 103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S16 10pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V（最大） 15.3V - - - 不
DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FV,L3F 0.2200
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A3.3 115pF@1MHz VESM - 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 3.1V - - - 不
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT,L3F 0.2900
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 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6 0.35pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不
DF3D18FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU,LF 0.3900
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 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3D18 9pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 12V 16.2V 33V 2.5A（8/20μs） 80W 不 2
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3M 0.3700
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 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S6.8 0.45pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 6V 15V 3A 45W 不
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT,L3F 0.4900
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 5.5V 15V 2.5A（8/20μs） 37W 不 1
DF3A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FU(TE85L,F) 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A 115pF@1MHz USM - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.1V - - - 不
DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU,H3XHF 0.3900
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 9pF@1MHz 南加州大学 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 12V（最大） 16.2V 33V 2.5A（8/20μs） 80W 不 1
CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ24V,L3F 0.3100
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 ECAD 3601 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 26pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 24V 22.8V 36.5V（典型值） 4.5A（8/20μs） 200W 不
MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ24V、低频 0.3500
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 穆兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 26pF@1MHz USM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 36.5V（典型值） 4.5A（8/20μs） 200W 不
DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LCT,L3F 0.3700
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 ECAD 4598 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A6.8 6pF@1MHz CST3 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 - 6.5V - - - 不
CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ20V、H3F 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 29pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 20V 18.8V 30.5V（典型值） 5A（8/20μs） 200W 不
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    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库

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