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传感器，352）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 极化 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 技术 | 电流 -供应 | 力量 -最大 | 终止样式 | 输出类型 | 输出 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 输出功能 | 电流 -供应（最大） | 准确性 | 电流 -输出（最大） | 波长 | 方向 | 感应范围 | 测试条件 | 视角 | 端口大小 | 压力类型 | 工作压力 | 端口样式 | 最大压力 | 感应距离 | 带宽 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 轴 | 加速范围 | 灵敏度（（LSB/g） | （MV/g） | 开关温度 | 跳闸温度阈值 | 可选的磁滞 | BPF中心频率 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KX220-1071 | - |  | 8468 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KX220 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 10-vflga | 类似物 | 可选的低通滤波器 | 模拟电压 | 1.8v〜3.6V | 10-LGA （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 9031.80.8085 | 4,000 | 8KHz（x，y），5.1kHz（Z）（Z） | x，y，z | ±20克 | - | 66 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| KX220-1072 | - | | 1615年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KX220 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 10-vflga | 类似物 | 可选的低通滤波器 | 模拟电压 | 1.8v〜3.6V | 10-LGA （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 7A994 | 9031.80.8085 | 4,000 | 8KHz（x，y），5.1kHz（Z）（Z） | x，y，z | ±40克 | - | 33 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BU52072GWZ-E2 | 0.7200 | | 2330 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 北极，南极 | 表面安装 | 4-XFBGA，CSPBGA | - | BU52072 | 大厅效应 | CMOS | 1.65V〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 综合开关 | 8µA | 500µA | ±3.2mt旅行，±1.2mt释放 | 25°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BU52273NUZ-ZE2 | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C | 北极，南极 | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | - | BU52273 | 大厅效应 | CMOS | 1.65V〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 综合开关 | 8µA | 500µA | ±5.1mt旅行，±2.3mt释放 | 25°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BU52792GWZ-E2 | 0.7200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 北极，南极 | 表面安装 | 4-XFBGA，CSPBGA | - | BU52792 | 大厅效应 | CMOS | 2.7V〜5.5V | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 综合开关 | 6µA | 500µA | ±3.2mt旅行，±1.2mt释放 | 25°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BU52492NUZ-ZE2 | 0.7900 | | 34 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C | 北极，南极 | 表面安装 | 4-xfdfn暴露垫 | - | BU52492 | 大厅效应 | CMOS | 1.65V〜3.6V | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 综合开关 | 8µA | 500µA | ±3.7mt Trip，±0.7mt释放 | 25°C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RPM7238-H8R | - | | 5798 | 0.00000000 | Rohm半导体 | RPM7238-R | 管子 | 过时的 | -10°C〜75°C（TA） | 通过洞 | 500 µA | 2.7 v〜3.6 v | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.49.9500 | 50 | 顶视图 | 15m | 37.9khz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | bde1000g-tr | 0.8032 | | 6230 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -30°C〜130°C | 表面安装 | SC-74A，SOT-753 | - | BDE1000 | 16µA | 打开排水 | 活跃的低 | 2.9 v〜5.5 v | 5-SSOP | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | /coptemp，vtemp | ±4°C | 5mA | 100°C | 热的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | KX134-1211 | 14.5400 | | 14 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 12-vflga | 数字的 | 可选的比例 | KX134 | i²c，spi | 1.7v〜3.6V | 12-lga 2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 0.39Hz〜12.8kHz | x，y，z | ±8g，16g，32g，64g | 4096（±8G）〜512（±64G） | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RPT-312PTT32N | - | | 8337 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPT-312PTT32N | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPI-124FB | - | | 6302 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 846-RPI-124FB | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPT-34pb3ffl | - | | 4784 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPT-34PB3FFL | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPI-221FB | - | | 1211 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 846-RPI-221FB | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPT-38pb3ffk | - | | 7638 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-rpt-38pb3ffk | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPT-312PTTT32M | - | | 4310 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPT-312PTTTTT32M | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPM-012PBT97W1H | - | | 4282 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPM-012PBT97W1H | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPI-577NFA | - | | 1835年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 846-RPI-577NFA | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPM-22PBFL | - | | 7615 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPM-22PBFL | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPI-0128G | - | | 8872 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 846-RPI-0128G | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPT-37pb3ffl | - | | 3387 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-rpt-37pb3ffl | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPI-122HA | - | | 4963 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 846-RPI-122HA | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| rpm-20pbfn | - | | 1438 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPM-20pbfn | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPM-20pbfl | - | | 6586 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPM-20PBFL | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPI-577NA | - | | 9068 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 846-RPI-577NA | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPT-38pb3ffm | - | | 7473 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-rpt-38pb3ffm | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPM-22PBEL | - | | 8253 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPM-22PBEL | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RPT-38PT3FFN | - | | 4190 | 0.00000000 | Rohm半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | 846-RPT-38PT3FFN | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BM1390GLV-ZTR | 6.6600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 10-vflga | 温度补偿 | - | i²c | - | 1.7v〜3.6V | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 9026.20.4000 | 3,000 | ±0.015PSI±0.1KPA） | - | 绝对 | 4.35PSI〜18.85PSI （30KPA〜130KPA） | 没有端口 | 290.08PSI（2000KPA） | |||||||||||||||||||||||||||||
| BU52737GWZ-E2 | 0.6600 | | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 北极，南极 | 表面安装 | 4-XFBGA，CSPBGA | - | 大厅效应 | CMOS | 2.5V〜4.5V | UCSP35L1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 综合开关 | 1.8µA | 500µA | ±17mt旅行，±11mt释放 | 25°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SML-H10TBT86 | 0.6200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -30°C 〜85°C | 表面安装 | 0805（2012年） | 80 MW | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.41.0000 | 3,000 | 800nm | 顶视图 | - | 32 v | 30 ma |
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