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RF 36）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 阻抗 | 安装类型 | 包装 /案例 | 特征 | 基本产品编号 | 频率范围 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 电路 | 拓扑 | 插入损失 | P1DB | RF类型 | 测试频率 | 隔离 | IIP3 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TS82250K | 18.8600 |  | 100 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | - | 条 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50ohm | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | DC阻塞 | TS82250 | 30MHz〜5GHz | 2.6V〜5.25V | 16 QFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 1 | SPDT | 反光的 | 0.25dB | - | 细胞，LTE | 400MHz，5GHz | 22DB | 77DBM | ||||
 | TS7441L | 27.2900 | | 39 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | 对称 | 条 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50ohm | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | - | TS7441 | 1MHz〜2.7GHz | 2.6V〜5.5V | 32-qfn （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | sp4t | 反光的 | 0.40dB | 45dBm | 细胞，LTE | 800MHz | 36dB | 70dBm | |
 | TS7246K | 16.3000 | | 100 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | 对称 | 条 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50ohm | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | - | TS7246 | 1MHz〜3GHz | 2.6V〜5.5V | 16 QFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | sp4t | 反光的 | 0.45dB | 42DBM | 细胞，LTE | 800MHz | 40dB | 73DBM | |
| TS7423L | 29.6600 | | 65 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | 对称 | 条 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50ohm | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | - | TS7423 | 1MHz〜3GHz | 2.6V〜5.5V | 32-qfn （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SPDT | 反光的 | 0.30dB | 46dBm | 细胞，LTE | 800MHz | 44dB | 74DBM | |
| TS8423K | 20.7300 | | 200 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | 对称 | 条 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50ohm | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | - | TS8423 | 30MHz〜5GHz | 2.6V〜5.25V | 16 QFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SPDT | 反光的 | 0.5dB | - | 细胞，LTE | 5GHz | 22DB | 77DBM | ||
| TS7321FK | 15.9400 | | 905 | 0.00000000 | 泰戈尔技术 | 对称 | 条 | 积极的 | -40°C〜85°C | 50ohm | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | - | TS7321 | 10MHz〜6GHz | 2.6V〜5.5V | 16 QFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SPDT | 反光的 | 0.35dB | 44DBM | 细胞，LTE | 800MHz | 45dB | 73DBM |
2000+
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