SIC
close

电路保护(236)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 电容@频率 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 单向通道 电压 - 反向隔离（典型值） 电压 - 击穿（简单） 电压 - 钳位（最大）@Ipp 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) 功率 - 峰值脉冲 电源线保护 身体通道
DF2B7AFU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AFU,H3F 0.2200
询价
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 5.5V（最大） 5.8V 20V 4A（8/20μs） 80W 不 1
DF2S6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT,L3F 0.1900
询价
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6.8 25pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 - 6.4V - - - 不
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE,LM 0.3400
询价
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A5.6 8pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3V - - - 不
DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE,LM 0.3300
询价
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-553 齐纳 DF5A6.2 6.5pF@1MHz ESV 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.9V - - - 不
DF2S5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4CT,L3F 0.2900
询价
 ECAD 640 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S5 0.35pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V（最大） 3.7V 15V 2A（8/20μs） 30W 不
DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU,H3F 0.3400
询价
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - - 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 DF2B36 6.5pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 28V 32V 40V 1A（8/20μs） 150W 不 1
DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFV,L3F 0.2400
询价
 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A6.8 6pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 5V 6.5V - - - 不
DF2S6P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2CTC,L3F 0.4100
询价
 ECAD 4595 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） USB 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S6 600pF@1MHz CST2C 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V（最大） 5.6V - 80A - 不
DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3F 0.4800
询价
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 DF2S6.8 0.5pF@1MHz 森林管理委员会 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 6V 15V（典型值） 1A（8/20μs） - 不
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 0.3900
询价
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A5.6 8pF@1MHz VESM 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 3.5V 5.3V - - - 不
DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2FS,L3M 0.1800
询价
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S6.2 32pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V 5.8V - - - 不
DF2B7AE,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE,H3F 0.2200
询价
 ECAD 4067 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 DF2B7 8.5pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 4,000 5.5V（最大） 5.8V 20V 4A（8/20μs） 80W 不 1
DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8ASL,L3F 0.2000
询价
 ECAD 67 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S6.8 25pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 6.4V - - - 不
CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ16V,L3F 0.3100
询价
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 35pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 16V 15.3V 27V（典型值） 5.5A（8/20μs） 200W 不
CSLZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ8V2、L3F 0.2200
询价
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 CSLZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 CSLZ 18pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 10,000 1 6.5V（最大） 7.7V 17V（典型值） 2.5A（8/20μs） 55W 不
DF2S5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5SL,L3F 0.3100
询价
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S5 0.6pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V（最大） 3.6V 16V（典型值） 2.5A（8/20μs） 37W 不
DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT(TPL3) -
询价
 ECAD 2063 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-101、SOT-883 齐纳 DF3A6.8 45pF@1MHz CST3 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 2 5V 6.4V - - - 不
DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6F(TE85L,F) 0.0845
询价
 ECAD 6930 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SC-74A、SOT-753 齐纳 DF5A3.6 110pF@1MHz SMV 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - 不
DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU,H3XHF 0.3900
询价
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 汽车 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 9pF@1MHz 南加州大学 下载 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 12V（最大） 16.2V 33V 2.5A（8/20μs） 80W 不 1
DF3A3.3FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FU(TE85L,F) 0.3800
询价
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 - 通用型 表面贴装 SC-70、SOT-323 齐纳 DF3A 115pF@1MHz USM - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.1V - - - 不
DF2B6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5CT,L3F 0.4900
询价
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 5V（最大） 5.5V 15V 2.5A（8/20μs） 37W 不 1
CEZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ24V,L3F 0.3100
询价
 ECAD 3601 0.00000000 东芝半导体和存储 经济特区 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-79、SOD-523 齐纳 26pF@1MHz ESC键 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 8,000 1 24V 22.8V 36.5V（典型值） 4.5A（8/20μs） 200W 不
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V、H3F 0.3600
询价
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 CUHZ 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 2-SMD，写入 齐纳 105pF@1MHz US2H 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 41.2V（典型值） 23A（8/20μs） 2100W（2.1千W） 不
DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL,L3F 0.1900
询价
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 2-SMD，无铅 齐纳 DF2S6.2 32pF@1MHz SL2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 5.8V - - - 不
DF2S16FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16FS,L3M 0.1700
询价
 ECAD 103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 - 通用型 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S16 10pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V（最大） 15.3V - - - 不
DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FV,L3F 0.2200
询价
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOT-723 齐纳 DF3A3.3 115pF@1MHz VESM - 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 3.1V - - - 不
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT,L3F 0.4800
询价
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SOD-882 齐纳 0.3pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V（最大） 3.6V 15V 2.5A（8/20μs） 37W 不 1
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT,L3F 0.2900
询价
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-882 齐纳 DF2S6 0.35pF@1MHz CST2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V（最大） 5.6V 15V 2A（8/20μs） 30W 不
CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ20V、H3F 0.3500
询价
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 库兹 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 通用型 表面贴装 SC-76、SOD-323 齐纳 29pF@1MHz 南加州大学 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0050 3,000 1 20V 18.8V 30.5V（典型值） 5A（8/20μs） 200W 不
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3M 0.3700
询价
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C（太焦） 表面贴装 SOD-923 齐纳 DF2S6.8 0.45pF@1MHz SOD-923 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V（最大） 6V 15V 3A 45W 不
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

询价清单 (0 件)
购物车列表 (0 件)
Wishlist愿望清单 (0 件)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

数量：1

比较列表 (0 项)
按 Enter 进行搜索或按 ESC 关闭