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传感器、变换器(28)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 最小 安装类型 包装/箱 类型 特征 基本产品编号 技术 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 接近检测 电流 - 电源（最大） 输出配置 传感方式 当前-产出（最大） 像素大小 有源答复列表 波长 感应范围 测试条件 当前 - 直流正向 (If)（最大） 感应距离 响应T 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 集电极电流(Ic)（最大）
TCS30DPU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DPU，LF 0.1500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 北极、南极 表面贴装 5-SMD，写入 - 霍尔效应 推拉式 2.3V～3.6V 超短波病毒 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 3,000 全极开关 1.3毫安 5毫安 ±2.5mT 跳闸，±0.3mT 释放 25℃
TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU、LF 0.1500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 北极、南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS30 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.3毫安 5毫安 ±2.5mT 跳闸，±0.3mT 释放 25℃
TCS11NLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS11NLU(TE85L,F) -
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 ECAD 1268 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS11N 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 -2.5mT跳闸，-0.3mT释放 25℃
TCD1209DG(8Z,K) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1209DG(8Z,K) 51.1700
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 ECAD 9500 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -25℃～60℃ 22-CDIP（0.400英寸，10.16毫米） CCD 11.4V～13V 22-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 50 14微米×14微米 -
TCS10DPU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10DPU(TE85L,F) -
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 ECAD 3199 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS10D 霍尔效应 推拉式 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.3毫安 5毫安 ±2.5mT 跳闸，±0.3mT 释放 25℃
TCS10DLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10DLU(TE85L,F) -
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 ECAD 8212 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS10D 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.3毫安 5毫安 ±2.5mT 跳闸，±0.3mT 释放 25℃
TCS10NLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10NLU(TE85L,F) -
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 ECAD 8296 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS10N 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 -2.5mT跳闸，-0.3mT释放 25℃
TCD1205DG(8Z,W) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1205DG(8Z,W) -
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 ECAD 4329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -25℃～60℃ 22-CDIP（0.400英寸，10.16毫米） CCD TCD1205 4.5V～5.5V 22-CDIP 下载 符合RoHS标准 不适用 TCD1205DG(8ZW) EAR99 8542.39.0001 100 14微米×200微米 -
TCS30SPU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30SPU，LF 0.1500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 南极 表面贴装 5-SMD，写入 - 霍尔效应 推拉式 2.3V～3.6V 超短波病毒 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 2.5mT跳闸，0.3mT释放 25℃
TCS40DLR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS40DLR,LF 0.1100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 SOT-23-3 读写 - TCS40 霍尔效应 漏极开路 2.3V~5.5V SOT-23F 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.6mA（典型值） 5毫安 ±4.4mT 跳闸，±0.9mT 释放 25℃
TCD1305DG(8Z,AW) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1305DG(8Z,AW) -
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 ECAD 4628 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -25℃～60℃ 22-CDIP（0.400英寸，10.16毫米） CCD TCD1305 4.5V～5.5V 22-CDIP 下载 符合RoHS标准 TCD1305DG(8ZAW) 0000.00.0000 100 8微米×64微米 -
TCD1103GFG(8Z) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1103GFG(8Z) -
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 ECAD 3271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -25℃～60℃ 16-GLCC模块 CCD 3V~4V 16-GLCC (15.2x6) 下载 264-TCD1103GFG(8Z) 120 5.5微米×64微米 -
TCD1209DG(8Z,W) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1209DG(8Z,W) -
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 ECAD 2991 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 - 22-CDIP（0.400英寸，10.16毫米） CCD TCD1209 5V~12V 22-CDIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 TCD1209DG(8ZW) 过时的 0000.00.0000 50 14微米×14微米 -
TCD1304DG(8Z,K) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1304DG(8Z,K) 36.2700
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 ECAD 9605 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -25℃～60℃ 22-CDIP（0.400英寸，10.16毫米） CCD 3V～5.5V 22-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 8微米×200微米 -
