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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 电容 @频率 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) ECCN htsus 标准包 单向通道 电压 -反向对峙(典型) 电压 -故障(最小) 电压 -夹紧(最大) @ ipp 电流 -10/1000µs) 功率 -峰值脉冲 电力线保护 双向通道
DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU,H3F 0.2200
RFQ
ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SC-76,SOD-323 齐纳 DF2B7 8.5pf @ 1MHz 南加州大学 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 5.5v (最大) 5.8V 20V 4a (8/20µs) 80W 1
DF2S6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5SL,L3F 0.3100
RFQ
ECAD 160 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2S6 0.6pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (5V)) 5.5V (17V)) 2.5A(8/20µs) 37W
DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT(TPL3) -
RFQ
ECAD 2063 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SC-101,SOT-883 齐纳 DF3A6.8 45pf @ 1MHz CST3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 5V 6.4V - - -
DF2S6P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2CTC,L3F 0.4100
RFQ
ECAD 4595 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) USB 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2S6 600pf @ 1MHz CST2C 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5.5v (最大) 5.6V - 80a -
DF2B6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4CT,L3F 0.3100
RFQ
ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2B6 0.2pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5v (最大) 5.6V 15V 2a (8/20µs) 30W 1
DF2S20FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S20F,L3M 0.1800
RFQ
ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-923 齐纳 DF2S20 9pf @ 1MHz SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (15V)) 18.8V - - -
MUZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ5V6,LF 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SC-70,SOT-323 齐纳 125pf @ 1MHz USM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V (9V) 12a (8/20µs) 155W
CUZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ30V,H3F 0.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 因为 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SC-76,SOD-323 齐纳 21pf @ 1MHz 南加州大学 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 30V 28V 47.5v ty(typ) 4a (8/20µs) 200W
DF2S10FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S10F,L3M 0.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-923 齐纳 DF2S10 16pf @ 1MHz SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (8V) 9.4V - - -
DF3A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FU(te85l,f) 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 通用目的 表面安装 SC-70,SOT-323 齐纳 DF3A 115pf @ 1MHz USM - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.1V - - -
DF2S24FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S24F,L3M 0.1800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-923 齐纳 DF2S24 8.5pf @ 1MHz SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (19v (最大) 22.8V - - -
DF2B5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5SL,L3F 0.3600
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B5 0.3pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.3v (最大) 3.6V (25V)) 2.5A(8/20µs) 37W 1
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV(tpl3,Z) 0.3900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOT-723 齐纳 DF3A5.6 8pf @ 1MHz VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 3.5V 5.3V - - -
CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ24V,L3F 0.3100
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 东芝半导体和存储 CEZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SC-79,SOD-523 齐纳 26pf @ 1MHz ESC键 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 24V 22.8V 36.5v ty(typ) 4.5A(8/20µs) 200W
DF2B7SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7SL,L3F 0.2000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B7 6pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.3v (最大) 5.8V 16V 3a (8/20µs) 45W 1
CUZ16V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ16V,H3F 0.3500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 因为 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SC-76,SOD-323 齐纳 35pf @ 1MHz 南加州大学 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 16V 15.3V (27V)) 5.5A(8/20µs) 200W
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2,L3F 0.2200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 CSLZ 18pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 6.5v (最大) 7.7V (17V)) 2.5A(8/20µs) 55W
DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL,L3F 0.1900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2S6.2 32pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (5V)) 5.8V - - -
DF2B5M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4ASL,L3F 0.3500
RFQ
ECAD 546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B5 0.15pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.6V(() 4V 15V 2a (8/20µs) 30W 1
DF2B12M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M4SL,L3F 0.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 2-SMD,没有铅 齐纳 DF2B12 0.2pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 (11V)) 11.5V 22V 1a (8/20µs) 22W 1
MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ20V,LF 0.3400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 齐纳 29pf @ 1MHz S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 30.5v typ) 5a(8/20µs) 200W
DF2B6.8M1ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8M1ACT,L3F 0.3300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2B6.8 0.3pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 (5V)) 6V 20V 2.5A(8/20µs) 50W 1
DF5A6.2CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage df5a6.2cfu(te85l,f 0.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 齐纳 DF5A6.2 25pf @ 1MHz USV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 5.8V - - -
MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ24V,LF 0.3400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 MSZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 齐纳 26pf @ 1MHz S-Mini 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 36.5v ty(typ) 4.5A(8/20µs) 200W
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3M 0.3700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOD-923 齐纳 DF2S6.8 0.45pf @ 1MHz SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 (5V)) 6V 15V 3a 45W
DF3A6.2FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FV,L3F 0.3200
RFQ
ECAD 9211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOT-723 齐纳 DF3A6.2 55pf @ 1MHz VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.8V - - -
DF5A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.3fu(te85l,f) 0.0824
RFQ
ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 齐纳 DF5A3.3 115pf @ 1MHz USV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - -
DF3D6.8MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV,L3F 0.5550
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 - 通用目的 表面安装 SOT-723 ((() DF3D6.8 0.5pf @ 1MHz VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 (5V)) 6V (15V)) 1a (8/20µs) - 是的
DF5A6.2JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2JE,LM 0.3100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 通用目的 表面安装 SOT-553 齐纳 DF5A6.2 55pf @ 1MHz ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 3V 5.8V - - -
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE,LM 0.3400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 8pf @ 1MHz ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库