TCS20DLR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS20DLR,LF -
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 ECAD 2186 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 SOT-23-3 读写 - TCS20D 霍尔效应 漏极开路 2.3V~5.5V SOT-23F 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.6mA（典型值） 5毫安 ±4.4mT 跳闸，±0.9mT 释放 25℃
TPS850 Toshiba Semiconductor and Storage TPS850 -
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 ECAD 9854 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 1210（3225 公制），4 接口 周围的 TPS85 当前的 2.7V～5.5V - 下载 3（168小时） TPS850-NDR EAR99 8541.49.1050 3,000 不 640nm
TCS11DLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS11DLU(TE85L,F) -
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 ECAD 2936 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS11D 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.3毫安 5毫安 ±2.5mT 跳闸，±0.3mT 释放 25℃
TCS40DPR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS40DPR,LF 0.3500
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 ECAD 第338章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 SOT-23-3 读写 - TCS40 霍尔效应 推拉式 2.3V~5.5V SOT-23F 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.6mA（典型值） 5毫安 ±4.4mT 跳闸，±0.9mT 释放 25℃
TCD1103GFG Toshiba Semiconductor and Storage TCD1103GFG 19.5400
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 ECAD 117 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -25℃～60℃ 16-GLCC模块 CCD TCD1103 3V~4V 16-GLCC (15.2x6) 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 120 5.5微米×64微米
TCS30NPU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30NPU,LF 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 北极 表面贴装 5-SMD，写入 - 霍尔效应 推拉式 2.3V～3.6V 超短波病毒 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 -2.5mT跳闸，-0.3mT释放 25℃
TCS10NPU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10NPU(TE85L,F) -
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 ECAD 3696 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS10N 霍尔效应 推拉式 2.3V～3.6V 超短波病毒 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 -2.5mT跳闸，-0.3mT释放 25℃
TCS20DPR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS20DPR,LF -
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 ECAD 7989 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 北极、南极 表面贴装 SOT-23-3 读写 - TCS20D 霍尔效应 推拉式 2.3V~5.5V SOT-23F 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 全极开关 1.6mA（典型值） 5毫安 ±4.4mT 跳闸，±0.9mT 释放 25℃
TCD1304DG(8Z,AW) Toshiba Semiconductor and Storage TCD1304DG(8Z,AW) -
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 ECAD 5591 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 - 22-CDIP（0.400英寸，10.16毫米） CCD TCD1304 3V 22-CDIP 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8542.39.0001 50 8微米×200微米 -
TCS10SLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10SLU(TE85L,F) -
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 ECAD 4948 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS10S 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 2.5mT跳闸，0.3mT释放 25℃
TLP1243(C8) Toshiba Semiconductor and Storage TLP1243(C8) -
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 ECAD 7876 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30℃～95℃ - - 未其余 TLP124 - 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 200 光电晶体管 - 30毫安 0.197英寸（5毫米） 15微秒 35V 50毫安
TCS11SLU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS11SLU(TE85L,F) -
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 ECAD 9194 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS11S 霍尔效应 漏极开路 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 2.5mT跳闸，0.3mT释放 25℃
TPS853 Toshiba Semiconductor and Storage TPS853 -
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 ECAD 第1363章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -30℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 周围的 TPS85 当前的 2.2V～5.5V 贴片（2.1长 x 2.0宽 x 0.7高） 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.1050 3,000 不 600纳米
TCS10SPU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCS10SPU(TE85L,F) -
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 ECAD 第1384章 0.00000000 东芝半导体和存储 TCS 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 南极 表面贴装 6-SMD（5 英尺），浅浅 - TCS10S 霍尔效应 推拉式 2.3V～3.6V 超短波病毒 - 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 3,000 单极开关 1.3毫安 5毫安 2.5mT跳闸，0.3mT释放 25℃
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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